System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种薄膜真空规一体化测试装置制造方法及图纸_技高网

一种薄膜真空规一体化测试装置制造方法及图纸

技术编号:43616276 阅读:6 留言:0更新日期:2024-12-11 14:58
本发明专利技术公开了一种薄膜真空规一体化测试装置。其中装置包括数字采集存储模块、电源模块、数据显示控制器、第一薄膜真空规接口及第二薄膜真空规接口;第一薄膜真空规接口与第二薄膜真空规接口分别用于连接到第一薄膜真空规与第二薄膜真空规;数字采集存储模块用于在第一薄膜真空规接口及第二薄膜真空规接口连接到薄膜真空规时,从薄膜真空规处获取真空规测量值,并为第二薄膜真空规供电;数据显示控制器用于对真空规测量值进行显示;电源模块用于为数据显示控制器以及数字采集存储模块供电。上述装置能提高对薄膜真空规进行数据采集与处理时的便利性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设备监测,尤其是涉及一种薄膜真空规一体化测试装置


技术介绍

1、薄膜真空规是利用薄膜技术来感应真空环境中的压力变化的设备,其常被用于各种半导体设备的工艺压力监测工作中。薄膜真空规也在现代半导体真空测试中起着关键的作用,其能够实时监测和提供精确的压力数据,确保真空测试系统在最佳压力范围内运行。

2、当前,在真空测试的过程中,常因环境空间等因素限制,无法为真空测试系统提供全套的供电电源等电气测试装备,真空测试系统仅由真空源、真空腔体与薄膜真空规组成。当前,薄膜真空规可以分为自身具有供电能力不需要从测试装置获取工作电源的薄膜真空规以及自身不具有供电能力的薄膜真空规。其中,自身不具有供电能力的薄膜真空规需要通过将数据输出接口连接到测试装置的薄膜真空规接口,从测试装置处获取工作电源。进一步的,当前用于连接到上述两种薄膜真空规的薄膜真空规接口不兼容。

3、因此,当需要对真空测试系统中的薄膜真空规进行数据采集时,现有的测试装置需要连接外部电源以获取供电,且用于连接薄膜真空规的薄膜真空规接口单一,无法同时连接到上述两种不同的薄膜真空规。当需要对上述两种不同的薄膜真空规进行数据采集时,需要设置带有不同薄膜真空规接口的多个测试装置,极大的影响了对薄膜真空规进行数据采集与处理时的便利性。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供了一种薄膜真空规一体化测试装置,主要目的在于解决对薄膜真空规进行数据采集与处理时的便利性过低的技术问题。

2、根据本专利技术的第一个方面,提供了一种薄膜真空规一体化测试装置,所述薄膜真空规一体化测试装置包括数字采集存储模块、电源模块、数据显示控制器、第一薄膜真空规接口以及第二薄膜真空规接口;

3、所述第一薄膜真空规接口用于连接到外部的第一薄膜真空规,所述第二薄膜真空规接口用于连接到外部的第二薄膜真空规,其中,所述第一薄膜真空规为不需要从所述薄膜真空规一体化测试装置获取工作电源的薄膜真空规,所述第二薄膜真空规为需要从所述薄膜真空规一体化测试装置获取工作电源的薄膜真空规;

4、所述数字采集存储模块用于在所述第一薄膜真空规接口连接到所述第一薄膜真空规时,从所述第一薄膜真空规处获取真空规测量值,并在所述第二薄膜真空规接口连接到所述第二薄膜真空规时,从所述第二薄膜真空规处获取真空规测量值;

5、所述数据显示控制器用于从所述数字采集存储模块获取所述真空规测量值,并使所述真空规测量值在所述数据显示控制器带有的显示屏上进行显示;

6、所述电源模块用于为所述数据显示控制器以及所述数字采集存储模块供电;

7、所述数字采集存储模块还用于在所述第二薄膜真空规接口连接到所述第二薄膜真空规时,经所述第二薄膜真空规接口为所述第二薄膜真空规供电。

8、在一个可选的实施例中,所述第一薄膜真空规接口为公头接口,所述第二薄膜真空规接口为母头接口,所述第一薄膜真空规接口以及所述第二薄膜真空规接口分别与所述数字采集存储模块的不同的数据接口连接。

9、在一个可选的实施例中,所述数字采集存储模块具有存储单元,用于对所述真空规测量值进行存储。

10、在一个可选的实施例中,所述数字采集存储模块被配置为执行以下处理:获取所述真空规测量值;对所述真空规测量值进行单位转换,得到预设目标计量单位的真空规气压测量值;将所述真空规气压测量值进行存储。

11、在一个可选的实施例中,所述薄膜真空规一体化测试装置还具有数据传输接口,用于连接到远端的上位机;所述数据传输接口还与所述数字采集存储模块的数据交互接口连接,用于在所述数据传输接口连接到所述上位机时,在所述上位机与所述数字采集存储模块间建立通信连接。

12、在一个可选的实施例中,所述数据显示控制器被配置为执行以下处理:从所述数字采集存储模块处获取所述真空规测量值;对所述真空规测量值进行单位转换,得到预设目标计量单位的真空规气压测量值;将所述真空规气压测量值进行显示。

13、在一个可选的实施例中,所述数据显示控制器被配置为执行以下处理:监测所述真空规测量值,在所述真空规测量值下降到低于预设下限值时,发出报警提示信息。

14、在一个可选的实施例中,所述数据显示控制器还被配置为执行以下处理:监测所述真空规测量值,在所述真空规测量值上升到高于预设上限值时,发出报警提示信息。

15、在一个可选的实施例中,所述薄膜真空规一体化测试装置具有硬质外壳;所述数字采集存储模块设置于所述硬质外壳内,所述数据显示控制器、所述数据传输接口、所述第一薄膜真空规接口以及所述第二薄膜真空规接口设置于所述硬质外壳的外表面处。

16、在一个可选的实施例中,所述电源模块包括电源提供模块以及电压转换模块;所述电源提供模块用于连接到外部的供电电源,以获取工作电压,并将所述工作电压输送到所述电压转换模块;所述电压转换模块用于对所述工作电压进行电压等级转换,得到预设电压等级的供电电压,并基于所述供电电压为所述数据显示控制器以及所述数字采集存储模块供电。

17、本专利技术提供的一种薄膜真空规一体化测试装置,在测试装置内设置电源模块,以在对真空测试系统中的薄膜真空规进行数据采集时,不需要设置额外的电力设备为测试装置供电。进一步的,在薄膜真空规一体化测试装置处设置两种薄膜真空规接口,能够使薄膜真空规一体化测试装置能同时兼容自身具有供电能力不需要从测试装置获取工作电源的薄膜真空规以及自身不具有供电能力的薄膜真空规,且能通过第二薄膜真空规接口为自身不具有供电能力的薄膜真空规供电,提高了薄膜真空规一体化测试装置对不同薄膜真空规的适应性。进一步的,通过薄膜真空规一体化测试装置为自身不具有供电能力的薄膜真空规供电,可以不在测试环境中为自身不具有供电能力的薄膜真空规供电设置单独的电源,简化了测试环境。本申请提供的技术方案,能同时对多种薄膜真空规进行数据采集,且不需要在测试环境中设置过多的电源设备,显著提高了对薄膜真空规进行数据采集与处理时的便利性。

18、上述说明仅是本申请技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本申请的具体实施方式。

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【技术保护点】

1.一种薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述薄膜真空规一体化测试装置包括数字采集存储模块、电源模块、数据显示控制器、第一薄膜真空规接口以及第二薄膜真空规接口;

2.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述第一薄膜真空规接口为公头接口,所述第二薄膜真空规接口为母头接口,所述第一薄膜真空规接口以及所述第二薄膜真空规接口分别与所述数字采集存储模块的不同的数据接口连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数字采集存储模块具有存储单元,用于对所述真空规测量值进行存储。

4.根据权利要求3所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数字采集存储模块被配置为执行以下处理:

5.根据权利要求4所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述薄膜真空规一体化测试装置还具有数据传输接口,用于连接到远端的上位机;

6.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数据显示控制器被配置为执行以下处理:

7.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数据显示控制器被配置为执行以下处理:

8.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数据显示控制器还被配置为执行以下处理:

9.根据权利要求4所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述薄膜真空规一体化测试装置具有硬质外壳;

10.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述电源模块包括电源提供模块以及电压转换模块;

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【技术特征摘要】

1.一种薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述薄膜真空规一体化测试装置包括数字采集存储模块、电源模块、数据显示控制器、第一薄膜真空规接口以及第二薄膜真空规接口;

2.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述第一薄膜真空规接口为公头接口,所述第二薄膜真空规接口为母头接口,所述第一薄膜真空规接口以及所述第二薄膜真空规接口分别与所述数字采集存储模块的不同的数据接口连接。

3.根据权利要求1所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数字采集存储模块具有存储单元,用于对所述真空规测量值进行存储。

4.根据权利要求3所述的薄膜真空规一体化测试装置,其特征在于,所述数字采集存储模块被配置为执行以下处理:

5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏涛张心强郜晨希徐亚辉刘瑞琪林琳孙小孟张沙郑旭闫明李超波
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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