【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1中记载了“能够提高电性能的半导体装置”。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-136315号公报
5、专利文献2：日本特开2019-091892号公报
6、专利文献3：日本特开2017-103400号公报
技术实现思路
1、技术方案
2、在本专利技术的方式中，提供一种半导体装置，该半导体装置具备：有源部、设置于半导体基板的第一导电型的漂移区、设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区、设置于所述半导体基板的上方的栅极焊盘、设置于所述半导体基板的上方的发射电极、在所述有源部中设置于所述半导体基板的正面的栅极沟槽部、以及用于将所述栅极焊盘和所述栅极沟槽部连接的栅极布线部，所述栅极布线部具有沿预先确定的方向延伸的第一栅极沟槽布线部、以及沿与所述第一栅极沟槽布线部的延伸方向不同的方向延伸并与所述第一栅极沟槽布线部在交叉部交叉的第二栅极沟槽布线部，所述发射电极设置于所述交叉部的上方。
3、上述半导体装置可以具备与所述栅极沟槽部的底部相接而设置的第二导电型的沟槽底区。
4、在上述任一半导体装置中，所述沟槽底区的掺杂浓度可以低于所述基区的掺杂浓度。
5、在上述任一半导体装置中，所述沟槽底区可以与上述交叉部的底部相接而设置。
6、上述任一半导体装置可以具备设置于所述漂移区的上方的第二导电型的阱区。与
7、上述任一半导体装置可以具备设置于所述漂移区的上方的第二导电型的阱区。所述沟槽底区可以与所述阱区连接。
8、在上述任一半导体装置中，所述沟槽底区可以设置为从设置于所述半导体装置的外周部的所述第二栅极沟槽布线部的一端起延伸到设置于所述外周部的所述第二栅极沟槽布线部的另一端。
9、上述任一半导体装置可以具备设置于所述漂移区的上方的第二导电型的阱区。所述沟槽底区可以具有第一沟槽底部以及与所述第一沟槽底部分开设置并与上述阱区域连接的第二沟槽底部。
10、上述任一半导体装置可以具备设置于所述漂移区的上方的第二导电型的阱区。在所述半导体基板的与深度方向平行的截面中，所述交叉部可以设置于所述阱区的内侧，所述交叉部的下端可以比所述阱区的下端浅。
11、在上述任一半导体装置中，所述阱区可以设置为从设置于所述半导体装置的外周部的所述第二栅极沟槽布线部的一端起延伸到设置于所述外周部的所述第二栅极沟槽布线部的另一端。
12、在上述任一半导体装置中，所述有源部可以具有第一有源区和第二有源区。在俯视时，所述发射电极可以从所述第一有源区起越过所述第二栅极沟槽布线部而设置到所述第二有源区。
13、在上述任一半导体装置中，所述有源部可以具有第一有源区和第二有源区。所述第一栅极沟槽布线部可以设置为从所述第一有源区起延伸到所述第二有源区，并将所述第一有源区的栅极沟槽部与所述第二有源区的栅极沟槽部连接。
14、在上述任一半导体装置中，所述第二栅极沟槽布线部可以包括多个第二栅极沟槽布线部。所述多个第二栅极沟槽布线部可以与所述第一栅极沟槽布线部分别具有所述交叉部。
15、在上述任一半导体装置中，所述第二栅极沟槽布线部的宽度可以比所述第一栅极沟槽布线部的宽度宽。
16、在上述任一半导体装置中，所述栅极布线部可以具有由金属构成的栅极金属层，所述栅极金属层设置于所述半导体装置的外周部，并在所述外周部与所述第二栅极沟槽布线部的端部连接。
17、在上述任一半导体装置中，所述栅极布线部可以具有由多晶硅构成的栅极流道，所述栅极流道设置于所述半导体装置的外周部，并在所述外周部与所述第二栅极沟槽布线部的端部连接。
18、在上述任一半导体装置中，所述栅极布线部可以具有第三栅极沟槽布线部，所述第三栅极沟槽布线部设置于所述半导体装置的外周部，并在所述外周部与所述第二栅极沟槽布线部的端部连接。
19、上述任一半导体装置在所述交叉部的上方可以具备设置于所述发射电极电极上的镀膜。
20、上述任一半导体装置可以具备第一导电型的发射区，所述第一导电型的发射区设置于所述漂移区的上方，且掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。所述发射电极可以设置于所述发射区的上方。
21、应予说明，上述
技术实现思路
并未列举出本专利技术的全部特征。另外，这些特征组的子组合也能够成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
16.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装
17.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
18.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
19.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井洋辅，野口晴司，内藤达也，菅沼奈央，山田拓弥，古川畅昭，浜崎竜太郎，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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