【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。led已经广泛应用于照明、监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域。
2、目前，通常会在发光层和p型半导体层之间设置一层aln的电子阻挡层，借助aln材料具有高能阶阻挡电子溢流进而提升led光效。然而，由于发光层生长完后的磊晶质量较差，在发光层长完后再生长aln材料的电子阻挡层会产生很大的应力，进而导致严重的晶格失配。并且，现有的电子阻挡层在esd性能方面也有所欠缺。因此，如何解决电子阻挡层带来的晶格失配问题和提升抗esd性能已然成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。
3、需要说明的是，公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层、第一介质层、第二电子阻挡层和第二半导体层，发光层设置在第一半导体层上，第一电子阻挡层设置在发光层上，第一介质层设置在第一电子阻挡层上，第二电子阻挡层设置在第一介质层上，第二半导
2、本专利技术还提供一种发光装置，发光装置包括发光二极管，发光二极管采用上述任一提供的发光二极管。
3、本专利技术一实施例提供的一种发光二极管及发光装置，通过在第一电子阻挡层中掺杂适量铟以及搭配第二电子阻挡层的设置，可以有效解决电子阻挡层带来的晶格失配问题，提升发光二极管的品质，同时提升发光二极管的抗esd性能。
4、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分的技术特征和有益效果可以从说明书中显而易见地得出，或者是通过实施本专利技术而了解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铟浓度小于所述发光层中的铟浓度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铟组分占比为2～10％。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铝浓度小于1E21cm-3。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层为非故意掺杂层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层的厚度小于所述第二电子阻挡层的厚度。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层的厚度与所述第二电子阻挡层的厚度的比例范围为1:10～1:25。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层的厚度范围为5～50埃米。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电子阻挡层的厚度范围为50～300埃米。
10.根据权利要求1
11.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置包括发光二极管，所述发光二极管采用如权利要求1～10中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铟浓度小于所述发光层中的铟浓度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铟组分占比为2～10％。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层中的铝浓度小于1e21cm-3。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层为非故意掺杂层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电子阻挡层的厚度小于所述第二电子阻挡层的厚度。...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑜，马明彬，汤恒，陈志豪，李家安，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。