【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种深沟槽隔离及其制造方法。
技术介绍
1、深沟槽隔离(deep trench isolation，dti)是集成电路制造中的隔离技术，利用光刻和刻蚀技术形成深度较大的沟槽，通常达到硅基底，有效防止器件之间的串扰和漏电，实现更高密度的器件布局。
2、请参阅图1，其示出了现有技术中的一种深沟槽隔离，其中各附图标记为：
3、101—p型衬底，102—n型埋层，103—p型外延上的n型深阱，104—浅沟槽隔离，105—深沟槽隔离，106—p型注入，107—n阱，108—n型重掺杂区。
4、该种结构的pn结击穿电压有限。
5、为解决上述问题，需要提出一种新型的深沟槽隔离及其制造方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种深沟槽隔离及其制造方法，用于解决现有技术中深沟槽隔离的pn结击穿电压有限的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种深沟槽隔离，包括：
3、p型的衬底，在所述衬底表面进行n型杂质注入形成有n型的埋层，在所述衬底上形成有p型的外延层，在所述外延层上形成有n型的深阱；
4、在所述深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；
5、在所述深阱上形成有深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；
6、在所述深沟槽的表面形成有均匀的n型掺杂层；
7、在所述深沟槽的底部形
8、形成于深阱上的n阱，所述n阱上形成有n型重掺杂区。
9、优选地，所述n型掺杂层的掺杂浓度低于所述p型掺杂层的掺杂浓度。
10、本专利技术还提供一种上述深沟槽隔离的制造方法，包括：
11、步骤一、提供p型的衬底，在所述衬底表面进行n型杂质注入形成n型的埋层，在所述衬底上形成p型的外延层，利用离子注入在所述外延层上形成n型的深阱；
12、步骤二、在所述深阱上形成浅沟槽隔离以定义出有源区，形成深沟槽，所述深沟槽自所述浅沟槽的隔离的上表面延伸至所述衬底上；
13、步骤三、在磷的气体氛围下进行热扩散，在所述深沟槽的表面形成均匀的n型掺杂层；
14、步骤四、利用离子注入在所述深沟槽的底部形成p型掺杂层，之后形成填充所述深沟槽的深沟槽隔离；
15、步骤五、利用光刻定义出阱注入区域，利用离子注入形成n阱，之后在所述n阱上形成n型重掺杂区。
16、优选地，步骤二中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：利用光刻、刻蚀的方法在所述深阱上形成浅沟槽，利用淀积、研磨的方法形成所述浅沟槽隔离。
17、优选地，步骤二中的所述刻蚀浅沟槽的方法为干法刻蚀。
18、优选地，步骤二中的所述研磨的方法为化学机械平坦化研磨。
19、优选地，步骤二中利用光刻、刻蚀的方法形成所述深沟槽。
20、优选地，步骤二中的所述刻蚀深沟槽的方法为干法刻蚀。
21、优选地，步骤四中利用淀积、研磨的方法形成所述深沟槽隔离。
22、优选地，步骤四中的所述研磨的方法为化学机械平坦化。
23、优选地，步骤四中的所述n型掺杂层的掺杂浓度低于所述p型掺杂层的掺杂浓度。
24、如上所述，本专利技术的深沟槽隔离及其制造方法，具有以下有益效果：
25、本专利技术提高了深沟槽隔离的pn结击穿电压。
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1.一种深沟槽隔离，其特征在于，包括：
2.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述N型掺杂层的掺杂浓度低于所述P型掺杂层的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：利用光刻、刻蚀的方法在所述深阱上形成浅沟槽，利用淀积、研磨的方法形成所述浅沟槽隔离。
5.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤二中利用光刻、刻蚀的方法形成所述深沟槽。
6.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤四中利用淀积、研磨的方法形成所述深沟槽隔离。
7.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述N型掺杂层的掺杂浓度低于所述P型掺杂层的掺杂浓度。
【技术特征摘要】
1.一种深沟槽隔离，其特征在于，包括：
2.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述n型掺杂层的掺杂浓度低于所述p型掺杂层的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的深沟槽隔离的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述浅沟槽隔离的形成方法包括：利用光刻、刻蚀的方法在所述深阱上形成浅沟槽，利用淀积、...
【专利技术属性】
技术研发人员：段文婷，胡君，房子荃，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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