System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置和摄像装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置和摄像装置制造方法及图纸

技术编号:43631189 阅读:5 留言:0更新日期:2024-12-11 15:11
本发明专利技术一个实施方案的第一半导体装置包括:第一结构体层,其具有晶圆上芯片结构,且安装有第一电路芯片和第二电路芯片,所述第一电路芯片的技术节点和所述第二电路芯片的技术节点互不相同;以及第二结构体层,其具有晶圆上芯片结构,且层叠于所述第一结构体层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及具有三维结构的半导体装置和摄像装置


技术介绍

1、例如,专利文献1公开了这样一种图像感测装置:其中,把含有像素区域的第一基板结构体和含有逻辑电路的第二基板结构体相互接合,以便利用导电性凸块来安装第二基板结构体和半导体芯片。

2、引用文献列表

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利申请特开第2019-68049号公报


技术实现思路

1、顺便提及,在摄像装置中,期望有更高的功能。

2、令人们期望的是,提供能够实现更高功能的半导体装置和摄像装置。

3、根据本公开一个实施方案的第一半导体装置包括:第一结构体层(structurelayer),其具有晶圆上芯片结构,且安装有第一电路芯片和第二电路芯片,所述第一电路芯片的技术节点(technology node)和所述第二电路芯片的技术节点互不相同;以及第二结构体层,其具有晶圆上芯片结构,且层叠于所述第一结构体层上。

4、根据本公开一个实施方案的摄像装置包括:传感器基板,其包括用于执行光电转换的一个或多个传感器像素;和根据本公开一个实施方案的半导体装置,其层叠于所述传感器基板上。

5、根据本公开一个实施方案的第二半导体装置包括:第一结构体层,其安装有第一电路芯片和第二电路芯片,所述第一电路芯片的技术节点和所述第二电路芯片的技术节点互不相同;及第二结构体层,其层叠于所述第一结构体层上,且安装有多个芯片。

6、在根据本公开一个实施方案的第一半导体装置和根据本公开一个实施方案的摄像装置中,具有晶圆上芯片结构、且安装有技术节点互不相同的第一电路芯片和第二电路芯片的第一结构体层被层叠于具有晶圆上芯片结构的第二结构体层上。另外,在根据本公开一个实施方案的第二半导体装置中,安装有技术节点互不相同的第一电路芯片和第二电路芯片的第一结构体层被层叠于安装有多个芯片的第二结构体层上。籍此,能够安装具有不同功能的多个芯片。

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【技术保护点】

1.半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

8.摄像装置,包括:

9.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,

11.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,

12.根据权利要求11所述的摄像装置,还包括:

13.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,

14.根据权利要求13所述的摄像装置,其中,

15.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

16.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

17.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

18.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

19.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,

20.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

21.半导体装置,包括:

22.根据权利要求21所述的半导体装置,其中,

23.根据权利要求21所述的半导体装置,其中,

24.根据权利要求21所述的半导体装置,其中,

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.半导体装置,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

8.摄像装置,包括:

9.根据权利要求8所述的摄像装置,其中,

10.根据权利要求9所述的摄像装置,其中,

11.根据权利要求10所述的摄像装置,其中,

12.根据权利要求11所述的摄像装置,还包括:

13.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:横山孝司羽根田雅希
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:

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