【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种半导体装置、记忆体装置及记忆体装置的操作方法。
技术介绍
1、归因于各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历快速发展。在很大程度上，集成密度的提高来自于最小特征大小的反复减小，此允许将更多的元件整合至给定区域中。
技术实现思路
1、本揭示内容的一些实施例包含一种半导体装置。半导体装置包含：第一底部导电结构及第二底部导电结构，彼此间隔开，第一底部导电结构及第二底部导电结构中的每一者均沿着第一横向方向延伸；第一通道层，沿着第二横向方向延伸且横穿第一底部导电结构及第二底部导电结构中的每一者的第一部分；第二通道层，沿着第二横向方向延伸且横穿第一底部导电结构及第二底部导电结构中的每一者的第二部分；第一中间导电结构，沿着第一横向方向延伸，放置在第一底部导电结构上方，且横穿第一通道层及第二通道层；第二中间导电结构，沿着第一横向方向延伸，放置在第二底部导电结构上方，且横穿第一通道层及第二通道层；第三中间导电结构，放置在第一中间导电结构与第二中间导电结构之间，且横穿第一通道层的第一部分；第四中间导电结构，放置在第一中间导电结构与第二中间导电结构之间，且横穿第二通道层的第一部分；第五中间导电结构，与第三中间导电结构相对于第二中间导电结构放置，且横穿第一通道层的第二部分；第六中间导电结构，与第四中间导电结构相对于第二中间导电结构放置，且横穿第二通道层的第二部分；第一顶部导电结构，沿着第二横向方向延伸且电耦接至第三中间导电结构及第五中间导
2、本揭示内容的一些实施例包含一种记忆体装置。记忆体装置包含多个记忆体单元，多个记忆体单元中的每一者包含：电容器，用以储存一定量的电荷；及多个晶体管，电耦接至电容器。基于脉冲信号，晶体管的第一子集用以形成第一导电路径，且晶体管的第二子集用以形成第二导电路径。定量的电荷用以通过第一导电路径及第二导电路径更改。
3、本揭示内容的一些实施例包含一种用于操作记忆体装置的方法。方法包含：用一定量的电荷写入记忆体单元的电容器；关断电耦接至电容器的晶体管的第一子集；及向晶体管的第二子集的相应栅极结构施加脉冲信号以形成第一导电路径及第二导电路径。第一导电路径及第二导电路径经形成以更改定量的电荷。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一底部导电结构及该第二底部导电结构、该第一通道层及该第二通道层、该第一中间导电结构、该第二中间导电结构、该第三中间导电结构、该第四中间导电结构、该第五中间导电结构、该第六中间导电结构、该第一顶部导电结构及该第二顶部导电结构以及该电容器可操作地用作单一记忆体单元，
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，其中当该脉冲信号呈现该逻辑高状态时，形成自第四中间导电结构通过该第二中间导电结构到达该第三中间导电结构的一第二放电路径。
6.一种记忆体装置，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的记忆体装置，其特征在于，其中包含至少一个逻辑高状态及一个逻辑低状态的该脉冲信号施加至所述多个晶体管的该第二子集的一栅极结构，而所述多个晶体管的该第一子集关断，以及
8.如权利要求7所述的记忆体装置，其特
9.一种用于操作一记忆体装置的方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中当该脉冲信号呈现一逻辑低状态时，形成该第一导电路径以对储存在该电容器中的所述多个电荷进行放电，且当该脉冲信号呈现一逻辑高状态时，形成该第二导电路径以继续对储存在该电容器中的所述多个电荷进行放电。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一底部导电结构及该第二底部导电结构、该第一通道层及该第二通道层、该第一中间导电结构、该第二中间导电结构、该第三中间导电结构、该第四中间导电结构、该第五中间导电结构、该第六中间导电结构、该第一顶部导电结构及该第二顶部导电结构以及该电容器可操作地用作单一记忆体单元，
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，其中当该脉冲信号呈现该逻辑高状态时，形成自第四中间导电结构通过该第二中间导电结构到达该第三中间导电结构的一第二放电路径。
6.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟傑，高韵峯，姜慧如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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