【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种非易失性存储器以及编程方法。
技术介绍
1、近年来，移动式的电子设备，例如平板计算机、笔记本电脑、智能手机以及固态驱动器，开始采用与非式(nand)闪存作为其主要数据储存媒介。因此，低成本以及高密度的与非式闪存的需求一直在快速增长。为了克服快闪存储单元尺寸缩小的问题，各种类型的三维堆叠式电荷捕捉层的快闪存储单元被提出。
2、然而，随着存储单元中的间距减小，存储单元间的电荷的横向移动造成的数据保留度严重的降低。而在存储单元中设置更多的层次也会导致更高的电阻并引起过驱动问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种非易失性存储器以及编程方法。
2、本专利技术的编程方法包括：针对第n条字线的多个第一存储单元进行读取动作，并判断第一存储单元的等效阈值电压是否大于预设阈值来产生判断结果，其中n为大于1的正整数；以及，当针对第n+1条字线的多个第二存储单元进行编程动作时，根据判断结果以决定是否调整多个编程验证电压中的至少一选中编程验证电压一偏移值。
3、本专利技术的非易失性存储器包括存储单元阵列以及控制器。存储单元阵列具有多个存储单元串，各存储单元串耦接多条字线。控制器耦接该忆胞阵列，用于：针对第n条字线的多个第一存储单元进行读取动作，并判断第一存储单元的等效阈值电压是否大于预设阈值来产生判断结果，其中n为大于1的正整数；以及，当针对第n+1条字线的多个第二存储单元进行编程动作时，根据判断结果以决定是否调整多个编程验证电压中的至少一选中编
4、基于上述，本专利技术的非易失性存储器，在进行目前字线的存储单元的编程动作时，可读取前一字线的存储单元的阈值电压的状态。再根据前一字线的存储单元的等效阈值电压来决定是否针对目前字线的存储单元的编程动作中的编程验证电压进行调整。通过上述的编程验证电压的调整动作，可改善非易失性存储器在编程动作中所产生的过驱动(overdrive)现象。并且，当存储单元中的储存数据发生衰减时，可使存储单元的阈值电压分布更为集中，有效改善其数据保存度(data retention)。
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1.一种编程方法，适用于一非易失性存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的编程方法，其中针对该第N条字线的这些第一存储单元进行读取动作前，完成针对该第N+1条字线的这些第二存储单元的第一部分的编程动作。
3.根据权利要求1所述的编程方法，其中针对该第N条字线的这些第一存储单元进行读取动作，判断这些第一存储单元的该等效阈值电压是否大于该预设阈值来产生该判断结果的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的编程方法，其中当该读取电流小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压大于该预设阈值；当该读取电流不小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压不大于该预设阈值。
5.根据权利要求1所述的编程方法，其中根据该判断结果以决定是否调整这些编程验证电压中的该至少一选中编程验证电压该偏移值的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的编程方法，其中根据该判断结果以决定是否调整这些编程验证电压中的该至少一选中编程验证电压该偏移值的步骤还包括：
7.根据权利要求2所述的编程方法，还包括：
8.根据权利要求7
9.一种非易失性存储器，包括：
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中该控制器针对该第N条字线的这些第一存储单元进行读取动作前，完成针对该第N+1条字线的这些第二存储单元的第一部分的编程动作。
11.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中该控制器还用于：
12.根据权利要求11所述的非易失性存储器，其中当该读取电流小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压大于该预设阈值；当该读取电流不小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压不大于该预设阈值。
13.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中该控制器还用于：
14.根据权利要求13所述的非易失性存储器，其中该控制器还用于：
15.根据权利要求10所述的非易失性存储器，其中该控制器还用于：
16.根据权利要求15所述的非易失性存储器，其中这些第二存储单元的第二部分的阈值电压大于这些第二存储单元的第一部分的阈值电压。
17.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中各该存储单元串为与非式快闪存储单元串。
18.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中各该存储单元串形成一柱状通道结构。
...【技术特征摘要】
1.一种编程方法，适用于一非易失性存储器，包括：
2.根据权利要求1所述的编程方法，其中针对该第n条字线的这些第一存储单元进行读取动作前，完成针对该第n+1条字线的这些第二存储单元的第一部分的编程动作。
3.根据权利要求1所述的编程方法，其中针对该第n条字线的这些第一存储单元进行读取动作，判断这些第一存储单元的该等效阈值电压是否大于该预设阈值来产生该判断结果的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的编程方法，其中当该读取电流小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压大于该预设阈值；当该读取电流不小于该参考电流时，表示这些第一存储单元的该等效阈值电压不大于该预设阈值。
5.根据权利要求1所述的编程方法，其中根据该判断结果以决定是否调整这些编程验证电压中的该至少一选中编程验证电压该偏移值的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的编程方法，其中根据该判断结果以决定是否调整这些编程验证电压中的该至少一选中编程验证电压该偏移值的步骤还包括：
7.根据权利要求2所述的编程方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的编程方法，其中这些第二存储单元的第二部分的阈值电压大于这些第二存储单元的第一部分的阈值电压。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚叡，陈冠复，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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