【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体涉及带电粒子束系统领域，并且更具体地，涉及提供用于调节带电粒子束系统的样品表面上的电荷的射束。
技术介绍
1、在集成电路(ic)的制造过程中，需要对未完成或已完成的电路部件进行检查，以确保它们根据设计制造且无缺陷。使用光学显微镜的检查系统通常具有低至几百纳米的分辨率；并且分辨率受光波长的限制。随着ic部件的物理尺寸继续减小至100纳米以下甚至10纳米以下，需要具有比使用光学显微镜的检查系统更高的分辨率的检查系统。
2、带电粒子(例如，电子)束显微镜，诸如扫描电子显微镜(sem)或透射电子显微镜(tem)，能够将分辨率降低到小于1纳米，可用作用于检查特征尺寸小于100纳米的ic部件的实用工具。使用sem，单个初级电子束的电子或多个初级电子子束的电子可以聚焦在被检查的晶片的感兴趣位置上。初级电子与晶片相互作用，并且可能被背散射或可能导致晶片发射次级电子。包括背散射电子和次级电子的电子束的强度可能基于晶片的内部和外部结构的特性而变化，从而可以指示晶片是否有缺陷。
3、同时，用初级电子照射晶片可能导致晶片表面带电。表面充电可能影响初级电子与晶片的相互作用，并可能导致成像条件的变化。电荷调节器(诸如高级电荷控制器(acc))可用于补偿充电效应，并可有助于提高图像质量。此外，一些应用(诸如电压对比度成像)可使用acc来调节表面以进行成像。然而，对以更大的幅度、范围和准确操纵电子束检查工具中的acc功率的需求日益增加。期望改进电荷调节器的各个方面。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种用于带电粒子束工具的电荷调节器，包括：
2.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述射束操纵器包括MEMS反射镜。
3.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述特性是所述束斑在所述样品表面上的位置。
4.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述特性是所述束斑在所述样品表面上的形状。
5.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控制所述射束操纵器沿所述样品表面扫描所述束斑。
6.根据权利要求5所述的电荷调节器，其中所述束斑扫描方向平行于投射在所述样品表面上的所述带电粒子束的带电粒子束扫描方向。
7.根据权利要求5所述的电荷调节器，其中所述束斑在所述带电粒子束之前以时间偏移被扫描。
8.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中：
9.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控制所述射束操纵器以在所述带电粒子束投射在所述样品表面上期间多次调整所述束斑的位置，以平均所述激光点的散斑效应。
10.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控
11.根据权利要求10所述的电荷调节器，其中所会聚的斑点的面积小于将所述带电粒子束投射到所述样品表面上的带电粒子束工具的视场面积的50％。
12.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控制所述射束操纵器来校正所述束斑和将所述带电粒子束投射到所述样品表面上的带电粒子束工具的视场之间的未对准。
13.根据权利要求1所述的电荷调节器，还包括：
14.一种带电粒子束系统，所述系统包括：
15.一种非暂态计算机可读介质，存储指令集，所述指令集能够由带电粒子束装置的一个或多个处理器执行，以使所述带电粒子束装置执行方法，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于带电粒子束工具的电荷调节器，包括：
2.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述射束操纵器包括mems反射镜。
3.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述特性是所述束斑在所述样品表面上的位置。
4.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述特性是所述束斑在所述样品表面上的形状。
5.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控制所述射束操纵器沿所述样品表面扫描所述束斑。
6.根据权利要求5所述的电荷调节器，其中所述束斑扫描方向平行于投射在所述样品表面上的所述带电粒子束的带电粒子束扫描方向。
7.根据权利要求5所述的电荷调节器，其中所述束斑在所述带电粒子束之前以时间偏移被扫描。
8.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中：
9.根据权利要求1所述的电荷调节器，其中所述控制器被配置为控制所述射束操纵器...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶宁，张剑，董仲华，张大彤，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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