半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：43598169 阅读：13 留言：0更新日期：2024-12-11 14:47

公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：在半导体晶圆的表面上形成正型感光性树脂膜的工序；对正型感光性树脂膜的一部分进行曝光，并在正型感光性树脂膜上设置曝光部的工序；通过使用显影液对正型感光性树脂膜进行显影，并去除曝光部而形成图案的工序；通过将图案作为掩膜实施等离子切割而使半导体晶圆单片化，从而获得带图案的半导体芯片的工序；对带图案的半导体芯片的图案进行曝光的工序；及使用去除液去除被曝光的图案，获得从带图案的半导体芯片去除了图案的半导体芯片的工序。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、半导体装置通常经由以下的工序来制造。首先，在切割带贴附半导体晶圆，并在该状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。之后，进行拾取半导体芯片的拾取工序及隔着黏合剂(晶粒接合膜)等对所拾取的半导体芯片及支撑部件等进行热压接而使其黏合的半导体芯片黏合工序等工序，从而制作了半导体装置。

2、作为切割工序中的切割方法之一，已知有沿着半导体晶圆的切断预定线实施等离子蚀刻(干式蚀刻)并切断半导体晶圆的方法。将通过该切割方法对半导体晶圆进行加工的工艺称为等离子切割。

3、在等离子切割中，通常在半导体晶圆的表面上形成保护膜，并通过沿着切断预定线照射激光而烧断保护膜的一部分(激光开槽(laser grooving)加工)来去除，从保护膜形成图案(掩膜)。在激光开槽加工中，产生来自于保护膜、半导体晶圆等的微细的切屑(碎片(debris))，在所获得的半导体芯片的侧面残留碎片，从而有时半导体芯片的品质会下降。在专利文献1中，对抑制等离子切割中碎片的残留进行了研究。

4、以往技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2019-050237号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、本专利技术的目的在于提供一种具备实施等离子切割的工序的新型的半导体装置的制造方法。

3、用于解决技术课题的手段

4、本专利技术提供一种[1]～[3]的半导体装置的制造方法。

5、[1]一种半导体装置的制造方法，其具备：

6、在半导体晶圆的表面上形成正型感光性树脂膜的工序；

7、对所述正型感光性树脂膜的一部分进行曝光，并在所述正型感光性树脂膜上设置曝光部的工序；

8、通过使用显影液对所述正型感光性树脂膜进行显影，并去除所述曝光部而形成图案的工序；

9、通过将所述图案作为掩膜实施等离子切割而使所述半导体晶圆单片化，从而获得带图案的半导体芯片的工序；

10、对所述带图案的半导体芯片的图案进行曝光的工序；及

11、使用去除液去除被曝光的所述图案，获得从所述带图案的半导体芯片去除了所述图案的半导体芯片的工序。

12、[2]根据[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

13、所述正型感光性树脂组合物包含通过照射光而低分子化的树脂。

14、[3]根据[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，所述显影液及所述去除液为ph11以下的水系溶剂。

15、专利技术效果

16、根据本专利技术，提供一种具备实施等离子切割的工序的新型的半导体装置的制造方法。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，能够在不实施激光开槽加工的情况下形成图案(掩膜)，并能够抑制碎片本身的产生。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置的制造方法，其具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本祐树，青柳元，桃原佳克，和田真幸，坂本圭市，山木繁，牧野龙也，近藤秀一，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人