【技术实现步骤摘要】
本公开总体上可涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置包括能够存储数据的存储器单元。三维半导体存储器装置包括三维布置的存储器单元，以使得基板的每单位面积存储器单元所占据的面积可减小。
2、在三维半导体存储器装置中，由于各种原因，用于控制存储器单元的操作的线的布置自由度可能受到限制。
技术实现思路
1、在本公开的实施方式中，一种半导体存储器装置包括：在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上延伸的基板；设置在基板的一侧的多个输入/输出焊盘；在第一方向上与输入/输出焊盘相邻的第一电路；第二电路，其被设置为在第一方向上比第一电路与输入/输出焊盘间隔开更远；与第一电路交叠的第一存储器单元阵列；与第二电路交叠的第二存储器单元阵列；与第一存储器单元阵列交叠的多个第一金属源极图案，其中，多个第一金属源极图案在第二方向上彼此间隔开；以及与第二存储器单元阵列交叠的第二金属源极图案，其中，在第二方向上，第二金属源极图案的宽度比各个第一金属源极图案的宽度宽。
2、在本公开的实施方式中，一种半导体存储器装置包括：位线；与位线交叠的公共源极线；栅极层叠结构，其包括在位线与公共源极线之间交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案；沟道结构，该沟道结构穿透栅极层叠结构，其中，该沟道结构延伸以与公共源极线直接接触；以及存储器图案，该存储器图案设置在沟道结构与栅极层叠结构之间，其中，
3、在本公开的实施方式中，一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：在牺牲基板上形成存储器单元阵列，其中，该存储器单元阵列包括在牺牲基板上交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案、穿透层间绝缘层和导电图案的沟道结构以及沿着沟道结构的表面延伸的存储器层；去除牺牲基板以暴露存储器层；去除存储器层的一部分以暴露沟道结构的第一端部；以及在450℃或更低的温度下形成公共源极线，其中，该公共源极线与沟道结构的第一端部直接接触并且延伸以与存储器单元阵列交叠。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括与所述沟道结构直接接触的硅化钨或硅化镍。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述硅化物层与所述沟道结构形成欧姆接触。
5.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括与所述沟道结构直接接触的硅化钨或硅化镍。
3.根据权利要求1所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。