【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片制造领域，具体而言，涉及一种封装结构。
技术介绍
1、现有技术的倒装芯片方形扁平无引脚封装(flip chip qfn,flip chip quadflat no-leads package)的封装结构通常通过金属衬垫与母板连接。图1示出了一个现有技术的封装结构的侧视示意图。如图1所示，现有技术的封装结构包括芯片91、介电层92和金属衬垫93，介电层92包覆芯片91，金属衬垫93从介电层92底部凸出，金属衬垫93通过第一电镀层95与芯片91的凸块96连接，金属衬垫93通过第二电镀层94与母板连接。
2、图2示出了如图1所示的根据本申请一个现有技术的封装结构的制作流程示意图。如图2所示，封装结构的制作流程包括多个步骤：步骤9001：提供金属板，在金属板的两侧分别通过电镀形成第一电镀层902和第二电镀层903后采用微影蚀刻工艺将金属板制成图案化的金属层901；步骤9002：设置芯片904，使芯片904的凸块906通过第一电镀层902与金属层901连接，在金属层901上方设置介电层905，使介电层905包覆芯片904和凸块906；步骤9003：蚀刻金属层901形成金属衬垫907。可以看到，金属衬垫在制作时需要经过多个步骤，工序耗时且制作成本较高。
3、现有的封装结构的另一个问题在于，在制作过程中封装结构的边缘有可能会相对于封装结构的中心发生向上或向下的翘曲，这会导致封装结构上的部分金属衬垫无法准确对准母板上预设的连接位置或距离连接位置距离过远，进而导致母板与封装结构连接时发生空焊，从而降低产品的良
4、综上所述，本领域需要提供一种封装结构，其能够克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
1、本申请提供了一种封装结构，其能够解决现有技术的问题。本申请的目的通过以下技术方案得以实现。
2、本申请的一个实施方式提供了一种封装结构，其包括：芯片，芯片包括主动面；多个金属衬垫，多个金属衬垫分隔设置于主动面；介电层，介电层包覆芯片且包覆多个金属衬垫的四周，金属衬垫的下表面从介电层的下表面露出，金属衬垫的下表面相对于介电层的下表面向介电层内侧凹陷，介电层在金属衬垫的下表面的四周呈曲面；多个第一电连接件，第一电连接件设置在金属衬垫的下表面上。
3、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括多个第二电连接件，金属衬垫通过第二电连接件与芯片电连接。
4、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中每个第一电连接件的尺寸根据每个第一电连接件的位置和介电层的形状确定。
5、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中介电层的边缘相对于介电层的中心向上弯曲，靠近介电层边缘的第一电连接件的尺寸大于靠近介电层中心的第一电连接件的尺寸。
6、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中介电层的边缘相对于介电层的中心向下弯曲，靠近介电层边缘的第一电连接件的尺寸小于靠近介电层中心的第一电连接件的尺寸。
7、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第一电连接件为锡球。
8、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中金属衬垫的侧面具有与介电层接触的接触面，接触面为曲面。
9、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中接触面为凸面。
10、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中接触面为凹面。
11、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中金属衬垫具有与第一电连接件接触的下表面，下表面为凹面。
12、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第二电连接件为锡球。
13、根据本申请实施方式封装结构的优点在于：能够通过调整第一电连接件的高度，在封装结构发生翘曲时避免发生空焊；与母板连接时无需在母板上额外印刷锡膏等连接材料，避免母板发生桥接问题；无需使用电镀和微影蚀刻工艺，降低了制作工艺的复杂度的同时提高了产品的良品率，降低了生产成本。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括多个第二电连接件，所述金属衬垫通过所述第二电连接件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每个所述第一电连接件的尺寸根据每个所述第一电连接件的位置和所述介电层的形状确定。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的边缘相对于所述介电层的中心向上弯曲，靠近所述介电层边缘的所述第一电连接件的尺寸大于靠近所述介电层中心的所述第一电连接件的尺寸。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的边缘相对于所述介电层的中心向下弯曲，靠近所述介电层边缘的所述第一电连接件的尺寸小于靠近所述介电层中心的所述第一电连接件的尺寸。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接件为锡球。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属衬垫的侧面具有与所述介电层接触的接触面，所述接触面为曲面。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述接
9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述接触面为凹面。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属衬垫具有与所述第一电连接件接触的下表面，所述下表面为凹面。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括多个第二电连接件，所述金属衬垫通过所述第二电连接件与所述芯片电连接。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，每个所述第一电连接件的尺寸根据每个所述第一电连接件的位置和所述介电层的形状确定。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的边缘相对于所述介电层的中心向上弯曲，靠近所述介电层边缘的所述第一电连接件的尺寸大于靠近所述介电层中心的所述第一电连接件的尺寸。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述介电层的边缘相对于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯政宏，许胜翔，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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