【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁自屏蔽封装接地，尤其涉及一种电磁自屏蔽封装接地结构及其生产工艺方法。
技术介绍
1、目前封装级电磁屏蔽设计主要是在芯片塑封后利用磁控溅射的方式在封装外表面溅射金属镀层，一般是不锈钢-铜-不锈钢结构，利用金属铜层对高频信号的电磁波吸收和反射，实现封装级电磁自屏蔽效果；但是，这种方案主要适用于带有塑封外壳的fccsp(倒装芯片级)封装，而对于带有金属外壳封装的fcbga(倒装芯片球栅阵列封装)方案不适用；另一方面，fcbga封装本身是带有散热金属外壳，但由于尺寸较大，往往是通过树脂胶与基板形成粘接，因此没有接地，不能实现电磁屏蔽的功能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电磁自屏蔽封装接地结构及其生产工艺方法。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术实施例提供一种电磁自屏蔽封装接地结构，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述基板，所述基板的上表面还设有连通于所述地屏蔽墙的金属卡扣，所述金属卡扣与所述金属盖卡接以形成电连接。
4、在一具体实施例中，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
5、在一具体实施例中，所述主控芯片通过导电柱连接于所述基板。
...【技术保护点】
1.一种电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述基板，所述基板的上表面还设有连通于所述地屏蔽墙的金属卡扣，所述金属卡扣与所述金属盖卡接以形成电连接。
2.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
3.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片通过导电柱连接于所述基板。
4.根据权利要求3所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片与所述基板之间还填充有底部填充料。
5.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖的外沿为平坦区域，所述金属卡扣卡接于所述平坦区域。
6.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖通过粘接剂连接于所述基板，且所述金属卡扣为Z字形。
7.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖为帽型金属盖。
8.根据权利要求7所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述帽型金属盖与所述主控芯片之间还设有导热胶层。
9.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板的下表面设有锡球。
10.一种电磁自屏蔽封装接地结构的生产工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述基板，所述基板的上表面还设有连通于所述地屏蔽墙的金属卡扣，所述金属卡扣与所述金属盖卡接以形成电连接。
2.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
3.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片通过导电柱连接于所述基板。
4.根据权利要求3所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片与所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙建飞，任晓梅，张孝远，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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