【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种质谱离子源，具体涉及一种超高气压环境中进样用质谱离子源，属于质谱。
技术介绍
1、现有质谱技术广泛采用在工业管道中气体的在线测量；质谱需要采用ei、ci、pei等原理的离子源作为电离手段。离子源同时是进样管道与质谱内部高真空的接口过度环节，如果接口设计不当，轻则造成离子谱峰畸变或污染，重则破坏真空甚至烧毁仪器。工业管道的气体压力是mpa乃至百mpa，使用质谱进样测量，难度较高。
2、目前工业压力管道的质谱测量，常规方法是泄压测量，将超高气压泄放至大气压，再使用辅助高真空泵抽取至低于0.1pa的真空度。这种方法会损失原位信息，从而降低测量结果的可信度；而且体积功耗较大，不利于仪器设备的小型化和集成化。
3、此外，现有离子源多采用气室加灯丝结构，对环境真空度要求较高，进样量量较小，无法适用于超高气压(气压为百mpa级别)场景。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种超高气压进样用质谱离子源，适用于超高气压(气压为百mpa级别)场景，能够将超高气压分子经特殊结构设计的毛细管进入离化室，在离化室产生带电离子，为后续的质谱检测提供稳定且高强度的原始信号，提升质谱检测限和检测精度。
2、本专利技术的技术方案为：一种超高气压进样用质谱离子源，包括：传导光纤、激光器、毛细管、离化室和离子透镜；
3、所述毛细管内部设置有传导光纤，所述传导光纤与毛细管内壁之间的环形空间内具有填充层；所述毛细管的管壁为高压渗透材料；
5、所述激光器用于向所述传导光纤发射激光，所述传导光纤用于引导激光到达纳米银镀膜层；
6、所述离化室外部设置有用于提供磁场的磁铁；所述离化室的出样口设置有离子透镜。
7、作为本专利技术的一种优选方式：还包括光纤准直器，用于调整激光器的出光角度。
8、作为本专利技术的一种优选方式：所述传导光纤外壁具有光纤反射镀层。
9、作为本专利技术的一种优选方式：所述填充层为二氧化硅。
10、作为本专利技术的一种优选方式：所述传导光纤、纳米银镀膜以及离子透镜的离子聚焦孔同轴。
11、有益效果：
12、(1)本专利技术的离子源，采用渗透材料+激光照射+高电压放电的方式，使超高气压分子经特殊结构设计的毛细管进入离化室，在离化室产生带电离子，为后续的质谱检测提供稳定且高强度的原始信号，提升质谱检测限和检测精度；该离子源能够在100mpa的超高气压下稳定工作。
13、(2)本专利技术中，通过光纤准直器改变激光进光角度改变光路，能够减少激光在传导光纤内的反射次数。
14、(3)本专利技术中，传导光纤外壁具有光纤反射镀层，能够防止激光散射出光纤，尽可能保存激光的能量。
15、(4)本专利技术中，激光、加正高压的纳米银镀膜与离子透镜的离子聚焦孔处于同一直线，可有效为离子加速，引导离子流进入超高真空环境。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：包括：传导光纤(2)、激光器、毛细管(6)、离化室(10)和离子透镜(9)；
2.如权利要求1所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：还包括光纤准直器(1)，用于调整激光器的出光角度。
3.如权利要求1所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：所述传导光纤(2)外壁具有光纤反射镀层(3)。
4.如权利要求1-3任一项所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：所述填充层(4)为二氧化硅。
5.如权利要求1-3任一项所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：所述传导光纤(2)、纳米银镀膜(5)以及离子透镜(9)的离子聚焦孔同轴。
【技术特征摘要】
1.一种超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：包括：传导光纤(2)、激光器、毛细管(6)、离化室(10)和离子透镜(9)；
2.如权利要求1所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于：还包括光纤准直器(1)，用于调整激光器的出光角度。
3.如权利要求1所述的超高气压进样用质谱离子源，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李航涛，严奉轩，王祥滨，路晓川，赵加鹏，杜锦鹏，宁君宇，王隆，田亮亮，孟涛，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七一八研究所，
类型：发明
国别省市：
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