【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基座，尤其涉及基座制造方法以及使用该方法制造的基座。基座可以是使用等离子体来处理晶片的晶片处理设备中的部件。
技术介绍
1、在晶片处理设备中，基座可用于在处理期间加热和支撑晶片。
2、在晶片支撑件下方，杆可以连接到基部中的电极，该电极是从rf网或加热元件到杆的连接部分。
3、然而，这种电极-杆连接可能由于热膨胀、冷却收缩和物理应力而退化，而这些可能是由物理运动引起的，并且退化可能导致电极和杆之间的物理断开和/或结合丧失。
4、为了将断开的风险降至最低，最好使用与杆接触面积大的大电极。当电极与杆具有大的接触面积时，发热过程中的阻抗将降低，从而增强rf网或加热元件与杆之间的结合。
5、然而，较大的电极比传统电极更难制造，因为在顶点出现裂纹的风险要高得多，尤其是在陶瓷材料内部烧结时。
6、因此，本公开提出了一种用于制造无裂纹的较大电极的方法以及由该方法制造的电极。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、根据一实施例，可以提供一种提供稳定连接器的方法，该连接器将加热元件连接至沉积设备中的杆，该方法包括：在陶瓷材料内部形成圆顶形电极连接器；钻出陶瓷材料的一部分以及圆顶形电极连接器的一部分，以使电极连接器平整；并且将杆
3、在至少一个方面，圆顶形电极连接器的长度等于或大于5mm。
4、在至少一个方面，杆的宽度等于或小于圆顶形电极连接器的长度。
5、根据一实施例，可以提供一种具有用于连接电极和杆的稳定电极连接空间的衬底处理设备，该设备包括：室，由围绕室的壁限定；喷淋头，设置在室的上侧；基座，配置成支撑衬底，基座包括多个射频(rf)网、多个加热元件、杆和电极连接器，其中杆连接到电极连接器，并且电极连接器的宽度大于杆的直径。
6、在至少一个方面，杆包括加热杆和rf杆。
7、在至少一个方面，rf杆连接到电极连接器。
8、在至少一个方面，电极连接器用上面定义的方法制造。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种提供稳定连接器的方法，该连接器将加热元件连接至沉积设备中的杆，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.一种具有用于连接电极和杆的稳定电极连接空间的衬底处理设备，该设备包括：
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中，所述杆包括加热杆和RF杆。
6.根据权利要求5所述的衬底处理设备，其中，所述RF杆连接到所述电极连接器。
7.根据权利要求4所述的衬底处理设备，其中，所述电极连接器通过根据权利要求1-3中任一项所述的方法制造。
【技术特征摘要】
1.一种提供稳定连接器的方法，该连接器将加热元件连接至沉积设备中的杆，该方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
4.一种具有用于连接电极和杆的稳定电极连接空间的衬底处理设备，该设备包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋昊延，G·克里什纳，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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