【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及开关电源，尤其涉及一种高压启动电路。
技术介绍
1、一般情况，电源电路都会包含启动电路，以便在电源上电时启动控制器，驱动变压器转换电压，实现电源的正常工作。现有技术启动电路一般为在pwm控制器和母线上串联一个启动电阻来实现，该方法在母线高电压的情况下，会造成较大的损耗，特别是在宽电压输入范围下，在兼顾低压启动的最小电流情况下选择了启动电阻，在高电压下启动时的损耗将严重影响效率和散热。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种高压启动电路，以解决上述
技术介绍
中提出的针对高电压下启动时，造成较大的损耗，并严重影响效率和散热等问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高压启动电路，包括母线bus、电荷积累模块、自锁模块和启动关断模块，所述母线bus一端与所述电荷积累模块连接，所述电荷积累模块分别连接有所述自锁模块和所述启动关断模块。
3、作为优选，所述电荷积累模块包括开关管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
4、所述母线bus分别通过若干个电阻连接开关管的漏极、栅极和第一稳压管的负极，所述开关管的源极连接第一稳压管的正极和第一方向整流二极管的正极，所述第一方向整流二极管的负极连接第一电容的正极和稳压二极管的负极，所述第一电容的负极和稳压二极管的正极均接地。
5、作为优选，所述电荷积累模块包括第一npn三极管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
6、所述
7、作为优选，所述自锁模块包括第二稳压管、第二方向整流二极管、nmos晶体管、pmos晶体管和第二电容；
8、所述第二稳压管的负极和pmos晶体管的源极共同连接第一电容的正极，所述第二稳压管的负极通过若干个电阻连接pmos晶体管的栅极，所述第二稳压管的正极分别通过若干个电阻连接地和第二方向整流二极管的负极，所述第二稳压管的正极连接nmos晶体管的栅极，所述pmos晶体管的栅极通过若干个电阻连接nmos晶体管的漏极，所述pmos晶体管的漏极连接第二电容的正极，所述第二电容的负极与nmos晶体管的源极均接地，所述第二方向整流二极管的正极连接第二电容的正极或外部电压。
9、作为优选，所述启动关断模块包括第三方向整流二极管、第三电容和第二npn三极管；
10、所述第三方向整流二极管的正极连接第二电容的正极或外部电压，所述第三方向整流二极管的负极分别通过若干个电阻连接地、第三电容的正极和第二npn三极管的基极，所述第二npn三极管的发射极接地，所述第二npn三极管的集电极连接开关管的栅极或第一npn三极管的基极。
11、作为优选，所述启动关断模块包括第三方向整流二极管、第四方向整流二极管、第三电容和第二npn三极管；
12、所述第三方向整流二极管的正极通过若干个电阻连接地，所述第三方向整流二极管的正极通过若干个电阻连接第二电容的正极或外部电压，所述第四方向整流二极管的负极通过若干个电阻连接地，所述第四方向整流二极管的负极通过若干个电阻连接第二电容的正极或外部电压，所述第三方向整流二极管的负极和第四方向整流二极管的正极均连接第三电容的正极和第二npn三极管的基极，所述第二npn三极管的发射极和第三电容的负极均接地，所述第二npn三极管的集电极连接开关管的栅极或第一npn三极管的基极。
13、作为优选，所述第二npn三极管可替代为mosfet晶体管。
14、本专利技术的有益效果：
15、1.通过调节第二稳压管的稳压值实现启动电路uvlo的上限阈值，调节第四方向整流二极管串联的电阻的阻值，进而调节uvlo的低阈值电压，从而能让uvlo回差变大，实现自定义回差。
16、2.通过稳压二极管防止第一电容在快速充电的过程中电压过压，进而采用更小的电容启动，实现自定义电压。
17、3.电荷积累模块通过选用大阻值的低损耗偏置电阻r1，进而减小启动电路的损耗。
18、4.启动关断模块通过调节第三电容两端的电压，进而控制第二npn三极管的导通或关断，实现对电路的反复重启。
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1.一种高压启动电路，其特征在于：包括母线BUS、电荷积累模块、自锁模块和启动关断模块，所述母线BUS一端与所述电荷积累模块连接，所述电荷积累模块分别连接有所述自锁模块和所述启动关断模块。
2.根据权利要求1所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述电荷积累模块包括开关管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
3.据权利要求1所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述电荷积累模块包括第一NPN三极管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
4.根据权利要求2或3所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述自锁模块包括第二稳压管、第二方向整流二极管、NMOS晶体管、PMOS晶体管和第二电容；
5.根据权利要求4所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述启动关断模块包括第三方向整流二极管、第三电容和第二NPN三极管；
6.根据权利要求4所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述启动关断模块包括第三方向整流二极管、第四方向整流二极管、第三电容和第二NPN三极管；
7.根据权利要求5或6所述的一
...【技术特征摘要】
1.一种高压启动电路，其特征在于：包括母线bus、电荷积累模块、自锁模块和启动关断模块，所述母线bus一端与所述电荷积累模块连接，所述电荷积累模块分别连接有所述自锁模块和所述启动关断模块。
2.根据权利要求1所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述电荷积累模块包括开关管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
3.据权利要求1所述的一种高压启动电路，其特征在于：所述电荷积累模块包括第一npn三极管、第一稳压管、稳压二极管、第一方向整流二极管和第一电容；
4.根据权利要求2或3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹何金生，马春海，唐吉，罗天生，
申请(专利权)人：宁波阔野科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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