【技术实现步骤摘要】
本技术涉及过温保护领域，具体涉及一种过温降电压电路。
技术介绍
1、过温补偿电路是一种用于在电子设备中控制温度的技术。在电子设备中，由于工作时产生的热量会导致温度升高，过高的温度可能会对设备的性能和寿命造成影响。因此，过温补偿电路被设计用来监测设备的温度并采取相应的措施来调节温度，以确保设备在安全的工作温度范围内运行。
2、过温补偿电路的设计和实现需要考虑多个因素，包括传感器的准确性、比较器的稳定性和控制器的响应速度等。通过合理设计和调试，过温补偿电路可以有效地保护设备免受过热的影响，延长设备的使用寿命，提高设备的性能稳定性。因此，在许多电子设备中，过温补偿电路被广泛应用以确保设备的可靠性和稳定性。
3、目前，现有的过温补偿电压通常是根据三极管的结电压而确定的，无法做到精准的调整过温点，对温度变化的反应程度不够精准。同时可能因为工艺失调导致过温点偏移，不适用与精准的过温降电压电路。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种过温降电压电路，旨在改善对温度变化的反应程度不够精准，以及因为工艺失调导致过温点偏移的问题。
2、为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、一种过温降电压电路，包括带隙基准源模块、温度补偿模块和输出模块；
4、所述温度补偿模块包括正温度系数第一电流支路、正温度系数第二电流支路和补偿支路；
5、所述带隙基准源模块输出基准电压vbg至正温度系数第一电流支路和输出模块，所述带隙基准源模块输出与
6、进一步的，所述正温度系数第一电流支路包括运算放大器x1、mos管n0、mos管p0、mos管p1和电阻r0；
7、所述带隙基准源模块输出基准电压vbg至运算放大器x1的同向输入端，所述运算放大器x1的输出端与mos管n0的栅极电性连接，所述mos管n0的漏极与mos管p0的栅极和漏极以及mos管p1的栅极电性连接，所述运算放大器x1的反向输入端和mos管n0的源极与电阻r0的一端电性连接，所述电阻r0的另一端接地；
8、所述mos管p0和mos管p1的源极与外部电源电性连接，
9、所述mos管p1的漏极与正温度系数第二电流支路的输出端和补偿支路的输入端电性连接。
10、进一步的，所述正温度系数第二电流支路包括mos管n1和mos管n2，所述带隙基准源模块输出与绝对温度成正比电流iptat至mos管n1的栅极和漏极、mos管n2的栅极，所述mos管n2的漏极与正温度系数第一电流支路的输出端和补偿支路的输入端电性连接，所述mos管n1和mos管n2的源极均接地。
11、进一步的，所述补偿支路包括mos管n4和mos管n5，所述mos管n4的漏极和栅极均与mos管n5的栅极、正温度系数第一电流支路的输出端和正温度系数第二电流支路的输出端电性连接，所述mos管n5的漏极与输出模块电性连接，所述mos管n4的源极和mos管n5的源极均接地。
12、进一步的，所述输出模块包括运算放大器x2、mos管n3、mos管p2、mos管p3和电阻r1、电阻r2；
13、所述带隙基准源模块输出基准电压vbg至运算放大器x2的同向输入端，所述运算放大器x2的输出端与mos管n3的栅极电性连接，所述mos管n3的漏极与mos管p2的栅极和漏极以及mos管p3的栅极电性连接，所述运算放大器x2的反向输入端和mos管n3的源极与电阻r1的一端电性连接，
14、所述mos管p2和mos管p3的源极与外部电源电性连接，
15、所述mos管p3的漏极与补偿支路的输出端和电阻r2的一端电性连接，并输出vref电压，所述电阻r1和电阻r2的另一端均接地。
16、进一步的，所述电阻r0、电阻r1和电阻r2均为负温度系数电阻。
17、进一步的，所述mos管p0、mos管p1、mos管p2和mos管p3满足下式：
18、(w/l)p0＝(w/l)p2＝(w/l)p3
19、(w/l)p1＝a*(w/l)p0
20、其中，a为比例系数，(w/l)p0为mos管p0的宽长比；(w/l)p1为mos管p1的宽长比；(w/l)p2为mos管p2的宽长比；(w/l)p3为mos管p3的宽长比。
21、进一步的，所述mos管n1、mos管n2、mos管n4和mos管n5满足下式：
22、(w/l)n2＝b*(w/l)n1
23、(w/l)n5＝c*(w/l)n4
24、其中，b和c为比例系数，(w/l)n1为mos管n1的宽长比；(w/l)n2为mos管n2的宽长比；(w/l)n4为mos管n4的宽长比；(w/l)n5为mos管n5的宽长比。
25、采用上述技术方案后，本技术与
技术介绍
相比，具有如下优点：
26、初始状态时，正温度系数第二电流支路的电流大于正温度系数第一支路的电流，此时无补偿电流；随着温度升高，当正温度系数第一电流支路的电流大于正温度系数第二电流支路的电流时，表明达到过温点，出现补偿电流，拉低vref电压，实现过温降电压的功能，若温度继续升高，则vref电压继续下降，直至vref电压降到零。根据不同的过温点，设置不同宽长比的mos管，可以精确控制过温点和关断温度点，并且可以灵活控制降电压斜率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过温降电压电路，其特征在于，包括带隙基准源模块、温度补偿模块和输出模块；
2.根据权利要求1所述的过温降电压电路，其特征在于：所述正温度系数第一电流支路包括运算放大器X1、mos管N0、mos管P0、mos管P1和电阻R0；
3.根据权利要求2所述的过温降电压电路，其特征在于：所述正温度系数第二电流支路包括mos管N1和mos管N2，所述带隙基准源模块输出与绝对温度成正比电流IPTAT至mos管N1的栅极和漏极、mos管N2的栅极，所述mos管N2的漏极与正温度系数第一电流支路的输出端和补偿支路的输入端电性连接，所述mos管N1和mos管N2的源极均接地。
4.根据权利要求3所述的过温降电压电路，其特征在于：所述补偿支路包括mos管N4和mos管N5，所述mos管N4的漏极和栅极均与mos管N5的栅极、正温度系数第一电流支路的输出端和正温度系数第二电流支路的输出端电性连接，所述mos管N5的漏极与输出模块电性连接，所述mos管N4的源极和mos管N5的源极均接地。
5.根据权利要求4所述的过温降电压电路，其特征在于：所述输出
6.根据权利要求5所述的过温降电压电路，其特征在于：所述电阻R0、电阻R1和电阻R2均为负温度系数电阻。
7.根据权利要求5所述的过温降电压电路，其特征在于：所述mos管P0、mos管P1、mos管P2和mos管P3满足下式：
8.根据权利要求5所述的过温降电压电路，其特征在于：所述mos管N1、mos管N2、mos管N4和mos管N5满足下式：
...【技术特征摘要】
1.一种过温降电压电路，其特征在于，包括带隙基准源模块、温度补偿模块和输出模块；
2.根据权利要求1所述的过温降电压电路，其特征在于：所述正温度系数第一电流支路包括运算放大器x1、mos管n0、mos管p0、mos管p1和电阻r0；
3.根据权利要求2所述的过温降电压电路，其特征在于：所述正温度系数第二电流支路包括mos管n1和mos管n2，所述带隙基准源模块输出与绝对温度成正比电流iptat至mos管n1的栅极和漏极、mos管n2的栅极，所述mos管n2的漏极与正温度系数第一电流支路的输出端和补偿支路的输入端电性连接，所述mos管n1和mos管n2的源极均接地。
4.根据权利要求3所述的过温降电压电路，其特征在于：所述补偿支路包括mos管n4和mos管n5，所述mos管n4的漏极和栅极均...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹祖扬，杨瑞聪，高耿辉，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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