【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置通常经过以下工序来制造。首先，在切割带贴附半导体晶圆，并在该状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。之后，进行拾取半导体芯片的拾取工序及将所拾取的半导体芯片及支撑部件等经由黏合剂(adhesive)(晶粒接合膜)等进行热压接而使其黏合的半导体芯片黏合工序等工序，而制作半导体装置。
2、在切割工序中，有时因半导体晶圆的切削而产生的微细的切削物(碎屑)附着于半导体晶圆的电路形成面，而在之后的工序中发生连接不良。因此，正在研究如下工序：在半导体晶圆上设置树脂膜(保护膜)之后进行切割工序，在切割之后，去除树脂膜(保护膜)(例如，专利文献1、2)。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2014-172932号公报
6、专利文献2：日本特开2018-129365号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、本专利技术的目的在于提供一种具备在半导体晶圆上形成树脂膜的工序的新型半导体装置的制造方法。
3、用于解决技术课题的手段
4、本专利技术提供一种[1]～[3]的半导体装置的制造方法。
5、[1]一种半导体装置的制造方法，其具备：
6、树脂膜形成工序，在半导体晶圆上形成包含通过照射光而低分子化的树脂的树脂膜；带有树脂膜片的半导体芯片制作工序，通过将形成有所述树脂膜的所述半导
7、[2]根据[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，
8、所述树脂膜片去除工序为使用水系溶剂从所述带有树脂膜片的半导体芯片去除所述树脂膜片的工序。
9、[3]根据[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，
10、所述树脂膜片去除工序为在水系溶剂中对所述带有树脂膜片的半导体芯片的树脂膜片照射光的工序。
11、专利技术效果
12、根据本专利技术，提供一种具备在半导体晶圆上形成树脂膜的工序的新型半导体装置的制造方法。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，能够充分地抑制冷却水(切削水)引起的树脂膜(保护膜)的溶解，并能够简便地去除树脂膜(保护膜)。
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1.一种半导体装置的制造方法，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置的制造方法，其具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫本祐树，崔咳谧，岩永有辉启，和田真幸，坂本圭市，渡部昌仁，近藤秀一，齐藤晃一，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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