【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体检测，尤其涉及一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置及方法。
技术介绍
1、沟槽mos是一种半导体分立器件，按照其物理结构，可将沟槽mos分类为平面mos和沟槽mos两个大类。沟槽mos的加工过程包括沟槽的形成、控制栅的形成、体区和源区的形成、接触孔和金属电极的形成、中测等主要步骤，其中沟槽的形成工艺主要包括沟槽的光刻和刻蚀工艺，沟槽是沟槽mos中的关键结构，需要严格控制其宽度、深度和形貌。
2、工艺、设备或材料因素都可能导致沟槽的宽度出现偏差，间接导致沟槽mos的导通电阻、雪崩特性(eas)等参数和性能发生变化，因此对沟槽宽度的监测显得尤为重要。目前，监测沟槽宽度的方法是对芯片进行抽样解剖然后使用扫描电子显微镜(sem)大倍率观察并测量沟槽的宽度，这种方法存在很显然的弊端，即需要对芯片进行破坏性解剖测试，因此不可能对每一片晶圆都监测到位，存在很大的局限性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对
技术介绍
存在的技术问题，提出一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置及方法。
2、为实现上述技术目的，本专利技术在第一方面采用的技术方案如下：
3、一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，包括第一层、第二层以及两个尺寸不同的构件，第二层铺设于第一层上，两个构件分别设置于第一层内，构件包括沟槽以及电阻，沟槽围绕于电阻，沟槽内依次填充有第一物质和第二物质，第二层上设有两个与沟槽的两端接通的第一接触孔以及两个与沟槽的同一侧接通的第二接触孔，其中，两个第
4、优选地，第一层包括层叠一起的源区和体区，两个构件分别置于源区和体区内。
5、优选地，沟槽包括主环形沟槽以及两个次环形沟槽，两个次环形沟槽分别设置于主环形沟槽的同一侧，两个第一接触孔分别置于主环形沟槽的两端，两个第二接触孔分别设置于对应的两个次环形沟槽内。
6、优选地，主环形沟槽所围合的内部间距为电阻的宽度尺寸。
7、优选地，两个第二接触孔之间的间距为电阻的长度尺寸。
8、优选地，电阻的长度尺寸为电阻的宽度尺寸的n倍，其中n>2。
9、优选地，第一物质包括覆盖于沟槽的内壁的氧化硅。
10、优选地，第二物质包括填充沟槽剩余空间的多晶硅。
11、优选地，两个构件中的电阻之间的宽度尺寸比为1：m，其中m>1。
12、本专利技术在第二方面采用的技术方案如下：
13、一种沟槽mos的沟槽宽度的监测方法，其特征在于，应用于如上述方案的沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，沟槽mos的沟槽宽度的监测方法包括：
14、获取两个构件中电阻的电阻值，得到电阻值r1和电阻值r2；
15、计算电阻值r1和电阻值r2的比值，得到电阻比；
16、将电阻比与预置设计值相比，以判定沟槽mos的沟槽宽度的偏差情况。
17、本专利技术与现有技术相比具有如下有益技术效果：在第一层内设计两个尺寸不同的构件，并采用电学测试加以判断，以快速获取监测沟槽mos的沟槽宽度的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试，并且根据不同尺寸的构件，可以监测到每一片晶圆的指定位置区域的沟槽宽度，相比于传统方法的监测频次和范围更加完善。
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1.一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述第一层(100)包括层叠一起的源区(101)和体区(102)，两个所述构件分别置于所述源区(101)和体区(102)内。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述沟槽(300)包括主环形沟槽(303)以及两个次环形沟槽(304)，两个所述次环形沟槽(304)分别设置于所述主环形沟槽(303)的同一侧，两个所述第一接触孔(201)分别置于所述主环形沟槽(303)的两端，两个所述第二接触孔(202)分别设置于对应的两个次环形沟槽(304)内。
4.根据权利要求3所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述主环形沟槽(303)所围合的内部间距为所述电阻(400)的宽度尺寸。
5.根据权利要求3所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，两个所述第二接触孔(202)之间的间距为所述电阻(400)的长度尺寸。
6.根据权利要求1所述的一种
7.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述第一物质(301)包括覆盖于所述沟槽(300)的内壁的氧化硅。
8.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述第二物质(302)包括填充所述沟槽(300)剩余空间的多晶硅。
9.根据权利要求1所述的一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，两个所述构件中的所述电阻(400)之间的宽度尺寸比为1：M，其中M>1。
10.一种沟槽MOS的沟槽宽度的监测方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9的所述的沟槽MOS的沟槽宽度的监测装置，所述沟槽MOS的沟槽宽度的监测方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述第一层(100)包括层叠一起的源区(101)和体区(102)，两个所述构件分别置于所述源区(101)和体区(102)内。
3.根据权利要求1所述的一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述沟槽(300)包括主环形沟槽(303)以及两个次环形沟槽(304)，两个所述次环形沟槽(304)分别设置于所述主环形沟槽(303)的同一侧，两个所述第一接触孔(201)分别置于所述主环形沟槽(303)的两端，两个所述第二接触孔(202)分别设置于对应的两个次环形沟槽(304)内。
4.根据权利要求3所述的一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，其特征在于，所述主环形沟槽(303)所围合的内部间距为所述电阻(400)的宽度尺寸。
5.根据权利要求3所述的一种沟槽mos的沟槽宽度的监测装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：何昌，张光亚，杨勇，朱勇华，
申请(专利权)人：深圳市美浦森半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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