【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种晶片吸盘及晶片固定方法。
技术介绍
1、在半导体晶片的检测设备中，晶片需要进行固定，才能够实现全方位的检测。因此，检测设备中通常采用吸盘对晶片进行固定，以避免在固定时对晶片表面产生损伤。
2、目前所采用的晶片吸盘通常需要为送片的片叉预留放置空间，导致吸盘在吸附晶片时，晶片在片叉的放置空间处无法受到吸附力，从而导致晶片不同部分的吸附力相差较大，在吸附一段时间后晶片出现明显变形，影响晶片的生产质量。
技术实现思路
1、本申请提供一种晶片吸盘及晶片固定方法，能够在吸附晶片时为晶片提供合适的吸附力，避免晶片变形，保证晶片的生产质量。
2、本申请提供了一种晶片吸盘，其中，包括吸附面和容纳槽，容纳槽用于容纳移送晶片的片叉结构，吸附面用于吸附晶片，吸附面包括第一吸附区和多个第二吸附区，多个第二吸附区与多个容纳槽一一对应的设置，各第二吸附区围绕于对应的容纳槽的周侧设置，第一吸附区围绕各第二吸附区周侧分布且连接各第二吸附区设置，第一吸附区和第二吸附区均具有独立的吸附孔。
3、如上的晶片吸盘，其中，第一吸附区内的吸附力大于第二吸附区内的吸附力。
4、如上的晶片吸盘，其中，晶片吸盘包括两个间隔设置的容纳槽，第一吸附区包括第一子吸附区、第二子吸附区和第三子吸附区，第一子吸附区和第二子吸附区均呈直径相同的扇环形状，第一子吸附区设于两个容纳槽的外侧，第二子吸附区设于两个容纳槽之间，第三子吸附区设于第一子吸附区和第二子吸附区之间，第一
5、如上的晶片吸盘，其中，第一子吸附区内的吸附力大于第二子吸附区内的吸附力及第三子吸附区内的吸附力。
6、如上的晶片吸盘，其中，第二吸附区包括第四子吸附区和第五子吸附区和第六子吸附区，第四子吸附区和第五子吸附区均与第一子吸附区处于同一环形结构内，且第四子吸附区和第五子吸附区分别设于容纳槽的两侧，第四子吸附区靠近第一子吸附区设置，第五子吸附区靠近第二子吸附区设置，第六子吸附区与第三子吸附区处于同一圆形结构内，第四子吸附区、第五子吸附区和第六子吸附区均具有独立的吸附孔。
7、如上的晶片吸盘，其中，晶片吸盘还包括吸附棱组件，吸附棱组件包括多个凸出于吸附面设置的吸附棱结构，多个吸附棱结构能够将吸附面分隔形成独立的第一子吸附区、第二子吸附区、第三子吸附区、第四子吸附区、第五子吸附区和第六子吸附区。
8、如上的晶片吸盘，其中，晶片吸盘还包括凸出于吸附面设置的第一凸起结构和第二凸起结构，第一凸起结构围绕于吸附面的边缘设置，用于对第一吸附区与吸附面所限定的圆柱体外的空间进行隔离；第二凸起结构围绕于容纳槽的边缘设置，用于对第二吸附区与容纳槽内部空间进行隔离。
9、如上的晶片吸盘，其中，第一吸附区内的吸附力被配置为第一预设吸附力f1，第二吸附区内的吸附力被配置为第二预设吸附力f2，第一预设吸附力f1与第二预设吸附力f2之间具有关系：90％f1≤f2＜100％ f1。
10、另一方面，本申请还提供了一种晶片固定方法，其中，适用于上述的晶片吸盘，包括：
11、将晶片经由片叉结构移送至晶片吸盘的吸附面，以使吸附棱组件支撑于晶片的底部；
12、设定第一预设吸附力和第二预设吸附力，第一预设吸附力大于第二预设吸附力；
13、吸附面的第一吸附区和第二吸附区分别以第一预设吸附力和第二预设吸附力对晶片进行吸附，以将晶片整体固定于吸附面。
14、如上的晶片固定方法，其中，在吸附面的第一吸附区和第二吸附区分别以第一预设吸附力和第二预设吸附力对晶片进行吸附的步骤中，具体包括：
15、第一吸附区的第三子吸附区在第一顺位以第一预设吸附力对晶片进行吸附；
16、第一吸附区的第二子吸附区在第二顺位以第一预设吸附力对晶片进行吸附；
17、第二吸附区的第五子吸附区和第六子吸附区在第三顺位以第二预设吸附力对晶片进行吸附；
18、第二吸附区的第四子吸附区在第四顺位以第二预设吸附力对晶片进行吸附；
19、第一吸附区的第一子吸附区在第五顺位以第一预设吸附力对晶片进行吸附。
20、本申请的晶片吸盘包括吸附面和容纳槽，在片叉结构移送晶片至吸附面时，片叉结构容纳于容纳槽内部，在晶片定位完成并由吸附面吸附之前，片叉结构由容纳槽内脱离。吸附面包括第一吸附区和多个第二吸附区，多个第二吸附区相互间隔分布并各自围绕于对应的容纳槽的周侧设置，第一吸附区则围绕各第二吸附区周侧分布且连接各第二吸附区设置，其中第一吸附区和第二吸附区均具有独立的吸附孔。在吸附面整体对晶片进行吸附时，容纳槽处对晶片无吸附力，围绕于容纳槽的第二吸附区及围绕于第二吸附区的第一吸附区能够对晶片产生不同的吸附力，从而能够在吸附晶片时为晶片的不同部分提供合适的吸附力，避免了晶片变形的情况，保证了晶片的生产质量。
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1.一种晶片吸盘，其特征在于，包括吸附面(100)和容纳槽(300)，所述容纳槽(300)用于容纳移送晶片(200)的片叉结构，所述吸附面(100)用于吸附所述晶片(200)，所述吸附面(100)包括第一吸附区(10)和多个第二吸附区(20)，多个所述第二吸附区(20)与多个容纳槽(300)一一对应的设置，各所述第二吸附区(20)围绕于对应的所述容纳槽(300)的周侧设置，所述第一吸附区(10)围绕各所述第二吸附区(20)周侧分布且连接各所述第二吸附区(20)设置，所述第一吸附区(10)和所述第二吸附区(20)均具有独立的吸附孔。
2.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第一吸附区(10)内的吸附力大于所述第二吸附区(20)内的吸附力。
3.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述晶片吸盘包括两个间隔设置的容纳槽(300)，所述第一吸附区(10)包括第一子吸附区(11)、第二子吸附区(12)和第三子吸附区(13)，所述第一子吸附区(11)和所述第二子吸附区(12)均呈直径相同的扇环形状，所述第一子吸附区(11)设于两个所述容纳槽(300)的
4.根据权利要求3所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第一子吸附区(11)内的吸附力大于所述第二子吸附区(12)内的吸附力及所述第三子吸附区(13)内的吸附力。
5.根据权利要求3所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第二吸附区(20)包括第四子吸附区(21)、第五子吸附区(22)和第六子吸附区(23)，所述第四子吸附区(21)和所述第五子吸附区(22)均与所述第一子吸附区(11)处于同一环形结构内，且所述第四子吸附区(21)和所述第五子吸附区(22)分别设于所述容纳槽(300)的两侧，所述第四子吸附区(21)靠近所述第一子吸附区(11)设置，所述第五子吸附区(22)靠近所述第二子吸附区(12)设置，所述第六子吸附区(23)与所述第三子吸附区(13)处于同一圆形结构内，所述第四子吸附区(21)、所述第五子吸附区(22)和所述第六子吸附区(23)均具有独立的吸附孔。
6.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述晶片吸盘还包括吸附棱组件(400)，所述吸附棱组件(400)包括多个凸出于所述吸附面(100)设置的吸附棱结构，多个所述吸附棱结构能够将所述吸附面(100)分隔形成独立的第一子吸附区(11)、第二子吸附区(12)、第三子吸附区(13)、第四子吸附区(21)、第五子吸附区(22)和第六子吸附区(23)。
7.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述晶片吸盘还包括凸出于所述吸附面(100)设置的第一凸起结构(110)和第二凸起结构(310)，所述第一凸起结构(110)围绕于所述吸附面(100)的边缘设置，用于对所述第一吸附区(10)与所述吸附面(100)所限定的圆柱体外的空间进行隔离；所述第二凸起结构(310)围绕于所述容纳槽(300)的边缘设置，用于对所述第二吸附区(20)与所述容纳槽(300)内部空间进行隔离。
8.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第一吸附区(10)内的吸附力被配置为第一预设吸附力F1，所述第二吸附区(20)内的吸附力被配置为第二预设吸附力F2，所述第一预设吸附力F1与所述第二预设吸附力F2之间具有关系：90％F1≤F2＜100％F1。
9.一种晶片固定方法，其特征在于，适用于如权利要求1至8中任一项所述的晶片吸盘，包括：
10.根据权利要求9所述的晶片固定方法，其特征在于，在所述吸附面(100)的第一吸附区(10)和第二吸附区(20)分别以所述第一预设吸附力和所述第二预设吸附力对所述晶片(200)进行吸附的步骤中，具体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶片吸盘，其特征在于，包括吸附面(100)和容纳槽(300)，所述容纳槽(300)用于容纳移送晶片(200)的片叉结构，所述吸附面(100)用于吸附所述晶片(200)，所述吸附面(100)包括第一吸附区(10)和多个第二吸附区(20)，多个所述第二吸附区(20)与多个容纳槽(300)一一对应的设置，各所述第二吸附区(20)围绕于对应的所述容纳槽(300)的周侧设置，所述第一吸附区(10)围绕各所述第二吸附区(20)周侧分布且连接各所述第二吸附区(20)设置，所述第一吸附区(10)和所述第二吸附区(20)均具有独立的吸附孔。
2.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第一吸附区(10)内的吸附力大于所述第二吸附区(20)内的吸附力。
3.根据权利要求1所述的晶片吸盘，其特征在于，所述晶片吸盘包括两个间隔设置的容纳槽(300)，所述第一吸附区(10)包括第一子吸附区(11)、第二子吸附区(12)和第三子吸附区(13)，所述第一子吸附区(11)和所述第二子吸附区(12)均呈直径相同的扇环形状，所述第一子吸附区(11)设于两个所述容纳槽(300)的外侧，所述第二子吸附区(12)设于两个所述容纳槽(300)之间，所述第三子吸附区(13)设于所述第一子吸附区(11)和所述第二子吸附区(12)之间，所述第一子吸附区(11)、所述第二子吸附区(12)与所述第三子吸附区(13)均具有独立的吸附孔。
4.根据权利要求3所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第一子吸附区(11)内的吸附力大于所述第二子吸附区(12)内的吸附力及所述第三子吸附区(13)内的吸附力。
5.根据权利要求3所述的晶片吸盘，其特征在于，所述第二吸附区(20)包括第四子吸附区(21)、第五子吸附区(22)和第六子吸附区(23)，所述第四子吸附区(21)和所述第五子吸附区(22)均与所述第一子吸附区(11)处于同一环形结构内，且所述第四子吸附区(21)和所述第五子吸附区(22)分...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱常兴，赵文斌，蒋健君，王志康，齐孟宗，
申请(专利权)人：北京奥普托科微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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