【技术实现步骤摘要】
本申请涉及多通道vcsel（vertical-cavity surface-emitting laser array，垂直腔面发射激光器）芯片测试，特别是涉及一种多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法及其系统。
技术介绍
1、在多通道vcsel芯片测试
中，测试多通道vcsel芯片中每一通道的功率时，需要逐一对每个通道进行驱动、测试，测试效率慢。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高检测效率的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法及其系统。
2、第一方面，本申请提供一种多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，所述测试方法包括：
3、提供一驱动信号；所述驱动信号用于驱动待测多通道vcsel芯片的全通道处于点亮状态；
4、获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片的全通道总功率和近场图像；
5、根据所述近场图像获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道灰度值占比；以及，
6、根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道功率。
7、在其中一个实施例中，所述根据所述近场图像获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道灰度值占比，包括：
8、将所述近场图像转换成灰度图像；
9、根据所述灰度图像获取所述待测多通道vcsel芯片的全通道灰度值和单通道灰度值；
10、根据所述全通道灰度值和所述单通道灰度值获取所述单通
11、在其中一个实施例中，所述单通道功率的计算公式为：
12、；
13、其中，pavg_channel为所述单通道功率，pavg_chip为所述全通道总功率，grayrate为所述单通道灰度值占比。
14、在其中一个实施例中，还包括：
15、获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片对应的占空比；
16、根据所述单通道功率和所述占空比获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道峰值功率。
17、在其中一个实施例中，所述获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片对应的占空比，包括：
18、获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片对应的光脉冲宽度和所述驱动信号的调制周期；
19、根据所述光脉冲宽度和所述调制周期获取占空比。
20、在其中一个实施例中，所述占空比的计算公式为：
21、；
22、其中，pulse width为所述光脉冲宽度，period为所述调制周期，η为所述占空比。
23、在其中一个实施例中，所述单通道峰值功率的计算公式为：
24、；
25、其中，ppeak为所述单通道峰值功率；pavg_channel为所述单通道功率；η为所述占空比。
26、在其中一个实施例中，还包括：
27、重复多次如上述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，以将多次获取的所述单通道功率的平均值作为最终测试结果。
28、第二方面，本申请还提供一种多通道vcsel芯片的单通道功率测试系统，所述测试系统包括：
29、驱动装置，与待测多通道vcsel芯片连接，用于提供驱动信号以驱动待测多通道vcsel芯片的全通道处于点亮状态；
30、功率检测装置，与所述待测多通道vcsel芯片连接，用于获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片的全通道总功率；
31、图像获取装置，用于获取点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片的近场图像；以及，
32、处理器，分别与所述驱动装置、所述功率检测装置和图像获取装置连接，用于执行如上述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法中的根据所述全通道总功率和所述单通道灰度值占比获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道功率。
33、在其中一个实施例中，还包括：
34、脉宽检测装置，与所述待测多通道vcsel芯片和所述处理器连接，用于检测所述点亮状态下的所述待测多通道vcsel芯片对应的调制周期。
35、上述多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法及其系统，在测试时，提供一驱动信号，以使驱动信号驱动待测多通道vcsel芯片全通道处于点亮状态；获取点亮状态下的待测多通道vcsel芯片的全通道总功率和近场图像；根据近场图像获取待测多通道vcsel芯片的单通道灰度值占比；以及，根据全通道总功率和单通道灰度值占比获取待测多通道vcsel芯片的单通道功率。本申请中通过全通道总功率检测和近场图像处理结合的方式获取待测多通道vcsel芯片的单通道功率，避免对多通道vcsel芯片进行重复测试获取单个通道的功率，缩短的测试时间。此外，在确保全通道总功率的高精度检测的基础上，根据全通道总功率和单通道灰度值占比能够确保获取待测多通道vcsel芯片的单通道功率的准确性，避免在对多通道vcsel芯片进行重复测试时造成测试误差。且仅需对多通道vcsel芯片测试一次获取全通道总功率即可，无需多次测试，减低测试难度，在提高测试准确率的同时，能够确保测试效率。
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1.一种多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：
2.根据权利要求1所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述根据所述近场图像获取所述待测多通道VCSEL芯片的单通道灰度值占比，包括：
3.根据权利要求1所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述单通道功率的计算公式为：
4.根据权利要求1所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述获取点亮状态下的所述待测多通道VCSEL芯片对应的占空比，包括：
6.根据权利要求5所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述占空比的计算公式为：
7.根据权利要求4所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述单通道峰值功率的计算公式为：
8.根据权利要求1至7任一项所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的多通道VCSEL芯片的单通道功率测试系统，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：
2.根据权利要求1所述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述根据所述近场图像获取所述待测多通道vcsel芯片的单通道灰度值占比，包括：
3.根据权利要求1所述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述单通道功率的计算公式为：
4.根据权利要求1所述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的多通道vcsel芯片的单通道功率测试方法，其特征在于，所述获取点亮状态下的所述待...
【专利技术属性】
技术研发人员：惠武，肖丽文，邓乔林，尹乐艳，周文达，佘聪，
申请(专利权)人：浙江老鹰半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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