一种分布气隙式的平板变压器制造技术

技术编号:43615694 阅读:3 留言:0更新日期:2024-12-11 14:58
本技术涉及一种分布气隙式的平板变压器,包括主磁芯,主磁芯的中间位置处设有中柱,并且长度方向的两侧处设有开口,中柱自下而上穿设有至少一第一绕组组件、至少一第二绕组组件、至少一第三绕组组件与第四绕组,第四绕组的顶端处设有绝缘隔板,主磁芯的顶端压接I片磁芯,I片磁芯的底端处设有凹槽,凹槽的宽度大于中柱的外径,并且底端到中柱顶端的最短距离为L1。该分布气隙式的平板变压器具有提高变压器能量传输效率,提高一致性,降低涡流损耗等优点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及平板变压器,特别是一种分布气隙式的平板变压器


技术介绍

1、目前,随着电源小型化的发展,提高电源设计的功率密度势在必行,而其中更为关键的变压器损耗成为电源小型化的瓶颈,过高的损耗导致变压器温度过高,不能适应产品的需求。由于一般高频变压器设计,都会选择磁芯开气隙,势必会产生漏磁通:旁路磁通和边缘磁通,这导致变压器在工作时损耗加大。平板变压器温度测试过程中,发现变压器内部绕组温度比磁芯过高,特别是在气隙处的扁平铜线,温度甚高,结合磁场分布,气隙的位置对变压器绕组的损耗有较大影响。基于此,优化气隙分布的平板变压器,实现电源的小型高功率。

2、为此我们研发了一种分布气隙式的平板变压器,用以解决以上问题。


技术实现思路

1、本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种分布气隙式的平板变压器,具有提高变压器能量传输效率,提高一致性,降低涡流损耗等优点。

2、为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种分布气隙式的平板变压器,包括主磁芯,所述主磁芯的中间位置处设有中柱,并且长度方向的两侧处设有开口,所述中柱自下而上穿设有至少一第一绕组组件、至少一第二绕组组件、至少一第三绕组组件与第四绕组,所述第四绕组的顶端处设有绝缘隔板,所述主磁芯的顶端压接i片磁芯,所述i片磁芯的底端处设有凹槽,所述凹槽的宽度大于所述中柱的外径,并且底端到所述中柱顶端的最短距离为l1。

3、优选的,所述第一绕组组件自下而上包括第一扁平线绕组、第一线饼绕组,所述第二绕组组件自下而上包括第二扁平线绕组与第二线饼绕组,所述第三绕组组件自下而上包括第三扁平线绕组与第三线饼绕组,所述第一扁平线绕组、所述第二扁平线绕组与所述第三扁平线绕组的扁平线厚度为0.25mm~1.2mm,并且宽度为3.5mm~10mm。

4、优选的,所述第四绕组为扁平线绕组,所述主磁芯的内底端设有一平面,所述第四绕组、所述第三线饼绕组、所述第三扁平线绕组、所述第二线饼绕组、所述第二扁平线绕组、所述第一线饼绕组、所述第一扁平线绕组与所述平面相邻之间分别设有一绝缘垫。

5、优选的,所述中柱到所述凹槽的侧壁距离为l2,距离l2的范围为0<l2≤l1,距离l1的范围为0<l1≤2mm。

6、优选的,扁平线绕组的漆膜厚度为0.06mm~0.17mm。

7、优选的,所述第一扁平线绕组、所述第二扁平线绕组、所述第三扁平线绕组与所述第四扁平线绕组的结构尺寸相同。

8、优选的,所述第一线饼绕组、所述第二线饼绕组与所述第三线饼绕组的结构尺寸相同。

9、优选的,所述第四扁平线绕组包括至少两圈第一扁平铜线,所述第一扁平铜线的一端处设有第一连接端,并且另一端处设有第二连接端,所述第一连接端设有第一矩形孔,所述第二连接端设有第二矩形孔,所述第一矩形孔固定连接至外部连接件。

10、优选的,所述第四扁平线绕组还包括至少两圈第二扁平铜线,所述第二扁平铜线的一端处设有第三连接端,所述第三连接端设有第三矩形孔,所述第二扁平铜线的另一端处设有第四连接端,所述第四连接端设有第四矩形孔,所述第三矩形孔与所述第二矩形孔固定连接至外部连接件。

11、优选的,所述绝缘隔板的中间位置处设有一圆通孔,所述中柱的顶端穿过所述圆通孔设置,所述中柱的顶端设有u形结构的所述凹槽。

12、由于上述技术方案的运用,本技术与现有技术相比具有下列优点:

13、本技术所述分布气隙式的平板变压器,变压器内部绕组远离了气隙,减小了气隙处漏磁通对内部绕组的涡流损耗,对变压器效率有一定的提升,且变压器的感量可控,提高一致性;磁芯结构可有效加大气隙与扁平线间距,减小扁平线涡流损耗;同时可在变压器空间容许的情况,在扁平线与气隙间再增加一层隔板,可进一步优化变压器损耗,而不会过多增加变压器高度或成本。

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【技术保护点】

1.一种分布气隙式的平板变压器,其特征在于:包括主磁芯(70),所述主磁芯(70)的中间位置处设有中柱(71),并且长度方向的两侧处设有开口(75),所述中柱(71)自下而上穿设有至少一第一绕组组件、至少一第二绕组组件、至少一第三绕组组件与第四绕组(30),所述第四绕组(30)的顶端处设有绝缘隔板(20),所述主磁芯(70)的顶端压接I片磁芯(10),所述I片磁芯(10)的底端处设有凹槽(11),所述凹槽(11)的宽度大于所述中柱(71)的外径,并且底端到所述中柱(71)顶端的最短距离为L1。

2.根据权利要求1所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第一绕组组件自下而上包括第一扁平线绕组(60)、第一线饼绕组(59),所述第二绕组组件自下而上包括第二扁平线绕组(50)与第二线饼绕组(49),所述第三绕组组件自下而上包括第三扁平线绕组(40)与第三线饼绕组(39),所述第一扁平线绕组(60)、所述第二扁平线绕组(50)与所述第三扁平线绕组(40)的扁平线厚度为0.25mm~1.2mm,并且宽度为3.5mm~10mm。

3.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第四绕组(30)为扁平线绕组,所述主磁芯(70)的内底端设有一平面(72),所述第四绕组(30)、所述第三线饼绕组(39)、所述第三扁平线绕组(40)、所述第二线饼绕组(49)、所述第二扁平线绕组(50)、所述第一线饼绕组(59)、所述第一扁平线绕组(60)与所述平面(72)相邻之间分别设有一绝缘垫(80)。

4.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述中柱(71)到所述凹槽(11)的侧壁距离为L2,距离L2的范围为0<L2≤L1,距离L1的范围为0<L1≤2mm。

5.根据权利要求3所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第一扁平线绕组(60)、所述第二扁平线绕组(50)、所述第三扁平线绕组(40)与所述第四绕组(30)的结构尺寸相同。

6.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第一扁平线绕组(60)的漆膜厚度为0.06mm~0.17mm。

7.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第一线饼绕组(59)、所述第二线饼绕组(49)与所述第三线饼绕组(39)的结构尺寸相同。

8.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第四绕组(30)包括至少两圈第一扁平铜线(31),所述第一扁平铜线(31)的一端处设有第一连接端(311),并且另一端处设有第二连接端(315),所述第一连接端(311)设有第一矩形孔(312),所述第二连接端(315)设有第二矩形孔(316),所述第一矩形孔(312)固定连接至外部连接件。

9.根据权利要求8所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第四绕组(30)还包括至少两圈第二扁平铜线(32),所述第二扁平铜线(32)的一端处设有第三连接端(321),所述第三连接端(321)设有第三矩形孔(322),所述第二扁平铜线(32)的另一端处设有第四连接端(325),所述第四连接端(325)设有第四矩形孔(326),所述第三矩形孔(322)与所述第二矩形孔(316)固定连接至外部连接件。

10.根据权利要求1所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述绝缘隔板(20)的中间位置处设有一圆通孔(21),所述中柱(71)的顶端穿过所述圆通孔(21)设置,所述中柱(71)的顶端设有U形结构的所述凹槽(11)。

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【技术特征摘要】

1.一种分布气隙式的平板变压器,其特征在于:包括主磁芯(70),所述主磁芯(70)的中间位置处设有中柱(71),并且长度方向的两侧处设有开口(75),所述中柱(71)自下而上穿设有至少一第一绕组组件、至少一第二绕组组件、至少一第三绕组组件与第四绕组(30),所述第四绕组(30)的顶端处设有绝缘隔板(20),所述主磁芯(70)的顶端压接i片磁芯(10),所述i片磁芯(10)的底端处设有凹槽(11),所述凹槽(11)的宽度大于所述中柱(71)的外径,并且底端到所述中柱(71)顶端的最短距离为l1。

2.根据权利要求1所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第一绕组组件自下而上包括第一扁平线绕组(60)、第一线饼绕组(59),所述第二绕组组件自下而上包括第二扁平线绕组(50)与第二线饼绕组(49),所述第三绕组组件自下而上包括第三扁平线绕组(40)与第三线饼绕组(39),所述第一扁平线绕组(60)、所述第二扁平线绕组(50)与所述第三扁平线绕组(40)的扁平线厚度为0.25mm~1.2mm,并且宽度为3.5mm~10mm。

3.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述第四绕组(30)为扁平线绕组,所述主磁芯(70)的内底端设有一平面(72),所述第四绕组(30)、所述第三线饼绕组(39)、所述第三扁平线绕组(40)、所述第二线饼绕组(49)、所述第二扁平线绕组(50)、所述第一线饼绕组(59)、所述第一扁平线绕组(60)与所述平面(72)相邻之间分别设有一绝缘垫(80)。

4.根据权利要求2所述分布气隙式的平板变压器,其特征在于,所述中柱(71)到所述凹槽(11)的侧壁距离为l2,距离l2的范围为0<l2≤l1,距离l1的范围为0<l1≤2m...

【专利技术属性】
技术研发人员:雷同杰
申请(专利权)人:苏州明纬科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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