【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多晶硅生产方法，尤其涉及一种多晶硅生产方法及其应用，属于应用化工领域。
技术介绍
1、多晶硅生产中，常通过三氯氢硅气体与氢气反应，得到多晶硅产品。根据硅单质堆积的致密程度不同可分为致密料、疏松料和珊瑚料，其中，致密料的性能最佳，是生产过程中的目标产品。
2、然而，现阶段的多晶硅生产工艺存在致密料在多晶硅产品中质量占比较低的缺陷。
3、因此，开发一种可生产含有较高比例致密料的多晶硅生产方法成为研究方向。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种多晶硅生产方法，该方法具有可提高多晶硅产品中致密料比例的特点。
2、本专利技术还提供一种多晶硅生产装置，该装置具有可提高多晶硅产品中致密料比例的特点。
3、本专利技术还提供一种多晶硅生产系统，该系统具有可提高多晶硅产品中致密料比例的特点。
4、本专利技术提供一种多晶硅的生产方法，其中，包括如下步骤：
5、1)氢气与三氯氢硅气体发生还原反应，得到多晶硅与尾气；其中，氢气与三氯氢硅的摩尔比为a；
6、2)获取m个时刻所述尾气中的硅粉浓度，与预设硅粉浓度b比较，若任一时刻的所述硅粉浓度高于所述预设硅粉浓度b的数值，则增大a的数值；
7、m≥1，0wt％≤b≤0.5wt％。
8、如上所述的方法，其中，2≤a≤6。
9、如上所述的方法，其中，所述预设硅粉浓度b的数值为0.5wt％。
10、如上所述的方法，其中，
11、如上所述的方法，其中，所述还原反应的处理温度为1050-1200℃。
12、本专利技术还提供一种多晶硅生产装置，该装置用于执行上述任一种多晶硅生产方法，其中，包括反应单元、硅粉浓度检测单元、氢气流量调节单元、控制单元；
13、所述硅粉浓度检测单元与所述反应单元的尾气出口连通；所述氢气流量调节单元与所述反应单元的原料入口连通，所述氢气流量调节单元和所述硅粉浓度检测单元分别与所述控制单元电连接；
14、所述硅粉浓度检测单元用于检测尾气的硅粉浓度；
15、所述氢气流量调节单元用于调节进入所述反应单元的氢气流量；
16、所述控制单元根据所述硅粉浓度控制所述氢气流量调节单元调节所述氢气流量；
17、若所述硅粉浓度高于预设硅粉浓度b，则所述控制单元控制所述氢气流量调节单元提升所述氢气流量。
18、如上所述的装置，其中，还包括供氢单元，所述供氢单元的氢气出口通过所述氢气流量调节单元与所述反应单元的原料入口连通。
19、所述硅粉浓度检测单元获取m个时刻所述尾气中的硅粉浓度，所述控制单元将所述硅粉浓度与所述预设硅粉浓度b的数值比较，若任一时刻的所述硅粉浓度高于所述预设硅粉浓度b的数值，则所述控制单元控制所述氢气流量调节单元提升所述氢气流量。
20、如上所述的装置，其中，还包括三氯氢硅供应单元，所述三氯氢硅供应单元的原料出口与所述反应单元的原料入口连通。
21、如上所述的装置，其中，还包括混合单元，所述供氢单元的氢气出口和所述三氯氢硅供应单元的原料出口分别通过所述混合单元与所述反应单元的原料入口连通。
22、本专利技术还提供一种多晶硅生产系统，其中，该系统包括上述任一种多晶硅生产装置。
23、本专利技术提供的多晶硅生产方法具有提高多晶硅产品中致密料比例的特点。
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1.一种多晶硅生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，2≤A≤6。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设硅粉浓度B的数值为0.5wt％。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述氢气与所述三氯氢硅气体的温度为120-150℃，压力为0.7-1.0MPa。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述还原反应的反应温度为1050-1200℃。
6.一种用于执行权利要求1-5中任一项所述方法的多晶硅生产装置，其特征在于，包括反应单元、硅粉浓度检测单元、氢气流量调节单元、控制单元；
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括供氢单元，所述供氢单元的氢气出口通过所述氢气流量调节单元与所述反应单元的原料入口连通。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括三氯氢硅供应单元，所述三氯氢硅供应单元的原料出口与所述反应单元的原料入口连通。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，还包括混合单元，所述
10.一种多晶硅生产系统，其特征在于，包括权利要求5-9中任一项所述的装置。
...【技术特征摘要】
1.一种多晶硅生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，2≤a≤6。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预设硅粉浓度b的数值为0.5wt％。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述氢气与所述三氯氢硅气体的温度为120-150℃，压力为0.7-1.0mpa。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述还原反应的反应温度为1050-1200℃。
6.一种用于执行权利要求1-5中任一项所述方法的多晶硅生产装置，其特征在于，包括反应单元、硅粉浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：马迎杰，赵国强，段毓达，薛皓中，葛蒙，柯曾鹏，陈维平，骆彩萍，陈斌，韦岗锁，
申请(专利权)人：华陆工程科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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