【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及集成电路，尤其涉及一种基准电路。
技术介绍
1、基准源模块广泛的应用于模拟和混合电路中，其输出的基准信号稳定，与电源电压、温度以及工艺的变化无关。系统级芯片的很多模块都需要基准源来提供稳定的电压或电流，因此基准源的电路设计成了整个芯片设计的关键。
2、现有技术中，基准源源中需要生成百纳安量级的基准电流，并基于该基准电流生成基准电压。然而，由于生成的基准电流较大，因此导致电路功耗较大。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种基准电路，能够产生纳安量级的基准电流，从而可以降低电路功耗。
2、第一方面，本公开提供了一种基准电路，包括：启动模块、电流源模块和带隙模块。
3、所述启动模块的输出端连接所述电流源模块的输入端，所述电流源模块的输出端连接所述带隙模块的输入端和所述启动模块的输入端，所述带隙模块的输出端连接所述基准电路的输出端，所述启动模块的电源端、所述电流源模块的电源端和所述带隙模块的电源端连接电源。
4、所述启动模块被配置为，在所述电源上电后启动所述电流源模块。所述电流源模块被配置为，在启动完成后生成纳安na量级的基准电流，并控制所述启动模块停止工作。所述带隙模块被配置为，根据所述基准电流生成零温度系数的带隙基准电压。
5、在本公开的一些实施例中，所述电流源模块包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、第一晶体管和第二晶体管。
6、所述第一电流镜单元输入端连接所述电源，所述第一电流镜单元的第一输
7、所述第二电流镜单元的第一输出端接地，所述第二电流镜单元的第二输出端连接所述第二晶体管的第二端，所述第二晶体管的第一端和所述第一晶体管的第一端接地。
8、在本公开的一些实施例中，所述第一电流镜单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管。
9、所述第三晶体管的第一端、所述第四晶体管的第一端和所述第五晶体管的第一端连接所述电源，所述第三晶体管的控制端连接所述第四晶体管的控制端、所述第四晶体管的第二端、所述第五晶体管的控制端、所述第二电流镜单元的第二输入端、所述启动模块的输入端和所述带隙模块的输入端，所述第三晶体管的第二端连接所述第一晶体管的第二端、所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端，所述第五晶体管的第二端连接所述第二电流镜单元的第一输入端、所述第二电流镜单元的控制端和所述启动模块的输出端。
10、在本公开的一些实施例中，所述第二电流镜单元包括第六晶体管和第七晶体管。
11、所述第六晶体管的第一端连接所述第二晶体管的第二端，所述第六晶体管的第二端连接所述第一镜像单元的第二输出端，所述第六晶体管的控制端连接所述第七晶体管的控制端、所述第七晶体管的第二端、所述第一镜像单元的第一输出端和所述启动模块的输出端，所述第七晶体管的第一端接地。
12、在本公开的一些实施例中，所述第一晶体管工作在饱和区，所述第二晶体管工作在线性区，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管工作在亚阈值区。
13、在本公开的一些实施例中，所述基准电流表示为：
14、
15、其中，i为所述基准电流，nc为工艺系数，vt为热电压，μnm2为所述第二晶体管的电子迁移率，coxm2为所述第二晶体管的单位面积栅氧化层的电容值，wm2/lm2为所述第二晶体管的宽长比，s2表示为：
16、
17、其中，wm1/lm1为所述第一晶体管的宽长比，wm3/lm3为所述第三晶体管的宽长比，wm4/lm4为所述第四晶体管的宽长比，μnm1为所述第一晶体管的电子迁移率，coxm1为所述第一晶体管的单位面积栅氧化层的电容值；
18、s1表示为：
19、
20、其中，wm6/lm6为所述第六晶体管的宽长比，wm7/lm7为所述第七晶体管的宽长比，wm5/lm5为所述第五晶体管的宽长比。
21、在本公开的一些实施例中，所述启动模块包括第八晶体管、第九晶体管和晶体管组件。
22、所述第八晶体管的第一端和所述第九晶体管的第一端连接所述电源，所述第八晶体管的第二端连接所述第九晶体管的控制端和所述晶体管组件的输入端，所述第八晶体管的控制端连接所述电流源模块的输出端，所述第九晶体管的第二端连接所述电流源模块的输入端，所述晶体管组件的输出端接地。
23、所述晶体管组件被配置为，在所述电流源模块启动完成后，拉高所述第九晶体管的控制电压，以控制所述第九晶体管关断。
24、在本公开的一些实施例中，所述晶体管组件包括多个串联的二极管接法的晶体管。
25、在本公开的一些实施例中，所述启动模块还包括电容。
26、所述电容的第一极板连接所述第八晶体管的第二端、所述第九晶体管的控制端和所述晶体管组件的输入端，所述电容的第二极板接地。
27、第二方面，本公开提供了一种芯片，包括第一方面提供的任一基准电路。
28、本公开实施例的技术方案中，基准电路包括启动模块、电流源模块和带隙模块，启动模块可以在电源上电后启动电流源模块，电流源模块可以在启动完成后生成na量级的基准电流，并控制启动模块停止工作，带隙模块可以根据基准电流生成零温度系数的带隙基准电压。如此，在启动完成后电流源模块可以生成na量级的基准电流，从而能够降低电路功耗，在启动完成后启动模块停止工作，能够进一步降低电路功耗。
29、上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
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1.一种基准电路，其特征在于，包括：启动模块、电流源模块和带隙模块；
2.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述电流源模块包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、第一晶体管和第二晶体管；
3.根据权利要求2所述的基准电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；
4.根据权利要求3所述的基准电路，其特征在于，所述第二电流镜单元包括第六晶体管和第七晶体管；
5.根据权利要求4所述的基准电路，其特征在于，所述第一晶体管工作在饱和区，所述第二晶体管工作在线性区，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管工作在亚阈值区。
6.根据权利要求5所述的基准电路，其特征在于，所述基准电流表示为：
7.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述启动模块包括第八晶体管、第九晶体管和晶体管组件；
8.根据权利要求7所述的基准电路，其特征在于，所述晶体管组件包括多个串联的二极管接法的晶体管。
9.根据权利要求7所述的基准电路，其特征在于
10.根据权利要求1-9任一项所述的基准电路，其特征在于，所述带隙模块包括第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管；
...【技术特征摘要】
1.一种基准电路，其特征在于，包括：启动模块、电流源模块和带隙模块；
2.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述电流源模块包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、第一晶体管和第二晶体管；
3.根据权利要求2所述的基准电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；
4.根据权利要求3所述的基准电路，其特征在于，所述第二电流镜单元包括第六晶体管和第七晶体管；
5.根据权利要求4所述的基准电路，其特征在于，所述第一晶体管工作在饱和区，所述第二晶体管工作在线性区，所述第三晶体管、所述第四晶体管、...
【专利技术属性】
技术研发人员：简元凯，李精文，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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