【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏电池，特别是涉及一种扩散方法及太阳能电池。
技术介绍
1、硼扩散（boron diffusion）是光伏电池片制造工艺中常用的技术，该技术用于在硅晶片中引入硼原子，以形成p型掺杂区域。
2、以n型topcon电池片为例，硼扩散原理为通过高温下 bcl3在高温与o2反应生成cl2和b2o3，生成的b2o3在扩散温度下与硅反应，生成sio2和b原子在硅片表面形成一层硼硅玻璃，然后硼原子继续扩散至硅片中形成一定结深和杂质梯度分布的p型层，即可和n型硅衬底在界面处形成pn结。
3、但是，现有硼扩散工艺所制备的硼扩散层硼掺杂浓度较高、方阻较小且pn结较深，使得载流子俄歇复合较大、少数载流子传输距离较远，容易造成光伏电池的开路电压及短路电流较低，影响光电转换效率。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题是提供一种扩散方法及太阳能电池，以解决现有扩散工艺所制备的硼扩散层浓度过高、方阻较小且pn结较深的问题。
2、为了解决上述问题，本申请是通过如下技术方案实现的：
3、本申请提出了一种扩散方法，其中，包括：
4、将硅片置于扩散炉中，并在温度为820~840℃、氧气流量为200~500sccm、氮气流量为2000~3000sccm的条件下，对所述硅片进行前氧化处理200~240s；
5、在前氧化处理后，在温度为750~860℃、硼源流量和氧气流量的比例为1：3~1：4的条件下，对所述硅片进行预沉积处理100~1
6、在预沉积处理后，在温度为840~900℃、硼源流量和氧气流量的比例为1：3~1：4的条件下，对所述硅片进行二次沉积处理100~160s；
7、在二次沉积处理后，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结，制得硼扩散层。
8、可选地，所述的扩散方法中，预沉积处理的氧气流量为480~510sccm、硼源流量为160~180sccm；
9、二次沉积氧气流量为480~510sccm、硼源流量为160~180sccm。
10、可选地，所述的扩散方法中，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结，包括：
11、在温度为870~925℃、氮气流量为1000~3000sccm的氮气、氧气流量为0~3000sccm、压力为120~180mbar的条件下推结3~10min。
12、可选地，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结之前，所述方法还包括：
13、在温度为850~950℃、氮气流量为100~800sccm、压力为120~180mbar的条件，对二次沉积处理后的所述硅片进行吹扫。
14、可选地，在对所述硅片进行二次沉积处理之前，所述方法还包括：
15、在氮气流量为2000~3000sccm、压力为120~180mbar的条件下，将预沉积处理后的所述硅片升温至840~900℃。
16、可选地，所述的扩散方法中，所述硼源包括三溴化硼、三氯化硼中的至少一种。
17、可选地，在对所述硅片进行前氧化处理之前，所述方法还包括：
18、控制扩散炉温度为750~860℃，并控制压力降至100~200mbar的条件下，排空所述扩散炉。
19、可选地，在对所述硅片进行推结后，所述方法还包括：
20、控制所述扩散炉降温至850~880℃后，向扩散炉中通入氮气，并在内外气压相同时，取出形成有所述硼扩散层的硅片。
21、可选地，所述的扩散方法中，在控制所述扩散炉进行降温至850~880℃的过程中，氮气流量为8000~15000sccm，并控制压力为500~800mbar。
22、本申请还提出了一种太阳能电池，包括硅基底，硅基底具有相对设置的第一表面和第二表面；
23、扩散层，由上述的扩散方法形成，位于所述第一表面，且与所述第一表面共顶面；
24、钝化层，设置于所述扩散层上；
25、减反射层，设置于所述钝化层上。
26、可选地，所述的太阳能电池中，所述扩散层的方阻为150~200ω/sq。
27、可选地，所述的太阳能电池中，沿所述硅基底厚度方向，所述扩散层的宽度为0.65~0.85 um。
28、可选地，所述的太阳能电池中，所述扩散层表面的硼掺杂浓度为(1e+18)/cm3~(4.0e+20)/cm3。
29、与现有技术相比，本申请包括以下优点：
30、本申请所提供的扩散方法中，先将硅片置于扩散炉中，并在温度为820~840℃、氧气流量为200~500sccm、氮气流量为2000~3000sccm的条件下，对硅片进行前氧化处理200~240s；然后在温度为750~860℃、硼源流量和氧气流量的比例为1：3~1：4的条件下，对硅片进行预沉积处理100~160s；再在温度为840~900℃、硼源流量和氧气流量的比例为1：3~1：4的条件下，对硅片进行二次沉积处理120~140s；最后在850~950℃的温度条件下对硅片进行推结，制得硼扩散层；其中，通过上述前氧化处理、预沉积、二次沉积以及推结处理的综合作用下，能够使得硼源掺杂浓度降低、扩散均匀及扩散方阻增高，同时pn结分布变浅，有效改善现有硼扩散工艺中pn结过深导致的死层、复合中心聚集发暗以及电流电压偏低等情况，提高了电池片的开路电压、短路电流以及光电转换效率。
31、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
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1.一种扩散方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，预沉积处理的氧气流量为480~510sccm、硼源流量为160~180sccm；
3.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结，包括：
4.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在对所述硅片进行二次沉积处理之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述硼源包括三溴化硼、三氯化硼中的至少一种。
7.根据权利要求1~6任一所述的扩散方法，其特征在于，在对所述硅片进行前氧化处理之前，所述方法还包括：
8.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在对所述硅片进行推结后，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的扩散方法，其特征在于，在控制所述扩散炉进行降温至850~880℃的过程中，氮气流量为8000~15000
10.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，硅基底具有相对设置的第一表面和第二表面；
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述扩散层的方阻为150~200Ω/sq。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述硅基底厚度方向，所述扩散层的宽度为0.65~0.85 um。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述扩散层表面的硼掺杂浓度为(1E+18)/cm3~(4.0E+20)/cm3。
...【技术特征摘要】
1.一种扩散方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，预沉积处理的氧气流量为480~510sccm、硼源流量为160~180sccm；
3.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结，包括：
4.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在850~950℃的温度条件下对所述硅片进行推结之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，在对所述硅片进行二次沉积处理之前，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述硼源包括三溴化硼、三氯化硼中的至少一种。
7.根据权利要求1~6任一所述的扩散方法，其特征在于，在对所述硅片进行前氧化处理之前，所述方法还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：姚建利，相荣，赵淼，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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