【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电感器件，尤其涉及一种薄膜电感器件及电子设备。
技术介绍
1、随着5g的日趋成熟，ai产业也得到了广泛的关注，这也推动了芯片的多功能化和电路的小型化。片上系统(system on chip，soc)成为行业的热点，其特点是将越来越多的功能集成到越来越小的体积中，芯片的小型化则对功率电感提出了更高的需求。高功率密度、高频率、高效率、高性价比和小型化成为功率电感研发的主要方向。
2、薄膜电感器是一种采用真空薄膜工艺制作的电感器，可靠性高，易于集成化和片式化，非常适合于自动化表面装贴技术(smt)，具有尺寸小、高频特性好等优点。薄膜电感由于其厚度较薄，能够很好的集成在电路中，满足芯片等小尺寸元器件需求，它能在大电流的条件下长期工作，并能为cpu稳定供电，大量应用于手机、新能源汽车等领域。由于薄膜电感一般都需要引入磁性材料提高其电感值，但是磁性材料的引入往往会导致损耗升高，使温升电流降低，且由于应用频率较高，损耗主要占比为涡流损耗，进一步限制了薄膜电感的应用范围。
3、因此，当前亟需出现一种新的薄膜电感器件，可以在维持整体厚度不变的情况下降低损耗，提高饱和电流。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种薄膜电感器件及电子设备。
2、本专利技术的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
3、根据本专利技术实施例的第一方面，提供了
4、线圈层；
5、磁性材料层，覆设在所述线圈层的外侧，所述磁性材料层为多层复合的结构；所述磁性材料层包括第一磁性层，以及位于所述第一磁性层外侧的第二磁性层；所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例，与所述薄膜电感器件的应用频率的大小呈正相关。
6、在本专利技术的一些实施例中，当所述应用频率在50mhz下时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为10％～30％。
7、在本专利技术的一些实施例中，当所述应用频率在50mhz～500mhz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为31％～60％。
8、在本专利技术的一些实施例中，当所述应用频率大于500mhz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为61％～90％。
9、在本专利技术的一些实施例中，所述第一磁性层的成分中包含83-87wt％的第一元素、1-9wt％的第二元素以及余量的第三元素，所述第一元素、第二元素与第三元素的成分比例之和为100wt％；所述第一元素为fe，所述第二元素为si，所述第三元素为al、b、nb、cu中的至少一种。
10、在本专利技术的一些实施例中，当所述第一磁性层的成分含al时，al的含量为所述第一磁性层的0.5～8wt％；当所述第一磁性层的成分含b时，b的含量为所述第一磁性层的0.5～8wt％；当所述第一磁性层的成分含nb时，nb的含量为所述第一磁性层的0.5～8wt％；当所述第一磁性层的成分含cu时，cu的含量为所述第一磁性层的0.5～8wt％。
11、在本专利技术的一些实施例中，所述第二磁性层的成分中包含87-100wt％的第四元素以及0-13wt％的第五元素，所述第四元素与第五元素的成分比例之和为100wt％；所述第四元素为fe、co、ni中的一种或多种，所述第五元素为si。
12、在本专利技术的一些实施例中，当所述第二磁性层的成分含co时，co的含量为所述第二磁性层的25-45wt％；当所述第二磁性层的成分含ni时，ni的含量为所述第二磁性层的35-55wt％。
13、在本专利技术的一些实施例中，还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述线圈层与所述磁性材料层之间。
14、根据本专利技术实施例的第二方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括上述任一项所述的薄膜电感器件。
15、本专利技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
16、本专利技术实施例所述薄膜电感器件及电子设备，本专利技术实施例所述薄膜电感器件相较于现有技术，在不改变整体厚度的情况下，通过调整所述磁性材料层的材质以及层数，有效降低了损耗，提高了饱和电流及温升电流。
17、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
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1.一种薄膜电感器件，其特征在于，所述薄膜电感器件包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率在50MHz下时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为10％～30％。
3.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率在50MHz～500MHz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为31％～60％。
4.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率大于500MHz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为61％～90％。
5.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：所述第一磁性层的成分中包含83-87wt％的第一元素、1-9wt％的第二元素以及余量的第三元素，所述第一元素、第二元素与第三元素的成分比例之和为100wt％；所述第一元素为Fe，所述第二元素为Si，所述第三元素为Al、B、Nb、Cu中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述第一磁性层的成分含Al时，Al的含量为所述第一磁性层的0.5～8
7.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：所述第二磁性层的成分中包含87-100wt％的第四元素以及0-13wt％的第五元素，所述第四元素与第五元素的成分比例之和为100wt％；所述第四元素为Fe、Co、Ni中的一种或多种，所述第五元素为Si。
8.根据权利要求7所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述第二磁性层的成分含Co时，Co的含量为所述第二磁性层的25-45wt％；当所述第二磁性层的成分含Ni时，Ni的含量为所述第二磁性层的35-55wt％。
9.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述线圈层与所述磁性材料层之间。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1-9任一项所述的薄膜电感器件。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜电感器件，其特征在于，所述薄膜电感器件包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率在50mhz下时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为10％～30％。
3.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率在50mhz～500mhz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为31％～60％。
4.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述应用频率大于500mhz时，所述第一磁性层的厚度占所述磁性材料层的厚度比例为61％～90％。
5.根据权利要求1所述的薄膜电感器件，其特征在于：所述第一磁性层的成分中包含83-87wt％的第一元素、1-9wt％的第二元素以及余量的第三元素，所述第一元素、第二元素与第三元素的成分比例之和为100wt％；所述第一元素为fe，所述第二元素为si，所述第三元素为al、b、nb、cu中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的薄膜电感器件，其特征在于：当所述第一磁性层的成分含al时，al的含量为所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春云，宋文玥，何家毅，聂敏，郭海，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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