【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基座，尤其，涉及一种保护冷却气孔免受粘结剂影响的基座的制造方法以及通过该方法制造的基座。
技术介绍
1、通常，以在玻璃基板、柔性基板或半导体晶圆基板上依次堆叠包括介电层和金属层的多个薄膜层，然后对其进行图案化的方式来制造半导体装置或显示装置。这些薄膜层通过化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)工艺或物理气相沉积(physicalvapor deposition，pvd)工艺依次沉积在基板上。所述cvd工艺包括低压化学气相沉积(lowpressure cvd，lpcvd)工艺、等离子体强化化学气相沉积(plasma enhanced cvd，pecvd)工艺、有机金属化学气相沉积(metal organic cvd，mocvd)工艺等。
2、在这种cvd装置和pvd装置中，设置有基座，该基座支撑玻璃基板、柔性基板、半导体晶圆基板等并用于半导体工艺。所述基座可以具有吸盘电极和发热线，所述吸盘电极安装在cvd装置和pvd装置中且用于支撑基板，所述发热线在热处理工艺等中用于加热基板。并且，所述基座具有高频(rf)电极替代发热线或者进一步具有高频(rf)电极，并用于在位于基板上的薄膜层的蚀刻工艺(etching process)等中形成等离子体。
3、在这种基座中，基底基材和与其粘合的绝缘板具有规定的冷却结构，以便使用外部冷却气体均匀地冷却绝缘板上的基板。通常，设置有冷却结构，以使设置在基底基材中的冷却气体流路与设置在绝缘板中的气孔连通。在使用液体粘合剂粘合这种
4、图1是用于说明传统的基座的基底基材20和绝缘板13的粘合方法的图。
5、参见图1，在传统的基座制造工艺中，在使用液体粘合剂12粘合具有气体流路21的基底基材20和具有气孔3的绝缘板13时，将绝缘套管(bushing)40插入气体流路21的端部，在其上覆盖粘接膜50，进行粘合工序，以防止液体粘合剂12渗透到气体流路21中，随后进一步增加适当的工序，以与气孔3连通。
6、然而，当在适用这种粘接膜50之后粘合基底基材20绝缘板13时，进行热固化，此时，粘接膜50由于热膨胀而隆起，从而无法完全防止粘合剂12渗透到气体流路21的现象。由此，这种结构可能会成为因气孔周围的污染等而导致的气体供应不良和颗粒(particle)的产生或电弧的产生等的原因。尤其，在高深宽比接触(high aspect ratio contact，harc)工艺用高功率基座等中这种问题尤为严重。
技术实现思路
1、要解决的技术问题
2、因此，本专利技术是为了解决上述问题而提出的，本专利技术的目的在于，提供一种基座的制造方法以及通过该方法制造的基座，在所述方法中，在基底基材和绝缘板的粘合结构中采用帽式套管结构物或管式结构物，从而能够承受在固化过程中气体流路内部的压力的增加或者可防止所述压力的增加，由此能够在高深宽比接触(high aspect ratio contact，harc)工艺用高功率基座等中防止气孔的堵塞现象，并且降低气孔周围的污染而使得电弧的产生最小化。
3、用于解决技术问题的技术手段
4、首先，总结本专利技术的特征如下。为了实现所述目的的本专利技术的一方面的基座的制造方法，可包括：插入步骤，在形成于向绝缘板的气孔延伸的气体流路的端部处的凹槽中插入帽式套管结构物；形成步骤，使用粘合剂在所述帽式套管结构物的周围形成粘合层；粘合步骤，将所述基底基材置于所述粘合层上并与所述绝缘板粘合，使得基底基材的气体流路的端部与所述帽式套管结构物接触；以及加工步骤，以使得在所述基底基材的所述气体流路下侧的所述帽式套管结构物中形成通孔的方式进行加工。
5、并且，根据本专利技术的另一方面的基座的制造方法，可包括：插入步骤，在形成于向绝缘板的气孔延伸的气体流路的端部处的凹槽中插入管式结构物；形成步骤，使用粘合剂形成粘合层，使其高度为所述管式结构物的端部高度以下；粘合步骤，在所述粘合层上粘合包括电极层的基底基材，并通过将所述管式结构物插入所述基底基材的气体流路来进行粘合；以及去除步骤，去除所述管式结构物。
6、在插入所述管式结构物的步骤中，可以先将具有通孔的套管结构物插入所述凹槽，然后在所述套管结构物的内侧插入管式结构物。
7、所述套管结构物可以与所述绝缘板的材料相同，即由陶瓷材料制成。
8、所述套管结构物可以具有延伸至所述绝缘板的所述凹槽的端部以上的高度。
9、所述管式结构物可以由塑料材料制成。
10、所述管式结构物的直径优选小于等于气体流路的端部的凹槽的直径，所述气体流路向所述绝缘板的气孔延伸。
11、所述管式结构物的直径优选小于等于所述套管结构物的内侧通孔的直径。
12、并且，根据本专利技术的另一方面的基座，可包括：基底基材，具有用于供应冷却气体的气体流路，绝缘板，固定在所述基底基材上且具有气孔，以及套管结构物，具有通孔，使得在所述基底基材和所述绝缘板之间连通所述气体流路和所述气孔；其中，所述套管结构物可以包括形成于所述通孔内壁的螺丝锥。
13、所述螺丝锥的用途可以是在制造工艺中与防止粘合剂渗透用管式结构物螺钉紧固。
14、专利技术效果
15、根据本专利技术的基座的制造方法以及通过该方法制造的基座，在基底基材和绝缘板的粘合结构中采用帽式套管结构物或管式结构物，从而在固化过程中，能够承受气体流路内部的压力的增加或者可防止所述压力的增加，由此能够在高深宽比接触(high aspectratio contact，harc)工艺用高功率基座等中防止气孔的堵塞现象，并且降低气孔周围的污染而使得电弧的产生最小化。
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1.一种基座的制造方法，其中，
2.根据权利要求1所述的基座的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的基座的制造方法，其中，
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【技术特征摘要】
1.一种基座的制造方法，其中，
2.根据权利要求1所述的基座的制造方法，其中，
3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：池珉皓，成基明，
申请(专利权)人：美科陶瓷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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