【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种侧墙刻蚀终点检测优化方法。
技术介绍
1、等离子体刻蚀是集成电路芯片制造工艺中的一个重要步骤，用于精确地刻蚀材料表面。等离子体刻蚀需要在刻蚀完成后及时停止，过度刻蚀(over etching)和刻蚀不足(under etching)均会导致未能完全刻蚀出所需的结构，可能导致器件无法正常工作或性能下降，引入尺寸不符、芯片不稳定性和产品失效等问题。为了避免这类现象，需要使用刻蚀终点检测(end point detection，epd)系统对刻蚀终点进行精确检测并控制刻蚀过程，这对于确保微纳器件的稳定性和性能至关重要。
2、以半导体器件的制作过程中多晶硅栅极两侧侧墙的刻蚀为例，进行等离子体刻蚀时，如果刻蚀工艺不稳定，将会导致形成的半导体器件的尺寸不一致。实施刻蚀终点检测时，刻蚀从氮化硅层开始至露出氧化硅层时终止。随着工艺机台的展开，机台间存在微小差异，对epd模型工艺窗口提出更高的要求。epd模型所用的算法一般为抓取刻蚀生成物(c-n)的峰值(peak)信号，在蚀刻的过程中，为了过滤干扰信号，通常延迟一定时间再抓取峰值信号。以40lp工艺中段侧墙蚀刻为例，延迟时间到达8s后开始抓取峰值信号，抓取点需满足峰值强度较归一化(normalize)值(8.1s)>1％，同时在验证时间(validation time)(0.5s)内信号强度低于峰值信号强度，认为抓取到刻蚀终点；如图1所示，从8s这个时点开始到抓取到的刻蚀终点这段区间范围内的峰值强度变化率为1.79％，epd模型工艺窗口较小，容易引
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，用于解决现有技术中epd模型工艺窗口较小导致过刻蚀的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，包括：
3、步骤一，通过刻蚀终点检测系统收集侧墙刻蚀工艺的epd模型数据，确定刻蚀生成物的峰值信号抓取过程的峰值强度变化率；
4、步骤二，减少刻蚀生成物的峰值信号抓取开始前的延迟时间，以增大刻蚀生成物的峰值信号抓取过程的峰值强度变化率；
5、步骤三，通过晶圆流片的数据拟合，确认上述峰值强度变化率的改变满足epd模型要求且刻蚀终点检测时间与预设基准匹配。
6、优选的，epd模型数据包括同一制造工艺平台中不同腔体的数据或者不同制造工艺平台中同一腔体的数据。
7、优选的，峰值强度变化率>1％。
8、优选的，实施刻蚀终点检测时，epd模型所用的算法为抓取刻蚀生成物的峰值信号。
9、优选的，在步骤三中，用于流片验证的晶圆不少于200片。
10、优选的，侧墙由氮化硅和氧化硅层叠构成。
11、优选的，侧墙刻蚀工艺从对氮化硅的刻蚀开始至完全去除氮化硅时终止。
12、如上所述，本申请提供的侧墙刻蚀终点检测优化方法，具有以下有益效果：通过epd算法抓取峰值信号时，减少epd模型的延迟时间，增大峰值强度变化率，从而增大epd的工艺窗口，最终使平台工艺作业稳定。
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1.一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述EPD模型数据包括同一制造工艺平台中不同腔体的数据或者不同制造工艺平台中同一腔体的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述峰值强度变化率>1％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述刻蚀终点检测时，EPD模型所用的算法为抓取刻蚀生成物的峰值信号。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤三中，用于流片验证的晶圆不少于200片。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙由氮化硅和氧化硅层叠构成。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述侧墙刻蚀工艺从对所述氮化硅的刻蚀开始至完全去除氮化硅时终止。
【技术特征摘要】
1.一种侧墙刻蚀终点检测优化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述epd模型数据包括同一制造工艺平台中不同腔体的数据或者不同制造工艺平台中同一腔体的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述峰值强度变化率>1％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述刻蚀终点检...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘周，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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