【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种整流器。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历快速增长。ic材料及设计的技术进步产生了一代又一代的ic。每一代均具有比上一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步会增加处理及制造ic的复杂性。在ic发展的过程中，功能密度(即，每一晶片面积的互连装置的数目)一般增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或接线))减少。这种按比例缩小的过程一般通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。然而，由于特征尺寸不断减小，制造工艺继续变得更加难以执行。因此，以越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置是一挑战。
技术实现思路
1、在本揭露的一些实施例中，整流器包括基板、第一晶体管、第二晶体管、第一栅极接触插座、第一源极接触插座，第一金属接线、及电感器。第一晶体管在基板上方并包括第一栅极结构、以及在基板中且在第一栅极结构的相对侧上的第一源极区及第一漏极区。第二晶体管在基板上方并包括第二栅极结构、以及在基板中且在第二栅极结构的相对侧上的第二源极区及第二漏极区。第一栅极接触插座电连接至第一栅极结构。第一源极接触插座电连接至第一源极区。第一金属接线与第一栅极接触插座的顶表面及第一源极接触插座的顶表面接触。电感器电连接至第一晶体管的第一漏极区及第二晶体管的第二源极区。
2、在本揭露的一些实施例中，整流器包括基板、高侧晶体管、低侧晶体管、及电感器。高侧晶体管在基板上方并包括第一栅极结构、在基板中且在第一栅极结构的相对侧上的第一源极区及
3、在本揭露的一些实施例中，整流器包括基板、高侧晶体管、低侧晶体管、及电感器。高侧晶体管在基板上方并包括第一栅极结构、在基板中且在第一栅极结构的相对侧上的第一源极区及第一漏极区、以及在基板中且沿着第一方向侧向相邻于第一源极区的第一拾取区。低侧晶体管在基板上方并包括第二栅极结构、在基板中且在第二栅极结构的相对侧上的第二源极区及第二漏极区。电感器电连接至高侧晶体管的第一源极区及低侧晶体管的第二漏极区。第一栅极结构包含第一栅极介电质和相邻于第一栅极介电质的第二栅极介电质，其中第一栅极介电质比第二栅极介电质厚。
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1.一种整流器，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，其中该第一晶体管进一步包含在该基板中的一拾取区，该拾取区与该第一源极区具有相反的导电型，且该整流器进一步包含电连接至该拾取区的一拾取接触插座，其中该第一金属接线亦与该拾取接触插座的一顶表面接触。
3.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，其中，
4.如权利要求3所述的整流器，其特征在于，其中该第一拾取区与该第一栅极结构之间的一侧向距离大于该第二拾取区与该第二栅极结构之间的一侧向距离。
5.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，进一步包含：
6.一种整流器，其特征在于，包含：
7.如权利要求6所述的整流器，其特征在于，进一步包含：
8.如权利要求6所述的整流器，其特征在于，进一步包含：
9.如权利要求6所述的整流器，其特征在于，进一步包含：
10.一种整流器，其特征在于，包含：
【技术特征摘要】
1.一种整流器，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，其中该第一晶体管进一步包含在该基板中的一拾取区，该拾取区与该第一源极区具有相反的导电型，且该整流器进一步包含电连接至该拾取区的一拾取接触插座，其中该第一金属接线亦与该拾取接触插座的一顶表面接触。
3.如权利要求1所述的整流器，其特征在于，其中，
4.如权利要求3所述的整流器，其特征在于，其中该第一拾取区与该第一栅极结构之...
【专利技术属性】
技术研发人员：桂林春，张成林，陆胜天，鲁建华，李连杰，
申请(专利权)人：台积电中国有限公司，
类型：新型
国别省市：
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