【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法。
技术介绍
1、以往激光就被用于加工，且需要具有高效且高输出的激光光源。作为这种激光光源而采用了半导体激光元件等半导体发光元件。
2、作为用于使半导体发光元件高效化的技术，有已知的形成脊部以便将电流限制在脊部的技术(例如，专利文献1)。
3、(现有技术文献)
4、(专利文献)
5、专利文献1日本特开2010-67763号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、然而，在形成有脊部的半导体发光元件中存在的问题是，由于电流会流入到脊部的侧面，因此这将成为发热的原因。
3、本公开为了解决这样的课题，目的在于提供一种能够抑制电流流入到脊部的侧面的半导体发光元件等。
4、用于解决课题的手段
5、为了解决上述课题，本公开所涉及的半导体发光元件的一个方式是射出光的半导体发光元件，所述半导体发光元件具备：衬底；配置在所述衬底的上方的n型包覆层；配置在所述n型包覆层的上方的活性层；配置在所述活性层的上方的p型包覆层；配置在所述p型包覆层的上方的接触层；以及配置在所述p型包覆层的上方的绝缘膜，在包括所述p型包覆层以及所述接触层的区域形成有在所述光的传播方向上延伸的脊部，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆层，所述上脊部配置在所述下脊部的顶面且包括所述接触层，所述下脊部的顶面具有位于所述下脊部的侧面与所述上脊部的底面之间的平坦部，
6、为了解决上述课题，本公开所涉及的半导体发光元件的其他的一个方式是射出光的半导体发光元件，所述半导体发光元件具备：衬底；配置在所述衬底的上方的n型包覆层；配置在所述n型包覆层的上方的活性层；配置在所述活性层的上方的p型包覆层；以及配置在所述p型包覆层的上方的接触层，在包括所述p型包覆层以及所述接触层的区域形成有在所述光的传播方向上延伸的脊部，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆层，所述上脊部配置在所述下脊部的顶面且包括所述接触层，所述p型包覆层由alxga1-xas(0＜x＜1)构成，并且所述p型包覆层具有：下部包覆层、配置在所述下部包覆层的上方的第一包覆层、配置在所述第一包覆层的上方的第一蚀刻停止层、配置在所述第一蚀刻停止层的上方的第二包覆层、以及配置在所述第二包覆层的上方的第二蚀刻停止层，关于所述下部包覆层的al组分比x0、所述第一包覆层的al组分比x1、以及所述第二包覆层的al组分比x2，x1＝x2＞0.8以及x1＝x2＞x0的关系成立。
7、为了解决上述课题，本公开所涉及的半导体发光元件的制造方法的一个方式是射出光的半导体发光元件的制造方法，所述制造方法包括如下的工序：在衬底的上方形成n型包覆层的工序；在所述n型包覆层的上方形成活性层的工序；在所述活性层的上方形成p型包覆层的工序；在所述p型包覆层的上方形成接触层的工序；在包括所述p型包覆层以及所述接触层的区域形成脊部的工序；以及在所述脊部形成绝缘膜的工序，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆层，所述上脊部配置在所述下脊部的顶面且包括所述接触层，形成所述脊部的工序中包括：形成所述上脊部的工序；以及在形成所述上脊部的工序之后形成所述下脊部的工序，所述下脊部的顶面具有平坦部，该平坦部位于所述下脊部的侧面与所述上脊部的底面之间且在所述光的传播方向上延伸，所述上脊部的底面的宽度比所述下脊部的顶面的宽度以及所述下脊部的层叠方向中央位置上的宽度小，所述绝缘膜从所述下脊部的侧面连续地覆盖到所述上脊部的顶面的一部分为止。
8、专利技术效果
9、通过本公开，能够提供一种能够抑制电流流入到脊部的侧面的半导体发光元件等。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，是射出光的半导体发光元件，
2.一种半导体发光元件，是射出光的半导体发光元件，
3.如权利要求2所述的半导体发光元件，
4.如权利要求2或3所述的半导体发光元件，
5.如权利要求2至4的任一项所述的半导体发光元件，
6.如权利要求2至4的任一项所述的半导体发光元件，
7.如权利要求5或6所述的半导体发光元件，
8.如权利要求2至7的任一项所述的半导体发光元件，
9.如权利要求2至7的任一项所述的半导体发光元件，
10.如权利要求2至9的任一项所述的半导体发光元件，
11.如权利要求2至10的任一项所述的半导体发光元件，
12.如权利要求2至11的任一项所述的半导体发光元件，
13.如权利要求2至12的任一项所述的半导体发光元件，
14.如权利要求1至13的任一项所述的半导体发光元件，
15.如权利要求1至14的任一项所述的半导体发光元件，
16.如权利要求1至9、11至15的任一
17.如权利要求1至16的任一项所述的半导体发光元件，
18.如权利要求17所述的半导体发光元件，
19.如权利要求1至18的任一项所述的半导体发光元件，
20.如权利要求1至19的任一项所述的半导体发光元件，
21.一种半导体发光元件的制造方法，是射出光的半导体发光元件的制造方法，
22.如权利要求21所述的半导体发光元件的制造方法，
23.如权利要求21或22所述的半导体发光元件的制造方法，
24.如权利要求21或22所述的半导体发光元件的制造方法，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体发光元件，是射出光的半导体发光元件，
2.一种半导体发光元件，是射出光的半导体发光元件，
3.如权利要求2所述的半导体发光元件，
4.如权利要求2或3所述的半导体发光元件，
5.如权利要求2至4的任一项所述的半导体发光元件，
6.如权利要求2至4的任一项所述的半导体发光元件，
7.如权利要求5或6所述的半导体发光元件，
8.如权利要求2至7的任一项所述的半导体发光元件，
9.如权利要求2至7的任一项所述的半导体发光元件，
10.如权利要求2至9的任一项所述的半导体发光元件，
11.如权利要求2至10的任一项所述的半导体发光元件，
12.如权利要求2至11的任一项所述的半导体发光元件，
13.如权利要求2至12的任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田笃志，久纳康光，永井洋希，中谷东吾，油本隆司，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：
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