【技术实现步骤摘要】
本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体工艺的不断演进，存储器装置中的半导体结构将面临挑战。对于半导体元件而言，与动态随机存取存储器(dram)中的主动区域相关的工艺至关重要，因为它决定了半导体元件的性能和良率的提升。
2、然而，传统方法带来主动区域的圆化样式(rounding scheme)。这可能导致主动区域与接触件接触的接触面积减少，从而导致半导体元件的电性能劣化。根据之前的实验，虽然减少湿式清洁(wet cleaning)主动区域的时间可以缓解主动区域的圆化问题，但浅沟槽隔离(sti)的损耗问题仍未解决。
技术实现思路
1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可有解决上述问题的半导体元件及其制造方法。
2、为了达到上述目的，依据本揭露的一实施方式，一种半导体元件的制造方法包含：提供半导体结构，其中半导体结构进包含具有数个沟槽的硅基板以及填充于沟槽中并覆盖硅基板的氧化物材料，且沟槽定义数个岛状结构；形成垫状氧化物层于氧化物材料的顶部，其中垫状氧化物层位于硅基板上方；以及去除垫状氧化物层，致使氧化物材料的顶面与岛状结构的顶面共平面。
3、于本揭露的一或多个实施方式中，岛状结构的每一者具有在20纳米与30纳米的范围内的宽度。
4、于本揭露的一或多个实施方式中，形成垫状氧化物的步骤通过离子注入工艺来执行。
5、于本揭露的一或多个实施方式中，形成垫状氧化物的步骤通过将碳离子植入氧化物材料的顶部来执行
6、于本揭露的一或多个实施方式中，垫状氧化物原位地(in situ)形成于氧化物材料的顶部上。
7、于本揭露的一或多个实施方式中，执行形成垫状氧化物的步骤致使氧化物材料的顶面具有在20纳米与30纳米之间的范围内的宽度。
8、于本揭露的一或多个实施方式中，半导体元件的制造方法进一步包含执行于提供半导体结构的步骤之后的平坦化半导体结构的步骤。
9、于本揭露的一或多个实施方式中，执行平坦化半导体结构的步骤致使氧化物材料的顶面与岛状结构的顶面平行。
10、于本揭露的一或多个实施方式中，提供半导体结构的结构进一步包含形成填充材料于氧化物材料上。
11、于本揭露的一或多个实施方式中，执行形成填充材料于氧化物材料上的步骤致使沟槽被氧化物材料以及填充材料完全填充。
12、于本揭露的一或多个实施方式中，填充材料由氮化物组成。
13、于本揭露的一或多个实施方式中，半导体元件的制造方法进一步包含执行于形成填充材料的步骤之后的平坦化半导体结构的步骤。
14、于本揭露的一或多个实施方式中，执行平坦化半导体结构的步骤致使氧化物材料的顶面与填充材料的顶面共平面。
15、于本揭露的一或多个实施方式中，去除垫状氧化物层的步骤通过湿蚀刻工艺来执行。
16、于本揭露的一或多个实施方式中，去除垫状氧化物层的步骤通过使用氢氟酸来执行。
17、为了达到上述目的，依据本揭露的一实施方式，一种半导体元件包含硅基板以及氧化物材料。硅基板具有数个沟槽，且沟槽定义数个岛状结构。氧化物材料填充沟槽，致使氧化物材料的顶面与岛状结构的顶面共平面。岛状结构的每一者具有侧面以及连接于顶面与侧面之间的圆角边缘，且圆角边缘的曲率半径小于或等于2.3纳米。
18、于本揭露的一或多个实施方式中，氧化物材料的顶面与岛状结构的顶面共平面。
19、于本揭露的一或多个实施方式中，岛状结构的每一者具有在20纳米与30纳米之间的范围内的宽度。
20、于本揭露的一或多个实施方式中，半导体元件进一步包含填充材料于氧化物材料上。
21、于本揭露的一或多个实施方式中，填充材料以及氧化物材料完全填充沟槽。
22、综上所述，本揭露的半导体元件及其制造方法提供了没有圆化问题的岛状结构。在本揭露的半导体元件及其制造方法中，由于垫状氧化物层形成于半导体结构的顶部并覆盖岛状结构，因此可以减少氧化物材料的损耗，从而防止岛状结构的圆化。本揭露的半导体元件及其制造方法中，由于垫状氧化物层是在氧化物材料的顶部原位形成的，因此不需要额外的材料，从而提高了整个半导体元件的电性能。综上所述，本揭露的半导体元件的制造方法提高了整个半导体元件的整体电性能。
23、以上所述仅用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本揭露的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
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1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个岛状结构的每一者具有在20纳米与30纳米的范围内的宽度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述垫状氧化物的步骤通过离子注入工艺来执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述垫状氧化物的步骤通过将碳离子植入所述氧化物材料的所述顶部来执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垫状氧化物原位地形成于所述氧化物材料的所述顶部上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述形成所述垫状氧化物的步骤致使所述氧化物材料的顶面具有在20纳米与30纳米之间的范围内的宽度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含执行于所述提供所述半导体结构的步骤之后的平坦化所述半导体结构的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，执行所述平坦化所述半导体结构的步骤致使所述氧化物材料的所述顶面与所述多个岛状结构的所述顶面平行。
9.根据权利要求1所
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，执行所述形成所述填充材料于所述氧化物材料上的步骤致使所述多个沟槽被所述氧化物材料以及所述填充材料完全填充。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述填充材料由氮化物组成。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包含执行于所述形成所述填充材料的步骤之后的平坦化所述半导体结构的步骤。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，执行所述平坦化所述半导体结构的步骤致使所述氧化物材料的所述顶面与所述填充材料的顶面共平面。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述垫状氧化物层的步骤通过湿蚀刻工艺来执行。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述去除所述垫状氧化物层的步骤通过使用氢氟酸来执行。
16.一种半导体元件，其特征在于，包含：
17.根据权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述氧化物材料的所述顶面与所述多个岛状结构的所述顶面共平面。
18.根据权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，所述多个岛状结构的每一者具有在20纳米与30纳米之间的范围内的宽度。
19.根据权利要求16所述的半导体元件，其特征在于，进一步包含填充材料于所述氧化物材料上。
20.根据权利要求19所述的半导体元件，其特征在于，所述填充材料以及所述氧化物材料完全填充所述多个沟槽。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个岛状结构的每一者具有在20纳米与30纳米的范围内的宽度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述垫状氧化物的步骤通过离子注入工艺来执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述垫状氧化物的步骤通过将碳离子植入所述氧化物材料的所述顶部来执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垫状氧化物原位地形成于所述氧化物材料的所述顶部上。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述形成所述垫状氧化物的步骤致使所述氧化物材料的顶面具有在20纳米与30纳米之间的范围内的宽度。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含执行于所述提供所述半导体结构的步骤之后的平坦化所述半导体结构的步骤。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，执行所述平坦化所述半导体结构的步骤致使所述氧化物材料的所述顶面与所述多个岛状结构的所述顶面平行。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供所述半导体结构的结构进一步包含形成填充材料于所述氧化物材料上。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，执行所述形成所述填充材料于所述氧化物材料上的...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖振益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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