【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示领域，特别涉及一种发光组件、显示面板及发光组件的制备方法。
技术介绍
1、微发光二极管(micro light emitting diode，micro led)显示面板包括集成在显示背板上的驱动单元，以及和驱动单元键合连接的发光芯片，其中，驱动单元为位于显示背板内，通过半导体加工工艺与背板集成为一体结构。然而，驱动单元的个别不良修复困难，造成显示背板的生产良率不高，最终显示面板的坏点较多。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提出了一种发光组件、显示面板及发光组件的制备方法，用以解决现有技术的如下问题：现有micro led显示面板制备过程中驱动单元的个别不良修复困难，显示面板的坏点较多的问题。
2、一方面，本公开实施例提出了一种发光组件，包括：发光单元，所述发光单元包括第一电极、第二电极以及分别与所述第一电极和所述第二电极电连接的发光部；驱动单元，所述驱动单元包括第三电极、第四电极和驱动部，所述第三电极和所述第四电极均位于所述驱动单元朝向所述发光单元的一侧，所述第三电极和所述第四电极分别与所述驱动部中驱动电路电连接，所述第三电极和所述第一电极电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接；多个引脚，所述多个引脚均位于所述驱动单元背离所述发光单元的一侧并与所述驱动电路电连接；其中，所述发光单元和所述驱动单元之间包括第一填充部、第二填充部和第三填充部；所述第一填充部包围所述第二填充部和所述第三填充部，并且所述第一填充部的厚度大于所述第二填充部和所述第三填充部
3、在一些实施例中，所述多个引脚中的至少一个引脚包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层与所述驱动单元之间；其中，所述第一金属层的材料包括镍，所述第二金属层的材料包括金。
4、在一些实施例中，所述第一填充部具有绝缘性，所述第二填充部具有导电性，所述第三填充部具有导电性；所述第一填充部与所述第二填充部直接接触；所述第一填充部与所述第三填充部直接接触；所述第一填充部的一部分位于所述第二填充部和所述第三填充部之间。
5、在一些实施例中，所述第一填充部的密度小于所述第二填充部的密度；所述第一填充部的密度小于所述第三填充部的密度。
6、在一些实施例中，所述发光组件包括透明基板，所述透明基板位于所述发光单元远离所述驱动基板的一侧；所述第一填充部在所述透明基板所在平面的正投影位于所述透明基板内。
7、在一些实施例中，所述第一填充部在所述透明基板所在平面的正投影的外轮廓与所述透明基板的外轮廓重合。
8、在一些实施例中，所述发光组件包括透明基板，所述透明基板位于所述发光单元远离所述驱动基板的一侧；所述发光单元包括发光部，所述发光部包括：垫高电极、第一绝缘层以及远离所述透明基板方向依次层叠设置的第一掺杂层、多量子阱层、第二掺杂层；其中，所述第二电极位于所述第二掺杂层远离所述多量子阱层的一侧，所述第二掺杂层与所述第二电极电连接；所述垫高电极位于所述第一掺杂层与所述第一电极之间，并且与所述第一掺杂层、所述第一电极分别电连接；所述第一绝缘层位于所述第一掺杂层远离所述透明基板的一侧并且与所述第一掺杂层接触设置。
9、在一些实施例中，所述第一填充部包括第一子填充部和第二子填充部；所述第一子填充部在所述透明基板所在平面上的正投影与所述发光单元在所述透明基板所在平面上的正投影不存在交叠；其中，所述第二子填充部至少部分位于所述垫高电极和所述多量子阱层之间，所述第一子填充部环绕所述垫高电极、所述多量子阱层、所述第二子填充部的整体设置。
10、在一些实施例中，所述第一子填充部的厚度大于或等于所述第一绝缘层与所述驱动部之间的距离；所述第二子填充部的厚度等于所述第一绝缘层与所述驱动部之间的最大距离。
11、在一些实施例中，所述第一子填充部至少包括位于所述透明基板与所述驱动部之间的部分；所述位于所述透明基板与所述驱动部之间的部分的厚度t1与所述第二子填充部的厚度t2的关系满足:0.5t1<t2<0.95t1。
12、在一些实施例中，所述发光组件包括多个发光单元以及与所述多个发光单元对应的所述驱动单元；所述多个发光单元包括第一颜色发光单元，第二颜色发光单元以及第三颜色发光单元，其中，所述第一颜色，所述第二颜色和所述第三颜色互不相同；所述发光单元包括沿远离所述透明基板的方向依次层叠的彩膜层(1014)，色转层以及发光部；所述发光部的发光颜色为蓝色；其中，所述发光部包括第一发光部、第二发光部和第三发光部，所述第一发光部位于所述第一颜色发光单元，所述第二发光部位于所述第二颜色发光单元，所述第三发光部位于所述第三颜色发光单元。
13、在一些实施例中，所述驱动单元还包括衬底和连接结构，所述衬底具有连接过孔，所述连接结构位于所述连接过孔内，所述驱动电路位于所述衬底的一侧；所述引脚位于所述衬底远离所述驱动电路的一侧，且所述引脚和所述连接结构接触，所述引脚和所述驱动电路通过所述连接结构连接。
14、在一些实施例中，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管和至少一个存储电容，每个所述薄膜晶体管包括栅极，源极和漏极；所述多个引脚中的一个所述引脚和所述多个薄膜晶体管中一个薄膜晶体管的源极连接，用于为所述驱动电路提供来自显示面板中显示背板传输的数据驱动信号。
15、在一些实施例中，所述驱动电路包括位于所述衬底的一侧且依次层叠的缓冲层，有源层，第一栅极绝缘层，第一栅极层，第二栅极绝缘层，第二栅极层，层间介定层，源漏极层以及平坦层；所述第三电极和所述第四电极位于所述平坦层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括与所述多个薄膜晶体管对应的多个有源图案，每个所述有源图案包括源极区，漏极区以及沟道区；所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极位于所述源漏极层，所述薄膜晶体管的源极和所述源极区连接，所述薄膜晶体管的漏极和所述漏极区连接；所述第一栅极层包括与所述多个薄膜晶体管对应的多个栅极图案，所述沟道区为所述栅极图案在所述衬底上的正投影和所述有源图案在所述衬底上的正投影的重叠区域。
16、在一些实施例中，所述引脚在所述衬底上的正投影的面积，大于所述连接结构在所述衬底上的正投影的面积，且所述引脚在所述衬底上的正投影覆盖所述连接结构在所述衬底上的正投影。
17、另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，所述显示面板包括显示背板，以及位于所述显示背板的一侧且阵列排布的多个本公开任一实施例所述的发光组件；其中，所述显示背板用于通过所述发光组件中的多个引脚为驱动单元提供驱动信号，以使驱动单元驱动发光单元发光。
18、另一方面，本公开实施例提出了一种发光组件的制备方法，用于制备本公开任意实施例提供的所述发光组件，包括：压合本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述多个引脚中的至少一个引脚包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层与所述驱动单元之间；
3.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
4.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
6.如权利要求5所述的发光组件，其特征在于，
7.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述发光组件包括透明基板，所述透明基板位于所述发光单元远离所述驱动基板的一侧；
8.如权利要求7所述的发光组件，其特征在于，
9.如权利要求8所述的发光组件，其特征在于，
10.如权利要求9所述的发光组件，其特征在于，
11.如权利要求1至10中任一项所述的发光组件，其特征在于，
12.根据权利要求1至10任一所述的发光组件，其特征在于，所述驱动单元还包括衬底和连接结构，所述衬底具有连接过孔，所述连接结构位于所述连接过孔内，所
13.根据权利要求12所述的发光组件，其特征在于，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管和至少一个存储电容，每个所述薄膜晶体管包括栅极，源极和漏极；
14.根据权利要求13所述的发光组件，其特征在于，所述驱动电路包括位于所述衬底的一侧且依次层叠的缓冲层，有源层，第一栅极绝缘层，第一栅极层，第二栅极绝缘层，第二栅极层，层间介定层，源漏极层以及平坦层；所述第三电极和所述第四电极位于所述平坦层远离所述衬底的一侧；
15.根据权利要求12所述的发光组件，其特征在于，所述引脚在所述衬底上的正投影的面积，大于所述连接结构在所述衬底上的正投影的面积，且所述引脚在所述衬底上的正投影覆盖所述连接结构在所述衬底上的正投影。
16.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示背板，以及位于所述显示背板的一侧且阵列排布的多个如权利要求1至15任一所述的发光组件；
17.一种发光组件的制备方法，用于制备权利要求1至15中任一项所述的发光组件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述多个引脚中的至少一个引脚包括层叠设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第二金属层与所述驱动单元之间；
3.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
4.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
5.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，
6.如权利要求5所述的发光组件，其特征在于，
7.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述发光组件包括透明基板，所述透明基板位于所述发光单元远离所述驱动基板的一侧；
8.如权利要求7所述的发光组件，其特征在于，
9.如权利要求8所述的发光组件，其特征在于，
10.如权利要求9所述的发光组件，其特征在于，
11.如权利要求1至10中任一项所述的发光组件，其特征在于，
12.根据权利要求1至10任一所述的发光组件，其特征在于，所述驱动单元还包括衬底和连接结构，所述衬底具有连接过孔，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：滕万鹏，彭锦涛，卢美荣，郭凯，张春芳，刘伟星，徐智强，王欢欢，闫雨薇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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