【技术实现步骤摘要】
本技术属于制备炉，尤其涉及一种氮化铝晶体生长制备炉。
技术介绍
1、氮化铝，共价键化合物，化学式为ain，是共价晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色，氮化铝是一种陶瓷绝缘体使氮化铝有较高的传热能力，致使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮化铝可通过氧化铝和碳的还原作用或直接氮化金属铝来制备。
2、现有的制备炉在制备放入材料时和外界一直在接触可能会对氮化铝晶体的合成造成影响。
技术实现思路
1、本技术目的在于提供一种氮化铝晶体生长制备炉，以减少氮化铝晶体生长在制备过程中外界空气对制备的影响。
2、为实现上述目的，本技术的一种氮化铝晶体生长制备炉的具体技术方案如下：
3、一种氮化铝晶体生长制备炉，包括制备炉、送料管和送料筒，所述制备炉上设有用于送料管，送料筒在送料管内部滑动向制备炉内部送入材料，其特征在于，所述送料管上有更换料的换料口，送料筒上设有两个连接栓，连接栓上设有分离盘，送料管内部设有限制分离盘移动的限位装置，送料管内部设有解除装置，送料筒挤压解除装置使得限位装置解除对分离盘的限位。
4、进一步，所述送料管包括管体、滑动腔和排气孔，所述管体设置在制备炉和制备炉连通，滑动腔设置在管体内部，管体上设有和滑动腔连通的排气孔，送料筒在滑动腔内部滑动，管体内部设有限位装置和解除装置。
5、进一步，所述限位装置包括挡板
6、进一步，所述解除装置包括收纳腔、移动环、球头柱、弹簧、第一斜面板、第二斜面板、推动齿条和第二齿轮，所述收纳腔设置在管体内部，移动环在收纳腔内部滑动，球头柱设置在移动环上，弹簧设置在收纳腔和移动环间，第一斜面板设置在移动环上，第二斜面板在管体内部滑动，第二斜面板上设有推动齿条，第一斜面板挤压第二斜面板，和推动齿条啮合的第二齿轮设置在第一齿轮上。
7、进一步，所述连接栓包括连接柱、第一限位环和第二限位环，连接柱设置在送料筒上，第一限位环和第二限位环设置在连接柱上，限制分离盘设置在连接柱上，限制分离盘置于第一限位环和第二限位环间。
8、本技术的优点在于：
9、本技术通过将材料放到送料筒上，然后推动送料筒在送料管内部移动，当时由于限位装置对分离盘的限制，使得分离盘和送料筒间的空间不断地缩小，并且空间内部的空气被压出，当送料筒接触挤压解除装置时，解除装置通过挤压限位装置接触对分离盘的限制，然后分离盘和送料筒围合的空间一同进入到制备炉进行制备，送料筒从制备炉划出时也一直保持着制备炉的密闭性。
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1.一种氮化铝晶体生长制备炉，包括制备炉(1)、送料管(2)和送料筒(4)，所述制备炉(1)上设有用于送料的送料管(2)，送料筒(4)在送料管(2)内部滑动向制备炉(1)内部送入材料，其特征在于，所述送料管(2)上有更换料的换料口(3)，送料筒(4)上设有两个连接栓(8)，连接栓(8)上设有分离盘(5)，送料管(2)内部设有限制分离盘(5)移动的限位装置(6)，送料管(2)内部设有解除装置(7)，送料筒(4)挤压解除装置(7)使得限位装置(6)解除对分离盘(5)的限位。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述送料管(2)包括管体(2-1)、滑动腔(2-2)和排气孔(2-3)，所述管体(2-1)设置在制备炉(1)和制备炉(1)连通，滑动腔(2-2)设置在管体(2-1)内部，管体(2-1)上设有和滑动腔(2-2)连通的排气孔(2-3)，送料筒(4)在滑动腔(2-2)内部滑动，管体(2-1)内部设有限位装置(6)和解除装置(7)。
3.根据权利要求2所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述限位装置(6)包括挡板(6-1)、斜面
4.根据权利要求3所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述解除装置(7)包括收纳腔(7-1)、移动环(7-2)、球头柱(7-3)、弹簧(7-4)、第一斜面板(7-5)、第二斜面板(7-6)、推动齿条(7-7)和第二齿轮(7-8)，所述收纳腔(7-1)设置在管体(2-1)内部，移动环(7-2)在收纳腔(7-1)内部滑动，球头柱(7-3)设置在移动环(7-2)上，弹簧(7-4)设置在收纳腔(7-1)和移动环(7-2)间，第一斜面板(7-5)设置在移动环(7-2)上，第二斜面板(7-6)在管体(2-1)内部滑动，第二斜面板(7-6)上设有推动齿条(7-7)，第一斜面板(7-5)挤压第二斜面板(7-6)，和推动齿条(7-7)啮合的第二齿轮(7-8)设置在第一齿轮(6-4)上。
5.根据权利要求4所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述连接栓(8)包括连接柱(8-1)、第一限位环(8-2)和第二限位环(8-3)，连接柱(8-1)设置在送料筒(4)上，第一限位环(8-2)和第二限位环(8-3)设置在连接柱(8-1)上，限制分离盘(5)设置在连接柱(8-1)上，限制分离盘(5)置于第一限位环(8-2)和第二限位环(8-3)间。
...【技术特征摘要】
1.一种氮化铝晶体生长制备炉，包括制备炉(1)、送料管(2)和送料筒(4)，所述制备炉(1)上设有用于送料的送料管(2)，送料筒(4)在送料管(2)内部滑动向制备炉(1)内部送入材料，其特征在于，所述送料管(2)上有更换料的换料口(3)，送料筒(4)上设有两个连接栓(8)，连接栓(8)上设有分离盘(5)，送料管(2)内部设有限制分离盘(5)移动的限位装置(6)，送料管(2)内部设有解除装置(7)，送料筒(4)挤压解除装置(7)使得限位装置(6)解除对分离盘(5)的限位。
2.根据权利要求1所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述送料管(2)包括管体(2-1)、滑动腔(2-2)和排气孔(2-3)，所述管体(2-1)设置在制备炉(1)和制备炉(1)连通，滑动腔(2-2)设置在管体(2-1)内部，管体(2-1)上设有和滑动腔(2-2)连通的排气孔(2-3)，送料筒(4)在滑动腔(2-2)内部滑动，管体(2-1)内部设有限位装置(6)和解除装置(7)。
3.根据权利要求2所述的一种氮化铝晶体生长制备炉，其特征在于，所述限位装置(6)包括挡板(6-1)、斜面(6-2)、第一齿条(6-3)和第一齿轮(6-4)，所述挡板(6-1)设置在第一齿条(6-3)上，挡板(6-1)和第一齿条(6-3)在管体(2-1)内部滑动，第一齿条(6-3)设置在管体(2-1)内部的第一齿轮...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈琦，李显坪，唐宝发，杨在富，邵家伟，吴宇皓，
申请(专利权)人：扬州中天利新材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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