【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装技术的领域，尤其是涉及一种芯片导通连接方法、系统、智能终端及存储介质。
技术介绍
1、垂直导通连接技术是一种在集成电路中实现不同层之间电连接的方法，这种技术广泛应用于各种半导体器件的制造过程中，特别是对于多层结构的芯片来说尤为重要。
2、相关技术中，植铜柱法是一种实现垂直导通连接的封装技术，在基板上开出直径和深度符合要求的小孔，然后对基板进行清洁，并在小孔内通过电镀或化学镀的方式沉积一层薄薄的金属层，以增加后续铜柱与基板之间的粘合强度，然后将预先准备好的铜柱插入到基板上的小孔中，通过加热等方式使铜柱和基板之间形成稳定的物理和化学结合，而铜柱则通过基板上的电路布局实现芯片与外界的导通。
3、针对上述中的相关技术，通过植铜柱法实现芯片的垂直导通连接，植铜柱的过程中设计到多个精密步骤，例如开孔，需要使用到激光钻孔机，后续插入铜柱时，必须将铜柱精确地对准基板上的小孔，因此利用植铜柱法实现垂直导通连接的工艺难度较高，从而导致封装的成本较高，还有改进的空间。
技术实现思路
1、为了降低实现垂直导通连接的难度以及封装的成本，本申请提供一种芯片导通连接方法、系统、智能终端及存储介质。
2、第一方面，本申请提供一种芯片导通连接方法，采用如下的技术方案：
3、一种芯片导通连接方法，包括：
4、获取预设基板的位置尺寸参数信息；
5、根据位置尺寸参数信息控制预设的框架制作装置制作出铜框架；所述铜框架包括铜片和垂直于
6、根据预设的贴装方法将铜框架的铜柱贴装焊接在基板上；
7、根据预设的塑封方法将铜框架和基板进行塑封形成塑封体；
8、根据预设的磨削方法对塑封体进行磨削以通过铜框架实现芯片导通连接。
9、通过采用上述技术方案，根据基板的位置尺寸参数信息制作出铜框架，并将铜框架上的铜柱贴装焊接在基板的焊盘上，将铜框架和基板塑封后，对塑封体进行磨削，从而使铜框架部分磨掉并露出用于导通连接的部分，而不需要在基板上进行打孔，以及将铜柱精准插入小孔内，从而降低实现垂直导通连接的难度以及封装的成本。
10、可选的，所述位置尺寸参数信息包括基板尺寸信息、焊盘位置信息和铜柱尺寸信息，根据位置尺寸参数信息控制预设的框架制作装置制作出铜框架的步骤包括：
11、根据铜柱尺寸信息和预设的铜柱铜板尺寸关系信息确定铜板尺寸信息；
12、根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和铜板尺寸信息进行分析制作掩膜版；
13、根据铜板尺寸信息调用预设的铜板，并控制预设的涂覆组件对铜板进行光刻胶涂覆形成涂覆铜板；
14、控制预设的贴合组件将掩膜版贴合于涂覆铜板的光刻胶上，并依次进行曝光和显影去除形成基础铜板；
15、控制预设的蚀刻组件对基础铜板进行蚀刻形成铜框架。
16、通过采用上述技术方案，根据铜板尺寸信息调用铜板，并在铜板的一侧进行光刻胶涂覆形成涂覆铜板，然后将掩膜版贴合在光刻胶上，依次进行曝光和显影，从而使铜板上的光刻胶形状尺寸保持与铜柱一致，再对基础铜板进行蚀刻后得到铜框架，从而制造铜框架的难度。
17、可选的，根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和铜板尺寸信息进行分析制作掩膜版的步骤包括：
18、根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和预设的余量信息进行分析确定图案参数信息；
19、根据铜板尺寸信息调用预设的透明底片；
20、判断铜板尺寸信息是否符合基板尺寸信息的要求；
21、若符合，则根据图案参数信息控制预设的打印组件在透明底片上打印形成掩膜版；
22、若不符合，则根据基板尺寸信息在透明底片上进行规划确定打印区域信息；
23、根据图案参数信息和打印区域信息控制预设的打印组件在透明底片上打印形成掩膜版。
24、通过采用上述技术方案，根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和余量信息确定图案参数信息，即使蚀刻过程中存在侧蚀，也可以保证铜柱的尺寸与设计尺寸的误差处于较小的范围内，再调用透明底片，在透明底片符合基板尺寸信息的要求时，则直接将图案参数信息对应图案打印在透明底片上形成掩膜版，不符合时，则在透明底片上规划处打印区域信息，从而在打印区域信息内打印图案形成掩膜版，进而提高制作掩膜版的方便性和准确性。
25、可选的，控制预设的蚀刻组件对基础铜板进行蚀刻形成铜框架的步骤包括：
26、根据铜柱尺寸信息进行分析确定蚀刻深度信息；
27、根据蚀刻深度信息和预设的深度时间关系信息确定蚀刻时间信息；
28、根据铜板尺寸信息和铜柱尺寸信息进行分析确定保护膜参数信息；
29、根据保护膜参数信息调用预设的保护膜，并将保护膜贴合于基础铜板上；
30、根据蚀刻时间信息控制蚀刻组件对贴合有保护膜的基础铜板进行蚀刻形成铜框架。
31、通过采用上述技术方案，根据蚀刻深度信息和深度时间关系信息确定蚀刻时间信息，再根据保护膜参数信息调用保护膜，将保护膜贴合在基础铜板上不需要蚀刻的部分，从而根据蚀刻时间对基础铜板进行蚀刻，进而保证蚀刻出的铜框架的精度。
32、可选的，根据蚀刻时间信息控制蚀刻组件对贴合有保护膜的基础铜板进行蚀刻形成铜框架的步骤包括：
33、当铜板尺寸信息不符合基板尺寸信息的要求时，根据蚀刻时间信息控制蚀刻组件对贴合有保护膜的基础铜板进行蚀刻形成基础框架；
34、根据清洗触发信息对基础框架进行光刻胶和保护膜清洗去除；
35、根据基板尺寸信息和铜板尺寸信息调用预设的切割模具；
36、控制切割模具对基础框架进行切割形成铜框架。
37、通过采用上述技术方案，在铜板尺寸信息不符合基板尺寸信息的要求时，则表明铜板是面积大于基板面积的大块铜板，因此对基础铜框进行清洗后，调用切割模具对基础框架进行切割后形成多个铜框架，进而提高铜框架制作的效率。
38、可选的，根据预设的磨削方法对塑封体进行磨削以通过铜框架实现芯片导通连接的步骤包括：
39、获取铜框架的对接方式信息；
40、判断对接方式信息为预设的单独对接方式信息或预设的基板间对接方式信息；
41、若为基板间对接方式信息，则根据预设的侧面磨削方法对塑封体进行磨削以通过铜片实现芯片导通连接；
42、若为单独对接方式信息，则获取塑封体的磨削面信息和第一磨削参数信息；
43、根据第一磨削参数信息控制预设的磨削装置对塑封体的磨削面信息进行磨削以露出铜柱实现芯片导通连接。
44、通过采用上述技术方案，在铜框架的对接方式信息为单独对接方式信息时，则根据第一磨削参数信息控制磨削装置对塑封体的磨削面信息进行磨削，从而将部分塑封体以及铜片磨掉，露出铜柱实现芯片与外界的导通连接，进而降本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种芯片导通连接方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，所述位置尺寸参数信息包括基板尺寸信息、焊盘位置信息和铜柱尺寸信息，根据位置尺寸参数信息控制预设的框架制作装置制作出铜框架的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和铜板尺寸信息进行分析制作掩膜版的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，控制预设的蚀刻组件对基础铜板进行蚀刻形成铜框架的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据蚀刻时间信息控制蚀刻组件对贴合有保护膜的基础铜板进行蚀刻形成铜框架的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据预设的磨削方法对塑封体进行磨削以通过铜框架实现芯片导通连接的步骤包括：
7.根据权利要求6所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据预设的侧面磨削方法对塑封体进行磨削以通过铜片实现芯片导通连接的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片导通连接方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，所述位置尺寸参数信息包括基板尺寸信息、焊盘位置信息和铜柱尺寸信息，根据位置尺寸参数信息控制预设的框架制作装置制作出铜框架的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据基板尺寸信息、焊盘位置信息、铜柱尺寸信息和铜板尺寸信息进行分析制作掩膜版的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，控制预设的蚀刻组件对基础铜板进行蚀刻形成铜框架的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种芯片导通连接方法，其特征在于，根据蚀刻时间信息控制蚀刻组件对贴合有保护膜的基础铜板进行蚀刻形成铜框...
【专利技术属性】
技术研发人员：周科群，罗书明，汪洋，李晓清，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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