【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁自屏蔽封装接地，尤其涉及一种电磁自屏蔽封装接地结构及其生产工艺方法。
技术介绍
1、目前封装级电磁屏蔽设计主要是在芯片塑封后利用磁控溅射的方式在封装外表面溅射金属镀层，一般是不锈钢-铜-不锈钢结构，利用金属铜层对高频信号的电磁波吸收和反射，实现封装级电磁自屏蔽效果；但是，这种方案主要适用于带有塑封外壳的fccsp(倒装芯片级)封装，而对于带有金属外壳封装的fcbga(倒装芯片球栅阵列封装)方案不适用；另一方面，fcbga封装本身是带有散热金属外壳，但由于尺寸较大，往往是通过树脂胶与基板形成粘接，因此没有接地，不能实现电磁屏蔽的功能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种电磁自屏蔽封装接地结构及其生产工艺方法。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术实施例提供一种电磁自屏蔽封装接地结构，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，且所述基板的上表面对应于所述地屏蔽墙的区域开设有凹槽，以使所述地屏蔽墙的金属铜面露出，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述凹槽，以使所述金属盖的侧壁接触于所述金属铜面形成电连接。
4、在一具体实施例中，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
5、在一具体实施例中，所述
6、在一具体实施例中，所述主控芯片与所述基板之间还填充有底部填充料。
7、在一具体实施例中，所述金属盖的侧壁与所述金属铜面之间还填充有导电银浆。
8、在一具体实施例中，所述金属盖通过粘接剂连接于所述凹槽的底面。
9、在一具体实施例中，所述金属盖为帽型金属盖或锻造金属盖。
10、在一具体实施例中，所述帽型金属盖或锻造金属盖与所述主控芯片之间还设有导热胶层。
11、在一具体实施例中，所述基板的下表面设有锡球。
12、本专利技术的电磁自屏蔽封装接地结构，与现有技术相比的有益效果是：通过设计包含基板、主控芯片和金属盖的封装接地结构，并在基板的上表面对应于地屏蔽墙的区域开设有凹槽，以使地屏蔽墙的金属铜面露出，金属盖的侧壁接触于金属铜面形成电连接，即形成了一个封闭的电磁屏蔽环境，能够有效地阻挡或减弱主控芯片及基板在工作时产生的电磁辐射向外泄露，从而保护周围的电子器件免受不必要的电磁干扰。
13、第二方面，本专利技术实施例提供一种电磁自屏蔽封装接地结构的生产工艺方法，包括以下步骤：
14、制作具有地屏蔽墙的基板；
15、在基板位于地屏蔽墙的上表面开设凹槽，以使地屏蔽墙的金属铜面露出；
16、将主控芯片安装于基板的上表面，并在主控芯片与基板之间填充底部填充料；
17、在金属盖与主控芯片之间填充导热胶层，并将金属盖粘接于凹槽且使金属盖的侧壁与金属铜面电连接；
18、对基板的下表面执行锡球操作，以完成生产加工。
19、本专利技术的电磁自屏蔽封装接地结构的生产工艺方法，与现有技术相比的有益效果是：通过电磁自屏蔽封装接地结构的生产工艺制作出包含基板、主控芯片和金属盖的封装接地结构，并在基板的上表面对应于地屏蔽墙的区域开设有凹槽，以使地屏蔽墙的金属铜面露出，金属盖的侧壁接触于金属铜面形成电连接，即形成了一个封闭的电磁屏蔽环境，能够有效地阻挡或减弱主控芯片及基板在工作时产生的电磁辐射向外泄露，从而保护周围的电子器件免受不必要的电磁干扰。
20、下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步描述。
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1.一种电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，且所述基板的上表面对应于所述地屏蔽墙的区域开设有凹槽，以使所述地屏蔽墙的金属铜面露出，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述凹槽，以使所述金属盖的侧壁接触于所述金属铜面形成电连接。
2.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
3.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片通过导电柱连接于所述基板。
4.根据权利要求3所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片与所述基板之间还填充有底部填充料。
5.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖的侧壁与所述金属铜面之间还填充有导电银浆。
6.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖通过粘接剂连接于
7.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述金属盖为帽型金属盖或锻造金属盖。
8.根据权利要求7所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述帽型金属盖或锻造金属盖与所述主控芯片之间还设有导热胶层。
9.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板的下表面设有锡球。
10.一种电磁自屏蔽封装接地结构的生产工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金属盖，所述基板设有地屏蔽墙，且所述基板的上表面对应于所述地屏蔽墙的区域开设有凹槽，以使所述地屏蔽墙的金属铜面露出，所述主控芯片安装于所述基板的上表面，所述金属盖用于遮盖所述主控芯片且连接于所述凹槽，以使所述金属盖的侧壁接触于所述金属铜面形成电连接。
2.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述基板分为若干层，从其中一层基板裸露的外围焊盘通过打孔连接到相邻的基板走线铜层，以在基板电路层的最外围形成连续且贯通的地墙结构，即所述地屏蔽墙。
3.根据权利要求1所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，所述主控芯片通过导电柱连接于所述基板。
4.根据权利要求3所述的电磁自屏蔽封装接地结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙建飞，任晓梅，陈磊，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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