【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料表面处理，特别涉及一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法。
技术介绍
1、目前，在半导体行业中，致密的高纯氧化铝陶瓷涂层常用于对刻蚀工艺腔的内部零部件表面进行防护，但随着等离子体功率和密度的提高，对刻蚀工艺腔内壁的耐刻蚀性能也提出了更高的要求。通过表面镀膜的方法，来提高氧化铝陶瓷材料的耐等离子体刻蚀特性不失为一种有效的方法。
2、在现有研究中，氧化钇是一种具有优异耐等离子体刻蚀性能的材料，且能有效减少由于刻蚀产生的污染颗粒。物理刻蚀是等离子体刻蚀的重要组成部分，通过提高耐物理刻蚀性能可以实现更为优异的耐等离子体刻蚀性能。目前主要通过在氧化铝表面制备氧化钇涂层提高设备的耐久度和可靠度，而进一步提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能将有效降低设备零部件的维护成本和更换频率。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，通过在氧化钇涂层中形成氧空位，以提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
2、一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，包括以下步骤：
3、步骤s10，在将超声波清洗后的高纯烧结氧化铝基体送入镀膜工艺腔室之后，对镀膜工艺腔室进行抽真空以达到预设真空度；
4、步骤s11，通过第一气体离子源向镀膜工艺腔室内通入氩气，进行离化后释放氩等离子体，以对高纯烧结氧化铝基体进行等离子体清洗；
5、步骤s12；采用磁控溅射方式在等离子体清洗后的高纯烧结氧化铝基体表面沉积氧化钇涂层，同时
6、相较现有技术，本专利技术中，通过采用氧等离子体参与氧化钇涂层的沉积过程，以在氧化钇涂层中形成氧空位，从而提高氧化钇涂层的耐物理刻蚀性能。
7、进一步地，在步骤s10中，所述高纯烧结氧化铝基体采用冷等静压方式烧结而成，且纯度为99.9％。
8、进一步地，在步骤s10中，预设真空度的范围为8×10-4～1×10-3pa。
9、进一步地，在步骤s11中，第一气体离子源为线性阳极离子源，电压范围为500～800v，轰击时间为10～30min。
10、进一步地，在步骤s12中，磁控溅射所用电源为脉冲直流电源，频率范围为20～40khz，占空比为30～80％，溅射电压范围为400～600v。
11、进一步地，氧化钇涂层的厚度为1～5μm。
12、进一步地，在步骤s12中，第二气体离子源为线性阳极离子源，采用恒压模式对电压进行调控，电压范围为500～1000v，工作时间与沉积时间相同。
13、进一步地，在步骤s12中，溅射阴极与待镀膜表面之间的距离为7～10cm。
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1.一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤S10中，所述高纯烧结氧化铝基体采用冷等静压方式烧结而成，且纯度为99.9％。
3.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤S10中，预设真空度的范围为8×10-4～1×10-3Pa。
4.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤S11中，第一气体离子源为线性阳极离子源，电压范围为500～800V，轰击时间为10～30min。
5.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤S12中，磁控溅射所用电源为脉冲直流电源，频率范围为20～40kHz，占空比为30～80％，溅射电压范围为400～600V。
6.根据权利要求5所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，氧化钇涂层的厚度为1～5μm。
7.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征
8.根据权利要求1至7任意一项所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤S12中，溅射阴极与待镀膜表面之间的距离为7～10cm。
...【技术特征摘要】
1.一种提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤s10中，所述高纯烧结氧化铝基体采用冷等静压方式烧结而成，且纯度为99.9％。
3.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤s10中，预设真空度的范围为8×10-4～1×10-3pa。
4.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的制备方法，其特征在于，在步骤s11中，第一气体离子源为线性阳极离子源，电压范围为500～800v，轰击时间为10～30min。
5.根据权利要求1所述的提高氧化钇涂层耐刻蚀性能的...
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