【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子元器件制备领域，具体涉及一种薄膜固定衰减器。
技术介绍
1、固定衰减器是一种衰减量预定且不可变的电子元器件，当固定衰减器被设定成特定的衰减量时，它在特定的频率下就会提供设定值量的衰减。固定衰减器在射频(rf)和微波应用中非常重要，例如在通信系统、测试设备和测量设备中，它们用来控制信号的强度，以防止过载或损坏敏感的电子设备。固定衰减器分为多种结构，包括但不限于π型、t型或桥式结构或更复杂的匹配衰减器设计。不同结构的固定衰减器都有特定的应用场景，例如π型的固定衰减器通常会具有更宽的频率范围，桥式结构的固定衰减器具有更良好的阻抗匹配。目前，衰减器普遍存在阻抗匹配不佳，造成不必要的信号反射及损耗，从而影响系统的性能；此外，目前衰减器还存在频带范围偏窄和衰减量精度偏低等问题，无法满足一些通信系统的需求，有待进一步改进。
技术实现思路
1、本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种薄膜固定衰减器。
2、本技术采用如下技术方案：
3、一种薄膜固定衰减器，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板一侧的第一电极、间隔设置在陶瓷基板另一侧与第一电极相对的两第二电极、与第一电极连接沿靠近两第二电极方向延伸的中间电极、分别连接在中间电极与相对第二电极之间的两电阻膜层和设置在陶瓷基板上覆盖两电阻膜层的包封保护层，所述中间电极位于两第二电极之间，包括间隔相对设置在陶瓷基板上的两主体段、设置在两主体段之间的连接段和从主体段外侧面向内延伸的让位槽；所述电阻膜层一端与主体段连接另一端与相对
4、进一步的，所述让位槽呈c型设置。
5、进一步的，所述让位槽位于电阻膜层上方。
6、进一步的，所述第一电极包括设置在陶瓷基板表面的第一表电极、与第一表电极连接沿陶瓷基板侧面向下延伸的第一侧电极和设置在陶瓷基板背面与第一侧电极连接的第一背电极。
7、进一步的，所述第一表电极与第一背电极的形状大小一致。
8、进一步的，还包括设置在第一电极表面的第一电镀层和分别设置在两第二电极表面的两第二电镀层。
9、进一步的，所述第一电镀层为锡镀层或锡铅镀层，所述第二电镀层为锡镀层或锡铅镀层。
10、进一步的，所述包封保护层呈π型设置在陶瓷基板上覆盖中间电极与两电阻膜层。
11、进一步的，所述包封保护层的厚度不小于30um。
12、进一步的，所述电阻膜层由电阻浆料经丝网印刷工艺涂覆在陶瓷基板表面烧结固化形成。
13、由上述对本技术的描述可知，与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术通过优化衰减器的结构设计，限定第一电极、两第二电极、中间及电阻膜层的布置方式，从而实现更好的阻抗匹配，减少回波损耗，提高功率承受能力和频率响应特性，且形尺寸小，可以在空间受限的应用实现复杂的电路设计；其中，中间电极设置有让位槽，确保固定衰减器在不同的温度条件下，衰减量能保持稳定，进而确保产品的性能稳定性。
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1.一种薄膜固定衰减器，其特征在于：包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板一侧的第一电极、间隔设置在陶瓷基板另一侧与第一电极相对的两第二电极、与第一电极连接沿靠近两第二电极方向延伸的中间电极、分别连接在中间电极与相对第二电极之间的两电阻膜层和设置在陶瓷基板上覆盖两电阻膜层的包封保护层，所述中间电极位于两第二电极之间，包括间隔相对设置在陶瓷基板上的两主体段、设置在两主体段之间的连接段和从主体段外侧面向内延伸的让位槽；所述电阻膜层一端与主体段连接另一端与相对第二电极连接。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜固定衰减器，其特征在于：所述让位槽呈C型设置。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜固定衰减器，其特征在于：所述让位槽位于电阻膜层上方。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜固定衰减器，其特征在于：所述第一电极包括设置在陶瓷基板表面的第一表电极、与第一表电极连接沿陶瓷基板侧面向下延伸的第一侧电极和设置在陶瓷基板背面与第一侧电极连接的第一背电极。
5.根据权利要求4所述的一种薄膜固定衰减器，其特征在于：所述第一表电极与第一背电极的形状大小一致。
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