【技术实现步骤摘要】
本公开涉及多个半导体制造方法，且更具体地，是关于借由沿着形成在晶圆上的一或多个切割道分割多个半导体晶圆以制造多个边射型激光的方法。
技术介绍
1、半导体边射型激光可用于各种应用领域，如光达、数据中心及通讯应用，在这些应用中，高功率激光可能具有优势。半导体边射型激光可例如包括脊形波导(ridgewaveguide，rwg)激光及埋藏式异质结构(buried heterostructure，bh)激光。边射型激光可通过在单个半导体晶圆上形成多个边射型激光，然后分割(cleave)晶圆以形成个别激光或激光条(laser bar)来制造。分割的面(facet)定义了边射型激光的腔室，其中一个分割的面作为输出面。由于光是从输出面发射的，因此当该输出面是像镜子般无瑕疵的面时，边射型激光在运作时效果最佳。制造此类边射型激光时的一个挑战是形成实质上无缺陷及/或污染的输出面。特别是在制造短腔室激光时(例如，腔室长度小于300微米(μm))，分割尤其具有挑战性。
2、边射型激光的输出表面可能发生的一种机械缺陷称为微步缺陷(microstepdefect)。图1a示出了输出面上有微步缺陷102的分割脊形波导(rwg)100的图。可能发生的一种污染是金属污染，当激光分割过程中，顶部金属层的一部分(例如，由金制成)在一或多个激光的输出面上意外沉积时发生。图1b示出了输出面上有金属污染112的切割埋藏式异质结构(bh)激光110的图。在制造过程中可使用预烧(burn-in)测试来识别潜在的有缺陷的激光，而分割导致的微步损伤及分割导致的金属污染可
3、因此，有必要提供一种制造多个边射型激光的方法，特别是对于具有短激光腔的激光，该方法可以减少分割过程中引起的微步缺陷及/或金属污染。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种制造多个边射型激光的方法。该方法包括：提供一半导体晶圆，该半导体晶圆包含形成至少一激光腔室的多个半导体层、该多个半导体层上的至少一介电层，以及该介电层上的至少一金属层，其中至少一切割道形成在该半导体晶圆上切割道而无该至少一金属层及无该介电层；沿着该至少一切割道分割该半导体晶圆以在该至少一激光腔室的每一侧上形成具有多个分割面的多个边射型激光，其中该多个分割面中的至少一者提供用于从该至少一激光腔室发射光的一输出面；以及将一介电材料沉积在沿着该多个分割面的多个末端的该至少一切割道的一剩余部分上。
2、根据本公开的另一个方面，提供了一种边射型激光。该边射型激光包括一激光腔室，由多个半导体层形成并且在该激光腔室的相对两侧具有多个分割面。该多个分割面中的一者为一输出面。该边射型激光亦包括一介电层及一金属层，沉积在该多个半导体层的一部分上。多个切割道部分沿着该多个分割面的多个末端在无该介电层及无该金属层的情况下形成。多个面涂层沉积在该多个分割面上以及沉积在沿着该多个分割面的该多个末端形成的该多个切割道部分上。
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1.一种制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该方法包含：
2.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该至少一切割道形成于相邻的多个激光条部分之间，并且分割该半导体晶圆是将该多个激光条部分分隔成多个激光条，并且其中该多个激光条中的每一者提供多个边射型激光。
3.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，提供该半导体晶圆包含沉积该多个半导体层、该至少一介电层及该至少一金属层，以及通过湿蚀刻该至少一金属层及该至少一介电层来形成该至少一切割道。
4.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，提供该半导体晶圆包含沉积该多个半导体层、该至少一介电层及该至少一金属层，以及通过干蚀刻该至少一金属层及该至少一介电层来形成该至少一切割道。
5.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该半导体晶圆包含在无该至少一金属层及无该介电层情况下形成的多个切割道。
6.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，沉积该介电材料包含在该多个分割面上有意地过喷沉积多个面涂层。>
7.如权利要求6所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个面涂层包含该输出面上的一抗反射涂层。
8.如权利要求6所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个面涂层包含在相对于该输出面的该多个分割面上的一高反射涂层。
9.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个边射型激光包含多个脊形波导激光。
10.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个边射型激光包含多个埋藏式异质结构激光。
11.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个边射型激光具有小于300微米的腔室长度。
12.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个边射型激光具有小于200微米的腔室长度。
13.一种边射型激光，其特征在于，包含：
14.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该多个面涂层包含在该输出面上的一抗反射涂层，其中该抗反射涂层被涂布以覆盖沿着该输出面的一末端形成的该切割道部分。
15.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该多个面涂层包括相对于该输出面的该分割面上的一高反射涂层，其中该高反射涂层被涂布以覆盖相对于该输出面的该分割面的该末端上的该切割道部分。
16.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该激光腔室具有小于300微米的长度。
17.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该激光腔室具有小于200微米的长度。
18.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该激光腔室形成在包括多个激光腔室的一激光条内。
19.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该多个半导体层被布置以形成一脊形波导激光。
20.如权利要求13所述的边射型激光，其特征在于，该多个半导体层被布置以形成一埋藏式异质结构激光。
...【技术特征摘要】
1.一种制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该方法包含：
2.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该至少一切割道形成于相邻的多个激光条部分之间，并且分割该半导体晶圆是将该多个激光条部分分隔成多个激光条，并且其中该多个激光条中的每一者提供多个边射型激光。
3.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，提供该半导体晶圆包含沉积该多个半导体层、该至少一介电层及该至少一金属层，以及通过湿蚀刻该至少一金属层及该至少一介电层来形成该至少一切割道。
4.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，提供该半导体晶圆包含沉积该多个半导体层、该至少一介电层及该至少一金属层，以及通过干蚀刻该至少一金属层及该至少一介电层来形成该至少一切割道。
5.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该半导体晶圆包含在无该至少一金属层及无该介电层情况下形成的多个切割道。
6.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，沉积该介电材料包含在该多个分割面上有意地过喷沉积多个面涂层。
7.如权利要求6所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个面涂层包含该输出面上的一抗反射涂层。
8.如权利要求6所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个面涂层包含在相对于该输出面的该多个分割面上的一高反射涂层。
9.如权利要求1所述的制造多个边射型激光的方法，其特征在于，该多个边射型激光包含多...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐大鹏，安索姆·克劳斯·亚历山大，苏丹娜·纳西德，
申请(专利权)人：美商祥茂光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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