System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 静电卡盘及工艺设备制造技术_技高网

静电卡盘及工艺设备制造技术

技术编号:43575518 阅读:5 留言:0更新日期:2024-12-06 17:42
本申请涉及工艺设备技术领域,尤其涉及到一种静电卡盘及工艺设备。静电卡盘包括基底、第一绝缘介质层和第二绝缘介质层,第一绝缘介质层设置于基底上,第二绝缘介质层设置于第一绝缘介质层背离基底的一侧;其中,第一绝缘介质层内具有至少一个电极对,每个电极对包括一个正电极和一个负电极,第二绝缘介质层和第一绝缘介质层在基底的投影中,第二绝缘介质层的投影至少部分与一个电极对的投影交叠;第二绝缘介质层的电阻率小于第一绝缘介质层的电阻率。本申请中的静电卡盘表面聚集的净电荷释放速较快,可以降低待加工器件从卡盘表面脱离的难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及工艺设备,尤其涉及到一种静电卡盘及工艺设备


技术介绍

1、静电卡盘用于在工艺处理过程中吸附并固定待加工器件。具体的工艺处理过程中,在对静电卡盘中的电极施加高压电后,电极会感应出净电荷,待加工器件中则会感应出与电极感应出的净电荷极性相反的净电荷,静电卡盘感应出的净电荷与待加工器件感应出的净电荷相互吸引,从而可以将待加工器件吸附固定在静电卡盘上。

2、当静电卡盘长时间工作后,静电卡盘的表面会有净电荷的积累,且净电荷难以释放,导致待加工器件从卡盘表面脱离困难。因此,亟待一种能够释放积累的净电荷的静电卡盘,从而降低待加工器件从卡盘表面脱离的难度。


技术实现思路

1、本申请提供了一种静电卡盘及工艺设备,可以提高静电卡盘中的净电荷的释放速度。

2、第一方面,本申请提供了一种静电卡盘,静电卡盘包括基底、第一绝缘介质层和第二绝缘介质层,第一绝缘介质层设置于基底上,第二绝缘介质层设置于第一绝缘介质层背离基底的一侧;其中,第一绝缘介质层内具有至少一个电极对,每个电极对包括一个正电极和一个负电极,第二绝缘介质层和第一绝缘介质层在基底的投影中,第二绝缘介质层的投影至少部分与一个电极对的投影交叠;第二绝缘介质层的电阻率小于第一绝缘介质层的电阻率。具体而言,静电卡盘在固定吸附待加工器件时,至少一个电极对包括的两个电极分别通入正负高压电,通入正高压电的电极成为正电极,通入负高压电的电极成为负电极。正电极产生正净电荷,负电极产生负净电荷,而且,正电极还会使待加工器件与正电极相对应的部分感应出负净电荷,负电极还会使待加工器件与负电极相对应的部分感应出正净电荷,待加工器件上的正净电荷能够与电极对中的负净电荷之间相互吸引,待加工器件上的负净电荷能够与电极对中的负净电荷之间相互吸引,以使待加工器件固定于静电卡盘。在将待加工器件吸附固定的过程中,正电极产生的部分正净电荷会穿过第一绝缘介质层到达第一绝缘介质层背离基底的一侧,负电极产生的部分负净电荷也会穿过第一绝缘介质层到达第一绝缘介质层背离基底的一侧,而第二绝缘介质层将至少部分的正电极和负电极覆盖,且第二绝缘介质层的电阻率小于第一绝缘介质层的电阻率,这样,移动到第一绝缘介质层表面的正净电荷和负净电荷可以通过第二绝缘介质层导通,以使积累在第一绝缘介质层表面的正净电荷和负净电荷通过第二绝缘介质层中和,以释放积累在第一绝缘介质层表面的电荷。

3、值得一提的是,第二绝缘介质层的电阻率与第一绝缘介质层的电阻率的比值在~之间,以保证第一绝缘介质层表面的正净电荷和负净电荷的总量会明显的减少。

4、在一种可能的实施例中,具体设置第二绝缘介质层时,第二绝缘介质层可以覆盖第一绝缘介质层背离基底一侧的部分,此时,第二绝缘介质层与一个电极对的部分或全部对应。第二绝缘介质层也可以将第一绝缘介质层背离基底的一侧全部覆盖,以使积累在第一绝缘介质层表面的正净电荷和负净电荷均能够通过第二绝缘介质层进行中和。

5、在一种可能的实施例中,静电卡盘上还设置有多个凸出部,多个凸出部位于第一绝缘介质层背离基底的一侧,凸出部用于支撑待加工器件,以使待加工器件与第一绝缘介质层背离基底的一侧存在间隙,以使第一绝缘介质层与待加工器件之间形成气隙,该气隙可以用于容纳工艺过程中产生的颗粒,该气隙还可以真空-绝缘介质交界面,引起位于第一绝缘介质层表面的净电荷聚集,增大静电卡盘的吸附力。

6、凸出部的设置形式可以为多种,如:在具体设置多个凸出部时,凸出部设置在第一绝缘介质层背离基底的一侧,且多个凸出部背离第一绝缘介质层的一侧均凸出于第二绝缘介质层。此时,可以理解为,第二绝缘介质层和第一绝缘介质层叠层设置,多个凸出部的一端设置于第一绝缘介质层朝向第二绝缘介质层的一侧,且多个凸出部的另一端穿过第二绝缘介质层。

7、在具体设置多个凸出部时,多个凸出部可以设置在第一绝缘介质层和第二绝缘介质层之间,且凸出部的厚度大于第二绝缘介质层的厚度,以保证当待加工器件吸附固定于静电卡盘时,待加工器件与第一绝缘介质层之间存在气隙。

8、在上述的实施例中,为了提高待加工器件吸附固定于静电卡盘上的稳定性,多个凸出部背离第一绝缘介质层的一侧在同一平面上。

9、其中,凸出部的形状具体可以为矩形、圆锥形、楔形、角锥形及柱形中的一种或多种,只要是凸出部能够支撑待加工器件即可。

10、在上述的实施例中,基底的材质为可以但不限制为铝材或玻璃。

11、第二方面,本申请还提供了一种工艺设备,该工艺设备包括工艺腔和第一方面任意技术方案中的静电卡盘,且静电卡盘设置在工艺腔中,具有该静电卡盘的工艺设备在对待加工器件进行加工完成后,待加工器件可以快速的从静电卡盘上脱离,以提高工艺设备对待加工器件的处理速度。

12、在一种可能的实施例中,工艺设备还可以包括直流电源和射频电源,直流电源用于与至少一个电极对连接,每个电极对可包括两个电极,直流电源分别为两个电极提供正电压和负电压,以使电极对中的两个电极分别为正电极和负电极。射频电源可与基底连接,此时,基底的材料可以为铝材,以使基底作为射频电极。

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【技术保护点】

1.一种静电卡盘,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二绝缘介质层的电阻率与所述第一绝缘介质层的电阻率的比值在~之间。

3.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二绝缘介质层将所述第一绝缘介质层背离所述基底的一侧全部覆盖。

4.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘还包括多个凸出部,所述凸出部设置于所述第一绝缘介质层背离所述基底的一侧,且多个所述凸出部背离所述第一绝缘介质层的一侧均凸出于所述第二绝缘介质层。

5.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘还包括多个凸出部,所述凸出部设置于所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层之间,且所述凸出部的厚度大于所述第二绝缘介质层的厚度。

6.如权利要求4所述的静电卡盘,其特征在于,多个所述凸出部背离所述第一绝缘介质层的一侧在同一平面上。

7.如权利要求6所述的静电卡盘,其特征在于,所述凸出部为矩形、圆锥形、楔形、角锥形及柱形中的一种或多种。

8.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述基底的材质为铝材或玻璃。

9.一种工艺设备,其特征在于,包括工艺腔和设置于所述工艺腔内的如权利要求1~8任一项所述的静电卡盘。

10.如权利要求9所述的工艺设备,其特征在于,还包括直流电源和射频电源,所述直流电源与所述至少一个电极对连接,所述射频电源与所述基底连接。

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【技术特征摘要】

1.一种静电卡盘,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二绝缘介质层的电阻率与所述第一绝缘介质层的电阻率的比值在~之间。

3.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述第二绝缘介质层将所述第一绝缘介质层背离所述基底的一侧全部覆盖。

4.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘还包括多个凸出部,所述凸出部设置于所述第一绝缘介质层背离所述基底的一侧,且多个所述凸出部背离所述第一绝缘介质层的一侧均凸出于所述第二绝缘介质层。

5.如权利要求1或2所述的静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘还包括多个凸出部,所述凸出部设置于所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员:兰增奇
申请(专利权)人:深圳市新凯来技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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