【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体micro led的，具体而言，涉及一种微型led器件制备方法、微型led器件及显示装置。
技术介绍
1、随着人们对显示技术的不断追求，显示技术逐渐往小尺寸、高分辨的方向发展，其中micro led便是微型化显示技术的代表。micro led技术是将led芯片进行微缩化、矩阵化、薄膜化的三化技术，其像素点的尺寸小于50μm。目前micro led全彩化显示可以利用色转换结构来实现，即利用量子点(qd)材料色转换的方式来实现。然而色转换结构的制备以及结构仍然存在一些问题，难以满足像素微缩化所带来的日渐苛刻的出光效率等要求。
技术实现思路
1、本公开的方案提供了一种微型led器件制备方法、微型led器件及显示装置。
2、根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型led器件制备方法，其中，所述方法包括：获取微型led结构，所述微型led结构包括微型led芯片，所述微型led芯片包括微型led单元阵列；在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔离子结构阵列，其中所述隔离子结构阵列中的每个隔离子结构包括反射材料层和设置在所述反射材料层的侧壁上的第一保护层，所述隔离子结构的顶部表面包括所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面；在每个所述隔离子结构的顶部表面上设置折射材料层，使得所述折射材料层覆盖所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面，其中每个所述隔离子结构和对应的所述折射材料层形成隔离结构，全部所述隔离结构构成隔离结构阵列，并且在两个相邻的所述
3、进一步地，所述隔离子结构阵列中的每个隔离子结构还包括隔离柱，所述隔离子结构的顶部表面还包括所述隔离柱的顶部表面，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔离子结构阵列包括：在所述微型led结构的出光侧的表面上设置具有通孔阵列的第一钝化层，使得所述通孔阵列中的每个通孔暴露出所述微型led结构的出光侧的表面的预设暴露部分并与所述微型led单元阵列中的微型led单元对应，并且两个相邻通孔之间形成所述隔离柱；在所述隔离柱的表面上设置反射材料层；在所述反射材料层上设置第一保护层；去除所述隔离柱顶部上方的反射材料层和第一保护层，暴露出所述隔离柱的顶部表面、所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面。
4、进一步地，在每个所述隔离子结构的顶部表面上设置折射材料层，使得所述折射材料层覆盖所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面包括：在每个所述隔离子结构的顶部表面上设置折射材料层，使得所述折射材料层覆盖所述隔离柱的顶部表面、所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面。
5、进一步地，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置具有通孔阵列的第一钝化层之前，所述方法还包括：在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置具有通孔阵列的第一钝化层，使得所述通孔阵列中的每个通孔暴露出所述微型led结构的出光侧的表面的预设暴露部分并与所述微型led单元阵列中的微型led单元对应，并且两个相邻通孔之间形成隔离柱包括：在所述隔绝层上设置第一钝化层，并在所述第一钝化层上开设通孔阵列，使得所述通孔阵列中的每个通孔暴露出所述隔绝层的预设暴露部分并与所述微型led单元阵列中的微型led单元对应，并且两个相邻通孔之间形成隔离柱。
6、进一步地，所述微型led单元阵列中的每个微型led单元在出光侧包括第一半导体层，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层之前，所述方法还包括：对所述第一半导体层的表面进行粗化处理，得到第一粗化表面，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层包括：在所述第一粗化表面上设置隔绝层。
7、进一步地，所述隔绝层包括多个子隔绝层，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层包括：在所述微型led结构的出光侧的表面上自下而上依次设置所述多个子隔绝层，其中所述多个子隔绝层各自具有预设厚度和预设折射率，所述多个子隔绝层的总厚度等于所述微型led单元所发射的光的波长的二分之一，并且所述多个子隔绝层各自的预设折射率按照所述多个子隔绝层的自下而上的顺序递减。
8、进一步地，在所述隔离柱的表面上设置反射材料层包括：在所述隔离柱的顶部和侧壁上设置反射材料层并对所述隔离柱的侧壁上的反射材料层进行表面粗化处理，得到第二粗化表面。
9、进一步地，所述反射材料层包括金属层，在所述隔离柱的顶部和侧壁上设置反射材料层并对所述隔离柱的侧壁上的反射材料层进行表面粗化处理包括：在所述隔离柱的顶部和侧壁上沉积预设厚度的金属层，使得所述隔离柱侧壁上的金属层的晶粒具有横向生长趋势；对所述金属层进行退火处理，使得所述隔离柱侧壁上的金属层表面形成多个凸起部。
10、进一步地，在所述反射材料层上设置第一保护层时，所述方法还包括：在暴露出的所述隔绝层上设置所述第一保护层。所述隔绝层包括多个子隔绝层，所述多个子隔绝层在所述微型led结构的出光侧的表面上自下而上依次设置，其中所述多个子隔绝层和所述多个子隔绝层上的第一保护层各自具有预设厚度和预设折射率，所述多个子隔绝层的总厚度等于所述微型led单元所发射的光的波长的四分之一，所述多个子隔绝层上的第一保护层的预设厚度等于所述微型led单元所发射的光的波长的四分之一，并且所述多个子隔绝层和所述多个子隔绝层上的第一保护层各自的预设折射率按照所述多个子隔绝层和所述多个子隔绝层上的第一保护层的自下而上的顺序递减。
11、进一步地，所述预设值大于或等于1。
12、进一步地，所述容纳空间阵列包括多组容纳空间，每组容纳空间包括第一子空间、第二子空间和第三子空间，在所述容纳空间阵列中填充量子点包括以下至少之一：在每个第一子空间中填充绿色量子点；在每个第二子空间中填充红色量子点。
13、进一步地，在所述容纳空间阵列中填充量子点，形成量子点阵列之后，所述方法还包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层。
14、进一步地，所述封装层包括第一子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置所述第一子封装层；所述第一子封装层包括第二钝化层和滤光膜，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置所述第一子封装层包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置所述第二钝化层；在所述第二钝化层上设置所述滤光膜。
15、进一步地，所述封装层还包括第二子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层还包括：在所述第一子封装层上设置所述第二子封装层；所述第二子封装层包括微透镜阵列、密封胶和第二保护层，在所述第一子封装层上设置所述第二子封装层包括：在所述滤光膜上设置与所述量子点阵列对本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种微型LED器件制备方法，其中，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述隔离子结构阵列中的每个隔离子结构还包括隔离柱，所述隔离子结构的顶部表面还包括所述隔离柱的顶部表面，在所述微型LED结构的出光侧的表面上设置隔离子结构阵列包括：
3.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，在每个所述隔离子结构的顶部表面上设置折射材料层，使得所述折射材料层覆盖所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面包括：
4.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，在所述微型LED结构的出光侧的表面上设置具有通孔阵列的第一钝化层之前，所述方法还包括：在所述微型LED结构的出光侧的表面上设置隔绝层，
5.根据权利要求4所述的微型LED器件制备方法，其中，所述微型LED单元阵列中的每个微型LED单元在出光侧包括第一半导体层，在所述微型LED结构的出光侧的表面上设置隔绝层之前，所述方法还包括：对所述第一半导体层的表面进行粗化处理，得到第一粗化表面，
6.根据权利要求4所述的微型LED器件制
7.根据权利要求2所述的微型LED器件制备方法，其中，在所述隔离柱的表面上设置反射材料层包括：
8.根据权利要求7所述的微型LED器件制备方法，其中，所述反射材料层包括金属层，在所述隔离柱的顶部和侧壁上设置反射材料层并对所述隔离柱的侧壁上的反射材料层进行表面粗化处理包括：
9.根据权利要求4所述的微型LED器件制备方法，其中，在所述反射材料层上设置第一保护层时，所述方法还包括：
10.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述预设值大于或等于1。
11.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述容纳空间阵列包括多组容纳空间，每组容纳空间包括第一子空间、第二子空间和第三子空间，在所述容纳空间阵列中填充量子点包括以下至少之一：
12.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，在所述容纳空间阵列中填充量子点，形成量子点阵列之后，所述方法还包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层。
13.根据权利要求12所述的微型LED器件制备方法，其中，所述封装层包括第一子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置所述第一子封装层；
14.根据权利要求13所述的微型LED器件制备方法，其中，所述封装层还包括第二子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层还包括：在所述第一子封装层上设置所述第二子封装层；
15.根据权利要求1所述的微型LED器件制备方法，其中，所述微型LED结构还包括驱动基板，所述驱动基板与所述微型LED芯片键合在一起，或者所述驱动基板与所述微型LED芯片未键合在一起，当所述驱动基板与所述微型LED芯片未键合在一起时，在所述容纳空间阵列中填充量子点，形成量子点阵列之后，所述方法还包括：将所述驱动基板与所述微型LED芯片键合在一起。
16.根据权利要求8所述的微型LED器件制备方法，其中，所述隔离柱的材料包括二氧化硅，所述金属层的材料包括铝，所述第一保护层的材料包括氟化镁，所述折射材料层的材料包括氮化硅。
17.一种微型LED器件，其中，所述微型LED器件包括：
18.根据权利要求17所述的微型LED器件，其中，所述隔离子结构还包括隔离柱，所述隔离子结构的顶部表面还包括所述隔离柱的顶部表面，所述隔离柱设置在所述微型LED结构的出光侧的表面上，所述反射材料层设置在所述隔离柱的侧壁上，所述第一子保护层设置在所述反射材料层的侧壁上。
19.根据权利要求18所述的微型LED器件，其中，所述折射材料层设置在所述隔离柱的顶部表面、所述反射材料层的顶部表面和所述第一子保护层的顶部表面上并且覆盖所述隔离柱的顶部表面、所述反射材料层的顶部表面和所述第一子保护层的顶部表面。
20.根据权利要求18所述的微型LED器件，其中，所述微型LED器件还包括隔绝层，所述隔绝层设置在所述微型LED结构的出光侧的表面上，所述隔离柱设置在所述隔绝层上。
21.根据权利要求20所述的微型LED器件，其中，所述微型LED单元阵列中的每个微型LED单元在出光侧包括第一半导体层，所述第一半导体层包括第一粗化表面，所述隔绝层设置在所述第一粗化表面上。
22.根据权利要求20所述的微型LED器件，其中，所述隔绝层包括多个子...
【技术特征摘要】
1.一种微型led器件制备方法，其中，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述隔离子结构阵列中的每个隔离子结构还包括隔离柱，所述隔离子结构的顶部表面还包括所述隔离柱的顶部表面，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔离子结构阵列包括：
3.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，在每个所述隔离子结构的顶部表面上设置折射材料层，使得所述折射材料层覆盖所述反射材料层的顶部表面和所述第一保护层的顶部表面包括：
4.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置具有通孔阵列的第一钝化层之前，所述方法还包括：在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层，
5.根据权利要求4所述的微型led器件制备方法，其中，所述微型led单元阵列中的每个微型led单元在出光侧包括第一半导体层，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层之前，所述方法还包括：对所述第一半导体层的表面进行粗化处理，得到第一粗化表面，
6.根据权利要求4所述的微型led器件制备方法，其中，所述隔绝层包括多个子隔绝层，在所述微型led结构的出光侧的表面上设置隔绝层包括：
7.根据权利要求2所述的微型led器件制备方法，其中，在所述隔离柱的表面上设置反射材料层包括：
8.根据权利要求7所述的微型led器件制备方法，其中，所述反射材料层包括金属层，在所述隔离柱的顶部和侧壁上设置反射材料层并对所述隔离柱的侧壁上的反射材料层进行表面粗化处理包括：
9.根据权利要求4所述的微型led器件制备方法，其中，在所述反射材料层上设置第一保护层时，所述方法还包括：
10.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述预设值大于或等于1。
11.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述容纳空间阵列包括多组容纳空间，每组容纳空间包括第一子空间、第二子空间和第三子空间，在所述容纳空间阵列中填充量子点包括以下至少之一：
12.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，在所述容纳空间阵列中填充量子点，形成量子点阵列之后，所述方法还包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层。
13.根据权利要求12所述的微型led器件制备方法，其中，所述封装层包括第一子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层包括：在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置所述第一子封装层；
14.根据权利要求13所述的微型led器件制备方法，其中，所述封装层还包括第二子封装层，在所述量子点阵列和所述隔离结构上设置封装层还包括：在所述第一子封装层上设置所述第二子封装层；
15.根据权利要求1所述的微型led器件制备方法，其中，所述微型led结构还包括驱动基板，所述驱动基板与所述微型led芯片键合在一起，或者所述驱动基板与所述微型led芯片未键合在一起，当所述驱动基板与所述微型led芯片未键合在一起时，在所述容纳空间阵列中填充量子点，形成量子点阵列之后，所述方法还包括：将所述驱动基板与所述微型led芯片键合在一起。
16.根据权利要求8所述的微型led器件制备方法，其中，所述隔离柱的材料包括二氧化硅，所述金属层的材料包括铝，所述第一保护层的材料包括氟化镁，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢峰，张珂，毛学，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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