【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，特别是涉及一种宽输入控制电路。
技术介绍
1、目前通常会有输入信号在一定范围内变化的情况发生，即存在宽范围信号输入的情形。宽范围信号的高电平和低电平分别在一定范围内变化，而不是一个定值。例如，宽范围信号的高电平可以在1.8v-3.6v的范围内变化，宽范围信号的低电平可以在0-0.4v的范围内变化。若依据这种宽范围信号对后级电路进行控制，就可能会引起后级电路的失控。例如若反相器的输入端接收到的是一个宽范围信号，则可能导致反相器的输出存在不确定性，即反相器的输出不能确定是高电平还是低电平，导致失控，并且受反相器输出信号控制的其他电路进而也会失控。
2、因此，在宽范围信号输入的情形下，也能保证对后级电路的稳定控制是至关重要的。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种宽输入控制电路。
2、本申请实施例提供一种宽输入控制电路，所述宽输入控制电路包括预处理电路和开关控制电路；
3、所述预处理电路被配置为对输入的宽范围信号进行电压转换，以获得具有恒定电压的目标信号并输出；
4、所述开关控制电路被配置为根据所述目标信号控制射频开关的打开或关闭。
5、在一可选实施方式中，所述预处理电路包括电压匹配电路和电平移位电路；
6、所述电压匹配电路被配置为对宽范围信号进行升压或降压，以获得匹配宽范围信号并输出；
7、所述电平移位电路被配置为对输入的所述匹配宽范围信号
8、在一可选实施方式中，所述电压匹配电路包括第一电阻和第二电阻；
9、第一电阻的第一端被配置为输入所述宽范围信号，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端连接并被配置为输出所述匹配宽范围信号，第二电阻的第二端与第二基准电压端连接。
10、在一可选实施方式中，所述电平移位电路包括第一转换模块和第二转换模块；
11、所述第一转换模块和所述第二转换模块分别被配置为在输入的匹配宽范围信号的控制下，一个在另一个打开以进行电压转换期间关闭，以交替生成具有恒定电压的目标信号并输出。
12、在一可选实施方式中，所述第一转换模块包括第一低边功率晶体管电路和第一高边功率晶体管电路；
13、所述第一低边功率晶体管电路被配置为在所述匹配宽范围信号的控制下导通或断开，以控制第一中间控制信号的输出；所述第一中间控制信号根据第二基准电压确定；
14、所述第一高边功率晶体管电路被配置为在所述第一中间控制信号的控制下导通或断开，以控制所述目标信号的输出；所述目标信号根据第一基准电压确定。
15、在一可选实施方式中，所述第一低边功率晶体管电路包括第三nmos晶体管；所述第一高边功率晶体管电路包括第二pmos晶体管；
16、第三nmos晶体管的栅极被配置为输入所述匹配宽范围信号，第三nmos晶体管的源极与第二基准电压端连接，第三nmos晶体管的漏极被配置为输出所述第一中间控制信号；
17、第二pmos晶体管的栅极被配置为输入所述第一中间控制信号，第二pmos晶体管的源极与第一基准电压端连接，第二pmos晶体管的漏极被配置为输出所述目标信号。
18、在一可选实施方式中，所述第二转换模块包括反相器电路和第二低边功率晶体管电路；
19、所述反相器电路被配置为将所述匹配宽范围信号进行反相并输出所述匹配宽范围信号的反相信号；
20、所述第二低边功率晶体管电路被配置为在所述反相信号的控制下导通或断开，以控制目标信号的输出；所述目标信号根据第二基准电压确定。
21、在一可选实施方式中，所述反相器电路包括第五pmos晶体管和第六nmos晶体管；所述第二低边功率晶体管电路包括第四nmos晶体管；
22、第五pmos晶体管的栅极和第六nmos晶体管的栅极分别被配置为输入所述匹配宽范围信号，第五pmos晶体管的源极与第一基准电压端连接，第六nmos晶体管的源极与第二基准电压端连接，第五pmos晶体管的漏极与第六nmos晶体管的漏极连接并被配置为输出所述反相信号；
23、第四nmos晶体管的栅极被配置为输入所述反相信号，第四nmos晶体管的源极与第二基准电压端连接，第四nmos晶体管的漏极被配置为输出所述目标信号。
24、在一可选实施方式中，所述电平移位电路还包括第一反馈控制模块；
25、所述第一反馈控制模块包括第一pmos晶体管；
26、第一pmos晶体管的栅极被配置为输入所述目标信号，第一pmos晶体管的源极与第一基准电压端连接，第一pmos晶体管的漏极被配置为输出第一辅助控制信号，以控制所述第一转换模块维持关闭。
27、在一可选实施方式中，所述开关控制电路包括第一反相器和第二反相器；
28、第一反相器的输入端被配置为输入所述目标信号，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端被配置为输出开关控制信号，以控制射频开关的打开或关闭。
29、本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：通过预处理电路和开关控制电路，能够将宽范围信号进行预处理后再输入到开关控制电路，能够使开关控制电路中的反相器受具有恒定电压的目标信号的控制而克服输出不确定电平的缺陷，以在宽范围信号输入的情形下也能够实现对后级电路的稳定控制，得到期望的控制响应，避免失控情况的发生。
30、本申请实施例附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请实施例的实践了解到。
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1.一种宽输入控制电路，其特征在于，所述宽输入控制电路包括预处理电路和开关控制电路；
2.根据权利要求1所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述预处理电路包括电压匹配电路和电平移位电路；
3.根据权利要求2所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述电压匹配电路包括第一电阻和第二电阻；
4.根据权利要求2所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述电平移位电路包括第一转换模块和第二转换模块；
5.根据权利要求4所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述第一转换模块包括第一低边功率晶体管电路和第一高边功率晶体管电路；
6.根据权利要求5所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述第一低边功率晶体管电路包括第三NMOS晶体管；所述第一高边功率晶体管电路包括第二PMOS晶体管；
7.根据权利要求4所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述第二转换模块包括反相器电路和第二低边功率晶体管电路；
8.根据权利要求7所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述反相器电路包括第五PMOS晶体管和第六NMOS晶体管；所述第二低边功率晶体管电路包括第
9.根据权利要求4所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述电平移位电路还包括第一反馈控制模块；
10.根据权利要求1-9任一项所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述开关控制电路包括第一反相器和第二反相器；
...【技术特征摘要】
1.一种宽输入控制电路，其特征在于，所述宽输入控制电路包括预处理电路和开关控制电路；
2.根据权利要求1所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述预处理电路包括电压匹配电路和电平移位电路；
3.根据权利要求2所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述电压匹配电路包括第一电阻和第二电阻；
4.根据权利要求2所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述电平移位电路包括第一转换模块和第二转换模块；
5.根据权利要求4所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述第一转换模块包括第一低边功率晶体管电路和第一高边功率晶体管电路；
6.根据权利要求5所述的宽输入控制电路，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘德昌，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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