【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧传感器芯片倒角，更具体的说，它涉及一种氧传感器芯片倒角方法及工艺。
技术介绍
1、氧化铝-氧化锆多层共烧陶瓷芯片可用于结构器件，主要利用其高强度和韧性；也可利用氧化锆的气体敏感特性而用于功能器件，如车用氧传感器感应芯片等。片式的氧传感器由于是棱角结构，所以一般会对其进行倒角以减小应力集中、便于氧传感器的后续装配及后续表面涂覆等。现有的倒角工艺可分为两种：一种是采用熟瓷加工，即对烧结后的陶瓷片进行倒角处理；烧结后的陶瓷片强度及硬度大，加工困难，容易使产品产生裂纹、加工面不平整的缺点，这样的倒角后芯片容易出现强度明显降低，后续装配不良率上升的问题。而相比熟瓷，素坯陶瓷片由于未烧结，硬度较小，便于加工；现有的素坯陶瓷倒角，多采用固定的工装，比如在cnc加工设备的基础上进行改装以实现，对锯切后的素坯陶瓷片一个个进行倒角处理；由于陶瓷芯片尺寸较小，素坯陶瓷倒角的效率比较低。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种氧传感器芯片倒角方法及工艺，以解决
技术介绍
中提到的技术问题。
3、(二)技术方案
4、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种氧传感器芯片倒角工艺，包括：
5、s1：氧化锆基片流延；
6、s2：多次丝网印刷，采用多连片或巴块方式，对多个芯片进行印刷；
7、s3：对多次丝网印刷后的芯片进行层压；
8、s4：对层压后的芯片进行倒角
9、s5：对倒角后的芯片进行锯切，使其形成单个芯片；
10、s6：排胶烧结。
11、一种氧传感器芯片倒角方法，包括：
12、s01：氧化锆基片流延；
13、s02：采用多连片方式，对多个芯片进行多次丝网印刷；
14、s03：对多次丝网印刷后的芯片进行层压；
15、s04：对层压后的芯片进行倒角；
16、s05：对倒角后的芯片组切割成单个芯片。
17、本专利技术进一步设置为，所述步骤s04包括：
18、s041：将层压后的芯片通过夹具安装在倒角设备上；
19、s042：用角度60度-120度的三角刀对芯片组沿水平方向进行倒角，芯片组的数量可以为5-100片；
20、s043：用步骤s042中使用的三角刀对芯片组沿竖直方向进行倒角。
21、本专利技术进一步设置为，所述步骤s04还包括：
22、s044：将芯片组从夹具上取下，并翻转180度后重新装夹在夹具上；
23、s045：用步骤s042中使用的三角刀对芯片沿水平方向进行倒角；
24、s046：用步骤s042中使用的三角刀对芯片沿竖直方向进行倒角。
25、本专利技术进一步设置为，所述步骤s041之前还包括：
26、s0401：对芯片组划定水平切割线；
27、s0402：对芯片组划定竖直切割线。
28、本专利技术进一步设置为，所述步骤s05包括：
29、s051：更换0.1-0.2mm的锯切刀片；
30、s052：使用锯切刀片对芯片组进行切割。
31、本专利技术进一步设置为，所述步骤s052包括：
32、s0521：对锯切刀片进行定位；
33、s0522：使用锯切刀片沿预定的切割位置进行切割，将芯片组分割成单个芯片。
34、本专利技术进一步设置为，所述步骤s051包括：
35、s0511：将倒角用三角刀移出加工位置；
36、s0512：将锯切用刀片移入到加工位置。
37、本专利技术进一步设置为，所述步骤s04中，使用三角刀对芯片进行倒角时，切割深度为0.1-0.3mm。
38、本专利技术进一步设置为，所述步骤s02中还可以采用巴块的方式，对多个芯片进行多次丝网印刷。
39、(三)有益效果
40、与现有技术相比，本专利技术提供了一种氧传感器芯片倒角方法及工艺，具备以下有益效果：
41、1、本专利技术中先使用倒角设备对芯片组进行倒角处理，倒角处理完毕后，再通过锯切工序将芯片组进行分离，该方式倒角过程中可以同时对多个芯片进行倒角处理，进而可以有效降低成本、提高生产效率。
42、2、本专利技术中在排胶烧结之前对芯片进行倒角并进行锯切，可以直接在素坯陶瓷片上进行加工，未烧结的陶瓷片硬度小，便于加工，不容易出现加工裂纹或者加工面不平整的现象。
43、3、本专利技术中在对芯片组进行倒角时，先将芯片组的一面沿水平方向和竖直方向进行倒角后，再将其翻转到另一面，并沿水平方向和竖直方向进行倒角，该方式也可以有效提高生产效率。
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1.一种氧传感器芯片倒角工艺，其特征是：包括：
2.一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：包括：
3.根据权利要求2所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S04包括：
4.根据权利要求3所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S04还包括：
5.根据权利要求4所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S041之前还包括：
6.根据权利要求2所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S05包括：
7.根据权利要求6所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S052包括：
8.根据权利要求6所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S051包括：
9.根据权利要求5所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S04中，使用三角刀对芯片进行倒角时，切割深度为0.1-0.3mm。
10.根据权利要求2所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤S02中还可以采用巴块的方式，对多个芯片进行多次丝网印刷。
【技术特征摘要】
1.一种氧传感器芯片倒角工艺，其特征是：包括：
2.一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：包括：
3.根据权利要求2所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤s04包括：
4.根据权利要求3所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤s04还包括：
5.根据权利要求4所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤s041之前还包括：
6.根据权利要求2所述的一种氧传感器芯片倒角方法，其特征是：所述步骤s05包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴稀勇，戚钰，吴一凡，颜锡阳，颜宇慧，
申请(专利权)人：莱鼎电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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