【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装领域，涉及一种半导体封装结构及制作方法。
技术介绍
1、在半导体封装
，特别是在fcbga封装结构中，芯片的散热效果是一个重要的考虑因素，在封装结构工作过程中，芯片会产生大量的热量，如果这些热量不能及时散发出去，将会导致芯片的工作效率降低，甚至可能导致芯片的损坏，因此，如何有效地提高芯片的散热效果，是半导体封装技术面临的一个重要问题。
2、如图1所示，现有技术的解决方案是在功能芯片2的上表面涂敷散热胶6，再压合散热盖8，功能芯片2的热量通过散热胶6、散热盖8散发出去，其中，精准控制散热胶6的厚度对功能芯片2的散热性能至关重要。现有制程存在以下问题：1)将功能芯片2焊接至封装基板1的过程中，封装基板1会高温形变(形变量约为10-50μm)，基板形变直接影响到散热胶6的厚度；2)功能芯片2厚度误差(±10μm)、散热盖8深度误差(±25μm)等，也会影响到散热胶6的厚度。即封装基板形变、芯片厚度误差、散热盖深度误差等综合因素使得散热胶的厚度无法精准控制在合格范围内，影响芯片的散热效果。
3、因此，如何提供一种半导体封装结构及制作方法，以精准控制散热胶的厚度，提高芯片的散热效果，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构及制作方法，用于解决现有技术中封装结构的散热胶厚度误差大的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半
3、提供封装基板，所述封装基板包括相对设置的上表面和下表面，所述封装基板的上表面焊接有功能芯片；
4、提供辅助晶片，将所述辅助晶片贴附于所述功能芯片的上表面预设位置，其中，所述辅助晶片的尺寸小于所述功能芯片的尺寸；
5、于所述功能芯片的上表面形成散热胶，所述散热胶覆盖所述辅助晶片，所述散热胶具有可形变性；
6、提供散热盖，将所述散热盖放置于所述散热胶上，其中，所述散热盖的顶部和所述散热胶接触，所述散热盖的侧壁部位于所述功能芯片的侧壁外围；
7、将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面，其中，所述散热盖的顶部和所述辅助晶片的上表面接触。
8、可选地，将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面之前，还包括于所述封装基板的上表面预设位置形成粘合胶的步骤，将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面后，所述散热盖的侧壁部底端通过所述粘合胶固定于所述封装基板。
9、可选地，所述辅助晶片的数量为多个，通过贴片机将多个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片的上表面预设位置。
10、可选地，所述功能芯片的上表面为矩形，所述辅助晶片的数量为四个，四个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片上表面的四个角区。
11、可选地，所述辅助晶片的厚度范围为50μm-60μm，所述散热胶的厚度不小于所述辅助晶片的厚度。
12、可选地，所述散热胶的热导率不低于3w/m·k。
13、可选地，所述散热盖的材质包括铜。
14、本专利技术还提供一种半导体封装结构，包括：
15、封装基板，所述封装基板包括相对设置的上表面和下表面，所述封装基板的上表面焊接有功能芯片；
16、辅助晶片，位于所述功能芯片的上表面预设位置，所述辅助晶片的尺寸小于所述功能芯片的尺寸；
17、散热胶，位于所述功能芯片的上表面，所述散热胶的上表面与所述辅助晶片的上表面齐平；
18、散热盖，覆盖所述功能芯片和所述辅助晶片，所述散热盖的顶部和所述辅助晶片的上表面接触，所述散热盖的侧壁部位于所述功能芯片的侧壁外围。
19、可选地，还包括粘合胶，所述粘合胶位于所述散热盖的侧壁部和所述封装基板之间，所述散热盖的侧壁部底端通过所述粘合胶固定于所述封装基板。
20、可选地，所述辅助晶片的厚度范围为50μm-60μm。
21、如上所述，本专利技术的半导体封装结构及制作方法中，散热盖的顶部和辅助晶片的上表面接触，通过辅助晶片的厚度控制散热胶的厚度，使得散热胶的厚度能够精准的控制在合格范围内，提高半导体封装结构的散热效果，降低芯片结温失效的风险。
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1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面之前，还包括于所述封装基板的上表面预设位置形成粘合胶的步骤，将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面后，所述散热盖的侧壁部底端通过所述粘合胶固定于所述封装基板。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述辅助晶片的数量为多个，通过贴片机将多个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片的上表面预设位置。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述功能芯片的上表面为矩形，所述辅助晶片的数量为四个，四个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片上表面的四个角区。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述辅助晶片的厚度范围为50μm-60μm，所述散热胶的厚度不小于所述辅助晶片的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述散热胶的热导率不低于3W/m·K。
7.根据权利要求1所
8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：还包括粘合胶，所述粘合胶位于所述散热盖的侧壁部和所述封装基板之间，所述散热盖的侧壁部底端通过所述粘合胶固定于所述封装基板。
10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于：所述辅助晶片的厚度范围为50μm-60μm。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面之前，还包括于所述封装基板的上表面预设位置形成粘合胶的步骤，将所述散热盖压合至所述辅助晶片的上表面后，所述散热盖的侧壁部底端通过所述粘合胶固定于所述封装基板。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述辅助晶片的数量为多个，通过贴片机将多个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片的上表面预设位置。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于：所述功能芯片的上表面为矩形，所述辅助晶片的数量为四个，四个所述辅助晶片分离置于所述功能芯片上表面的四个角区。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏颖，
申请(专利权)人：矽品科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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