【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于铜箔加工领域，特别涉及一种载体铜箔及其覆铜板的制备方法。
技术介绍
1、随着1946年人类专利技术电子计算机开始，电子设备终端的功能被不断丰富，设备算力也在飞速提升，高度集成化与精密化从始至终都是电子电路行业一直追求的目标。铜箔作为pcb线路板的基础材料，其厚度、粗糙度、抗拉强度、延伸率等都会影响pcb加工与使用性能，其中铜箔厚度对pcb产品的线宽线距影响尤为显著，如今厚度小于5μm载体铜箔技术的发展使得集成化、精密化的线路板生产站上新的台阶。
2、受限于压延铜箔和传统电解铜箔的生产工艺，当铜箔厚度小于5μm时由于其自身力学性能的不足，铜箔的生产、储存、运输过程会变得异常困难。于是人们考虑到将厚度小于5μm的超薄铜箔依附在常规厚度铜箔(如：18μm)上一同生产出来，当铜箔运送到下游厂家使用时再将常规厚度铜箔剥离就完成了超薄铜箔的使用，这种铜箔被称为载体铜箔。
3、经过几十年的发展，现阶段载体铜箔有35+5μm、18+1.5μm、18+2μm、18+3μm等多种规格，其结构都包括作为支撑体的载体铜层、提供可剥离性能的剥离层、作为使用主体的超薄铜层以及其表面的铜瘤处理层。载体铜箔厚度规格在铜箔生产时就已定型，下游加工时无法对超薄铜层厚度进行灵活调整。可想而知当超薄铜箔厚度继续减薄或其他表面处理工艺开始有所区分时载体铜箔规格会越来越多，加上载体铜箔高昂的售价，将大大延长测试周期及使用门槛。其次，载体铜箔的核心技术在于剥离层的构建，优异的剥离层结构在常温下及高温压板后层间分离力均匀，超薄铜层受到的撕
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种载体铜箔及其覆铜板的制备方法，该方法避免了超薄铜层与载体铜层的剥离步骤，减少了超薄铜层表面缺陷和异常的产生。
2、本专利技术提供了一种载体铜箔的制备方法，包括如下步骤：
3、(1)制备作为支撑体的载体铜层，采用硫酸及双氧水混合溶液对载体铜层进行预处理；
4、(2)采用非铜金属电镀处理技术在上述载体铜层表面电化学沉积剥离层；
5、(3)在沉积了剥离层的载体铜层表面进行粗糙化处理，最后对载体铜层表面进行硅烷涂覆处理，得到载体铜箔。
6、优选地，所述步骤(1)中的载体铜层厚度在12-35μm之间，铜层光面粗糙度rz介于0.9-1.5μm之间。
7、优选地，所述步骤(1)中的硫酸及双氧水混合溶液浓度介于40-80g/l之间，双氧水与硫酸的体积比介于0.1-0.3之间，预处理时间介于5-10s之间。
8、优选地，所述步骤(2)中的非铜金属电镀处理技术具体为：利用直流电源对经预处理后的载体铜层表面进行2-5次的非铜金属沉积，电流密度介于0.15-1.00a/dm2之间，电解液温度为40-50℃；在非铜金属沉积完成后在其表面涂覆有机剥离层，热风箱烘烘烤温度为150-180℃。
9、优选地，所述有机剥离层为甲基丙烯酸氯化铬、二烷基二硫代磷酸氧钼、二氯乙基铝中的一种或几种，每种添加剂的浓度在5-40ppm之间。
10、优选地，所述步骤(3)中的粗糙化处理具体为：在含有添加剂的电镀液中对载体铜层表面进行2-6次的粗化和固化处理，粗化电流密度在14-30a/dm2之间，固化电流密度在12-45a/dm2之间，粗化和固化电流比例在0.7-1.5之间。
11、优选地，所述步骤(3)中的硅烷涂覆处理的工艺条件为：硅烷浓度在0.9±0.1wt％，热风箱烘烤温度为120-130℃。
12、优选地，所述硅烷涂覆处理所使用的硅烷偶联剂为kh-550、kbm-403、kbm-903的一种或几种。
13、优选地，所述载体铜层的处理面粗糙度rz介于0.6-1.5μm之间，在其处理面附着剥离层后粗糙度rz介于0.6-1.6μm之间，成品载体铜箔粗糙化处理面粗糙度rz介于1.3-2.5μm之间。
14、优选地，所述载体铜箔粗糙化处理面铜瘤密集分布，表面特征峰的平均曲率半径spc在57.7-112.1 1/mm之间，峰点的表面特征密度spd在33100-74100 1/mm2之间，铜牙高度在0.5-1.5μm之间。
15、本专利技术还提供了一种覆铜板的制备方法，包括如下步骤：
16、(1)将得到的载体铜箔与树脂板材贴合进行板材热压合处理；
17、(2)将载体铜箔与树脂板材剥离，保留嵌入树脂的粗糙化铜瘤，得到嵌入粗糙化铜瘤的树脂板材；
18、(3)在嵌入粗糙化铜瘤的树脂板材表面电沉积超薄铜层，得到覆铜板。
19、优选地，所述步骤(1)中的热压合处理的工艺条件为：温度为200-240℃，压力为40-45kgf/m2。
20、优选地，所述步骤(2)中的剥离的工艺条件为：角度为90°，剥离线速度为40-60mm/min。
21、优选地，所述步骤(3)中的超薄铜层厚度为1.0-5.0μm。
22、优选地，所述步骤(3)中的电沉积的工艺条件为：电解液温度为50±1℃，电沉积电流密度介于150-400a/dm2之间。
23、本专利技术还提供了一种覆铜板，由上述制备方法制得。
24、有益效果
25、本专利技术载体铜箔只包含载体铜层、剥离层和表面处理铜层，超薄铜层是在与树脂压合及剥离后电沉积制得。本专利技术提出的制备技术具备以下特征：1.较高的载体铜层厚度兼容性，载体铜层厚度在12-35μm之间，表面粗糙度rz在0.6-1.5μm之间拓宽了载体的使用类型；2.简化的载体铜箔结构，减少了冗长的生产流程。区别于常规载体铜箔结构，本专利技术在成品铜箔中仅包含载体铜层、剥离层及粗糙化处理层，与树脂板材压合后仅表面处理层铜瘤嵌入树脂，剥离层、载体铜层与树脂分离；3.密集的表面铜瘤分布，为保证后续加厚过程的稳定进行，粗糙化后的铜瘤结构紧凑，其粗糙度rz介于1.3-2.5μm之间，sz介于1.2-4.0μm之间，表面特征峰的平均曲率半径spc在57.7-112.1 1/mm之间，峰点的表面特征密度spd在33100-74100 1/mm2之间，铜牙高度在0.5-1.5μm之间；4.较高的抗剥离强度，成品箔与双马来酰亚胺三嗪bt树脂板材在240℃下，以45kgf/m2压力层压4h后得到的覆铜板加厚至35μm，其抗剥离强度不低于0.6n/mm；5.优异的超薄铜层性能调控，超薄铜层的构建在板材压合后进行，根据msap工艺的需要其厚度可灵活加厚至1.5-5.0μm之间，扩大了同款载体铜箔的兼容性，又避免了超薄铜层与载体铜层的分离步骤，减少了超薄铜层因分离造成的表面缺陷。
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1.一种载体铜箔的制备方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的载体铜层厚度在12-35μm之间，铜层光面粗糙度Rz介于0.9-1.5μm之间。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的非铜金属电镀处理技术具体为：利用直流电源对经预处理后的载体铜层表面进行2-5次的非铜金属沉积，电流密度介于0.15-1.00A/dm2之间，电解液温度为40-50℃；在非铜金属沉积完成后在其表面涂覆有机剥离层，热风箱烘烘烤温度为150-180℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的粗糙化处理具体为：在含有添加剂的电镀液中对载体铜层表面进行2-6次的粗化和固化处理，粗化电流密度在14-30A/dm2之间，固化电流密度在12-45A/dm2之间，粗化和固化电流比例在0.7-1.5之间。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的硅烷涂覆处理的工艺条件为：硅烷浓度在0.9±0.1wt％，热风箱烘烤温度为120-130℃。
6.
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的热压合处理的工艺条件为：温度为200-240℃，压力为40-45kgf/m2。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的超薄铜层厚度为1.0-5.0μm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的电沉积的工艺条件为：电解液温度为50±1℃，电沉积电流密度介于150-400A/dm2之间。
10.一种覆铜板，其特征在于：由如权利要求6-9中任一项制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种载体铜箔的制备方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中的载体铜层厚度在12-35μm之间，铜层光面粗糙度rz介于0.9-1.5μm之间。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的非铜金属电镀处理技术具体为：利用直流电源对经预处理后的载体铜层表面进行2-5次的非铜金属沉积，电流密度介于0.15-1.00a/dm2之间，电解液温度为40-50℃；在非铜金属沉积完成后在其表面涂覆有机剥离层，热风箱烘烘烤温度为150-180℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的粗糙化处理具体为：在含有添加剂的电镀液中对载体铜层表面进行2-6次的粗化和固化处理，粗化电流密度在14-30a/dm2之间，固化电流密度在12-45a/dm2之间，粗化和固化...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊宏旭，张杰，邵广俊，杨红光，金荣涛，
申请(专利权)人：九江德福科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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