【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构的量测分析方法和装置、可读存储介质。
技术介绍
1、在半导体集成电路的制造过程中，工艺流程中的工序有很多种类，包括制造工序和量测工序，其中量测工序的目的是对在制的晶圆(wafer)进行量测并分析量测数据，以检验生产制造过程中的晶圆是否符合质量要求，并监控晶圆生产过程是否正常。通过在量测工序中采用可靠的量测数据量测分析方法，能够快速检测工艺偏离，及时了解工艺表现，以采取优质的改进和预防措施。
2、优良的量测数据量测分析方法能够有效提高制造过程的良品率、降低产品报废率、改善机台利用率。但是现有的半导体结构的量测、量测分析方法往往存在数据结构单一、量测结果可靠性低等问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的问题是如何拓展量测分析数据、提高量测数据可靠性。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的量测分析方法，包括：
3、提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有图形化的光刻胶层；对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的经刻蚀层；对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓；根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析。
4、可选的，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤和对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中至少一个
5、可选的，通过扫描电子显微镜进行量测的步骤中，通过特征尺寸扫描电子显微镜进行量测。
6、可选的，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤包括：对所述图形化的光刻胶层进行第一量测，获得所述图形化的光刻胶层的图像；根据所述图形化的光刻胶层的图像，提取所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓。
7、可选的，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤还包括：获得所述图形化的光刻胶层的图像之后，提取所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓之前，设置adi轮廓参数。
8、可选的，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤中，还获得所述图形化的光刻胶层中第一区域的显微镜量测值；设置adi轮廓参数的步骤包括：提取所述图形化的光刻胶层的图像中所述第一区域的图形的轮廓；对所提取的第一区域的图形的轮廓进行测量，获得所述第一区的轮廓量测值；比较所述第一区域的轮廓量测值和所述第一区域的显微镜量测值的相对大小；根据所述第一区域的轮廓量测值和所述第一区域的显微镜量测值的差异，调整所述adi轮廓参数直至所述第一区域的轮廓量测值和所述第一区域的显微镜量测值相一致，其中所述第一区域的轮廓量测值和所述第一区域的显微镜量测值相一致时，所述adi轮廓参数为最佳adi轮廓参数；提取所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤中，根据所述最佳adi轮廓参数，提取所述图形化的光刻胶层的图像中第二区域的图形的轮廓。
9、可选的，所述第一区域的图形复杂程度小于所述第二区域的复杂程度。
10、可选的，所述第二区域具有sram器件的图形。
11、可选的，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤包括：对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测，获得所述图形化的经刻蚀层的图像；根据所述图形化的经刻蚀层的图像，提取所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓。
12、可选的，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤还包括：获得所述图形化的经刻蚀层的图像之后，提取所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓之前，设置aei轮廓参数。
13、可选的，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中，还获得所述图形化的经刻蚀层中第三区域的显微镜量测值；设置aei轮廓参数的步骤包括：提取所述图形化的经刻蚀层的图像中所述第三区域的图形的轮廓；对所提取的第三区域的图形的轮廓进行测量，获得所述第三区的轮廓量测值；比较所述第三区域的轮廓量测值和所述第三区域的显微镜量测值的相对大小；根据所述第三区域的轮廓量测值和所述第三区域的显微镜量测值的差异，调整所述aei轮廓参数直至所述第三区域的轮廓量测值和所述第三区域的显微镜量测值相一致，其中所述第三区域的轮廓量测值和所述第三区域的显微镜量测值相一致时，所述aei轮廓参数为最佳aei轮廓参数；提取所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤中，根据所述最佳aei轮廓参数，提取所述图形化的经刻蚀层的图像中第四区域的图形的轮廓。
14、可选的，所述第三区域的图形的复杂程度小于所述第四区域的复杂程度。
15、可选的，所述第四区域具有sram器件的图形。
16、可选的，根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析的步骤包括：测量所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓，获得光刻轮廓测量值；测量所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓，获得刻蚀轮廓测量值；根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的差异，获得刻蚀测量值。
17、可选的，获得光刻轮廓测量值的步骤和获得刻蚀轮廓测量值的步骤中至少一个步骤中，图形信息包括：线宽及其变化趋势、线距及其变化趋势、节距及其变化趋势、长度及其变化趋势、延长距离及其变化趋势、曲率半径及其变化趋势、端点移动距离及其移动规律、线段移动距离及其移动趋势中的至少一个。
18、可选的，获得刻蚀测量值的步骤中，所述刻蚀测量值包括：刻蚀偏移值和刻蚀偏移值的分布规律中的至少一个。
19、相应的，本专利技术还提供一种半导体结构的量测分析装置，包括：
20、工艺模块，所述工艺模块适宜于提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有图形化的光刻胶层；所述工艺模块还适宜于以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的经刻蚀层；量测模块，所述量测模块适宜于对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓；所述量测模块还适宜于对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓；分析模块，所述分析模块适宜于根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析。
21、可选的，所述量测模块包括：探测单元，所述探测单元适宜于对所述图形化的光刻胶层进行第一量测，获得所述图形化的光刻胶层的图像；所述探测单元还适宜于对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测，获得所述图形化的经刻蚀层的图像；识别单元，所述识别单元适宜于根据所述图形化的光刻胶层的图像，提取所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓；所述识别单元还适宜于根据所述图形化的经刻蚀层的图像，提取所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓。
22、可选的，所述量测模块还包括：参数设置单元，所述参数设本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的量测分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤和对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中至少一个步骤中，通过扫描电子显微镜进行量测。
3.如权利要求2所述的量测分析方法，其特征在于，通过扫描电子显微镜进行量测的步骤中，通过特征尺寸扫描电子显微镜进行量测。
4.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤包括：
5.如权利要求4所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤还包括：
6.如权利要求5所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤中，还获得所述图形化的光刻胶层中第一区域的显微镜量测值；
7.如权利要求6所述的量测分析方法，其特征在于，所述第一区域的图形复杂程度小于所述第二区域的复杂程度。
8.如权利要求6或7所述的量测分析方
9.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤包括：
10.如权利要求9所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤还包括：
11.如权利要求10所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中，还获得所述图形化的经刻蚀层中第三区域的显微镜量测值；
12.如权利要求11所述的量测分析方法，其特征在于，所述第三区域的图形的复杂程度小于所述第四区域的复杂程度。
13.如权利要求11或12所述的量测分析方法，其特征在于，所述第四区域具有SRAM器件的图形。
14.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，根据所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓和所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓中至少一个进行测量分析的步骤包括：
15.如权利要求14所述的量测分析方法，其特征在于，获得光刻轮廓测量值的步骤和获得刻蚀轮廓测量值的步骤中至少一个步骤中，图形信息包括：线宽及其变化趋势、线距及其变化趋势、节距及其变化趋势、长度及其变化趋势、延长距离及其变化趋势、曲率半径及其变化趋势、端点移动距离及其移动规律、线段移动距离及其移动趋势中的至少一个。
16.如权利要求14所述的量测分析方法，其特征在于，获得刻蚀测量值的步骤中，所述刻蚀测量值包括：刻蚀偏移值和刻蚀偏移值的分布规律中的至少一个。
17.一种半导体结构的量测分析装置，其特征在于，包括：
18.如权利要求17所述的量测分析装置，其特征在于，所述量测模块包括：
19.如权利要求18所述的量测分析装置，其特征在于，所述量测模块还包括：参数设置单元，所述参数设置单元适宜于设置ADI轮廓参数；所述参数设置单元还适宜于设置AEI轮廓参数。
20.如权利要求19所述的量测分析装置，其特征在于，所述探测单元对所述图形化的光刻胶层进行第一量测，还获得所述图形化的光刻胶层中第一区域的显微镜量测值；所述探测单元对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测，还获得所述图形化的经刻蚀层中第三区域的显微镜量测值；
21.如权利要求17所述的量测分析装置，其特征在于，所述分析模块包括：
22.一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行，以实现权利要求1至16任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的量测分析方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤和对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中至少一个步骤中，通过扫描电子显微镜进行量测。
3.如权利要求2所述的量测分析方法，其特征在于，通过扫描电子显微镜进行量测的步骤中，通过特征尺寸扫描电子显微镜进行量测。
4.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤包括：
5.如权利要求4所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测以获得所述图形化的光刻胶层中图形的轮廓的步骤还包括：
6.如权利要求5所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的光刻胶层进行第一量测的步骤中，还获得所述图形化的光刻胶层中第一区域的显微镜量测值；
7.如权利要求6所述的量测分析方法，其特征在于，所述第一区域的图形复杂程度小于所述第二区域的复杂程度。
8.如权利要求6或7所述的量测分析方法，其特征在于，所述第二区域具有sram器件的图形。
9.如权利要求1所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤包括：
10.如权利要求9所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测以获得所述图形化的经刻蚀层中图形的轮廓的步骤还包括：
11.如权利要求10所述的量测分析方法，其特征在于，对所述图形化的经刻蚀层进行第二量测的步骤中，还获得所述图形化的经刻蚀层中第三区域的显微镜量测值；
12.如权利要求11所述的量测分析方法，其特征在于，所述第三区域的图形的复杂程度小于所述第四...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐世斌，高大为，吴永玉，任堃，鲁苗苗，颜哲钜，姚淼红，张馨元，李翰轩，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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