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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及形成断路器接触件的方法、形成断路器触头的方法、断路器接触件以及断路器触头。
技术介绍
1、用于断路器的传统触头材料通常通过涉及混合、压制和烧结和/或渗透的粉末冶金来生产。所得材料具有随机分布的增强相。挤压材料在挤压方向上具有一定的各向异性,但结构不受控制。
2、在较高的增强体水平下,触头材料的热导率和电导率会显著下降,因为与铜或银相比,任何增强体通常都具有低得多的电导率和热导率(wc:~110w/mk,~4.5ms/m;cr:69w/m·k,8ms/m对比cu:398w/m·k,58ms/m;ag:429w/m·k,63ms/m)。当增强体以高百分比随机分布在结构中以实现开关性能时,所得复合体具有各向同性的低电导率,而作为平面触头材料的典型应用需要通过触头具有较大的电导率,而横向电导率则不太重要。由于触头在其使用寿命期间也不会完全消耗,因此散装材料中过量的增强相会不必要地增加电损耗,同时对开关性能没有任何好处。
3、有必要解决这些问题。
技术实现思路
1、因此,拥有一种改进的断路器接触件将是有利的。
2、本专利技术的目的通过独立权利要求的主题来解决,其中进一步的实施例结合在从属权利要求中。
3、在第一方面,提供了一种形成断路器接触件的方法。该接触件在形成时包括增强相和导电相。该形成接触件的方法包括:
4、提供液态的增强相浆料;
5、对浆料进行冻结铸造,以形成包括冻结液体结构和增强相结构的铸件;
...【技术保护点】
1.一种形成断路器接触件(1)的方法(100),所述接触件包括增强相和导电相,所述方法包括:
2.根据权利要求1的方法,其中,提供(110)液态的增强相浆料包括将增强相的粉末与液体混合。
3.根据权利要求1-2中任一项的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造(120)包括将所述浆料冻结以形成包括冻结液体片层的冻结液体结构。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造(120)包括将所述浆料冻结以形成包括所述增强相的各向异性泡沫体的增强相结构。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造包括将所述浆料在冷板的表面上冻结以形成铸件,其中所述接触件(1)的接触表面(2)对应于所述铸件的背向所述冷板表面的表面。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造包括控制所述浆料的冷却速率以控制所述冻结液体结构的一种或多种结构尺寸。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述冻结液体结构包括冻结液体片层,并且其中对所述浆料进行冻结铸造包括控制所述浆料的冷却速率以控制
8.根据权利要求6-7中任一项的方法,其中,通过所述冷板的温度和/或所述冷板的温度变化速率来控制所述浆料的冷却速率。
9.根据权利要求1-8中任一项的方法,其中,除去(130)所述冻结的液体包括使所述冻结的液体从所述铸件中升华。
10.根据权利要求1-9中任一项的方法,其中,除去(130)所述冻结的液体包括冻干所述铸件。
11.根据权利要求1-10中任一项的方法,其中,所述增强相包含W、或WC、或Cr;并且其中所述导电相包含Cu或Ag。
12.根据权利要求1-11中任一项的方法,包括对所述接触件进行加工以形成成品接触件。
13.一种形成断路器触头的方法,所述触头包括接触件(1)和接触杆(3),所述方法包括:
14.一种由根据权利要求1-12中任一项所述的方法形成的断路器接触件。
15.一种根据权利要求13所述的方法形成的断路器触头。
...【技术特征摘要】
1.一种形成断路器接触件(1)的方法(100),所述接触件包括增强相和导电相,所述方法包括:
2.根据权利要求1的方法,其中,提供(110)液态的增强相浆料包括将增强相的粉末与液体混合。
3.根据权利要求1-2中任一项的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造(120)包括将所述浆料冻结以形成包括冻结液体片层的冻结液体结构。
4.根据权利要求1-3中任一项的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造(120)包括将所述浆料冻结以形成包括所述增强相的各向异性泡沫体的增强相结构。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造包括将所述浆料在冷板的表面上冻结以形成铸件,其中所述接触件(1)的接触表面(2)对应于所述铸件的背向所述冷板表面的表面。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,对所述浆料进行冻结铸造包括控制所述浆料的冷却速率以控制所述冻结液体结构的一种或多种结构尺寸。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述冻结液体结构包括冻结液体片层,并且其中对所述浆料进行冻结...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·肯内尔,M·霍伊迪斯,T·德拉绍,
申请(专利权)人:ABB瑞士股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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