【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种mems三轴amr磁力传感器的形成方法。
技术介绍
1、现有mems三轴amr磁力传感器的磁性材料层一般采用坡莫合金即铁镍(nife)合金形成，其保护层一般采用氮化钽tan形成，对于mems三轴amr磁力传感器产品来说，如图1和图2所示，在刻蚀深槽(>3um)的氮化钽tan过程中产生的tan聚合物(polymer)残留难于去除，严重时会导致良率较低。如图3所示，我们追溯polymer的来源，发现在刻蚀tan后，光刻胶(pr)的侧壁上就已经堆积了厚重的polymer。由此，清理polymer成为刻蚀后的首要任务，同时也是这层刻蚀的难点，我们需要一种新的方法来解决此问题。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种mems三轴amr磁力传感器的形成方法，用以有效去除沟槽底部聚合物残留，提高mems三轴amr磁力传感器的良率。
2、本专利技术提供一种mems三轴amr磁力传感器的形成方法，包括以下步骤：
3、步骤一、提供一具有沟槽的衬底结构，在所述衬底结构表面依次形成磁性材料层和保护层；
4、步骤二、采用光刻工艺形成光刻胶图形，并以所述光刻胶图形为掩膜对所述保护层进行刻蚀；
5、步骤三、利用入射角为70度的离子束蚀刻工艺对所述沟槽进行刻蚀以去除聚合物；
6、步骤四、进行灰化处理以去除所述光刻胶图形；
7、步骤五、湿法清洗所述沟槽；
8、
9、优选地，步骤一中所述磁性材料层为铁镍合金层。
10、优选地，步骤一中所述保护层为氮化钽层。
11、优选地，步骤一中所述保护层用于防止所述磁性材料层被氧化，所述沟槽的侧面上用于形成z轴amr磁力传感器。
12、优选地，步骤二中所述采用光刻工艺形成光刻胶图形包括淀积硬掩膜层、涂布光刻胶以及曝光显影步骤。
13、优选地，步骤二中所述光刻胶图形将mems三轴amr磁力传感器的形成区域覆盖以及将所述三轴amr磁力传感器的形成区域外打开，所述z轴amr磁力传感器的形成区域位于所述沟槽的侧面覆盖并延伸到所述沟槽外的所述衬底表面。
14、优选地，步骤三中所述聚合物由于刻蚀所述保护层所产生，包括形成于所述光刻胶侧壁的聚合物。
15、本专利技术的mems三轴amr磁力传感器的形成方法专门在刻蚀沟槽氮化钽tan后，利用入射角为70度的离子束蚀刻工艺对沟槽进行刻蚀以去除产生的聚合物，使得沟槽底部聚合物得以去除，有效的清理了深槽底部的聚合物残留，从而得到了良率大大提升的mems三轴amr磁力传感器产品。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述磁性材料层为铁镍合金层。
3.根据权利要求1所述的MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述保护层为氮化钽层。
4.根据权利要求1所述的MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述保护层用于防止所述磁性材料层被氧化，所述沟槽的侧面上用于形成Z轴AMR磁力传感器。
5.根据权利要求1所述的MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤二中所述采用光刻工艺形成光刻胶图形包括淀积硬掩膜层、涂布光刻胶以及曝光显影步骤。
6.根据权利要求1所述的MEMS三轴AMR磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤二中所述光刻胶图形将MEMS三轴AMR磁力传感器的形成区域覆盖以及将所述三轴AMR磁力传感器的形成区域外打开，所述Z轴AMR磁力传感器的形成区域位于所述沟槽的侧面覆盖并延伸到所述沟槽外的所述衬底表面。
7.根据
...【技术特征摘要】
1.一种mems三轴amr磁力传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的mems三轴amr磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述磁性材料层为铁镍合金层。
3.根据权利要求1所述的mems三轴amr磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述保护层为氮化钽层。
4.根据权利要求1所述的mems三轴amr磁力传感器的形成方法，其特征在于，步骤一中所述保护层用于防止所述磁性材料层被氧化，所述沟槽的侧面上用于形成z轴amr磁力传感器。
5.根据权利要求1所述的mems三轴amr磁力传感器...
【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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