【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氟化氢吸附剂的制造方法。
技术介绍
1、氟气、卤素互化物、六氟化钨、四氟化硅、三氟化氮、四氟化硫等含氟化合物的气体作为半导体的制造中使用的气体是有用的，但其大多含有氟化氢作为杂质。
2、专利文献1、2公开了通过使氟化钠吸附氟化氢，从含氟化合物的气体中除去杂质进行精制的技术。
3、现有技术文献
4、专利文献1：日本专利公报第6792158号
5、专利文献2：日本专利公报第4843635号
技术实现思路
1、但是，氟化钠等金属氟化物与作为一般吸附剂的活性炭相比，比表面积小，因此存在氟化氢的吸附容量小这样的问题。
2、本专利技术的课题是提供一种氟化氢的吸附容量大的氟化氢吸附剂的制造方法。
3、为了解决前述课题，本专利技术的一方式如以下的[1]～[6]所述。
4、[1]一种氟化氢吸附剂的制造方法，具备吸附工序和脱离工序，
5、在所述吸附工序中，通过使含氟化氢的气体与金属氟化物接触而使所述含氟化氢的气体中的所述氟化氢吸附于所述金属氟化物，所述含氟化氢的气体含有氟化氢和用于稀释该氟化氢的稀释气体并且所述氟化氢的浓度为0.5体积％以上且60体积％以下，使吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物中的所述氟化氢的比例为2质量％以上且25质量％以下，
6、在所述脱离工序中，将在所述吸附工序中吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物在热处理用气氛气体中加热到240℃以下的温度，使被吸附上的所述氟化氢
7、[2]根据[1]所述的氟化氢吸附剂的制造方法，所述稀释气体是氮气、氧气、二氧化碳、氦、氩、四氟化碳、氟气、一氟化氯、三氟化氯、五氟化氯、三氟化溴、五氟化溴、七氟化溴、三氟化碘、五氟化碘、七氟化碘、六氟化钨、四氟化硅、三氟化氮和四氟化硫中的至少1种。
8、[3]根据[1]或[2]所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在0℃以上且140℃以下进行所述吸附工序。
9、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的氟化氢吸附剂的制造方法，所述热处理用气氛气体是氮气、氦、氩、氧气和空气中的至少1种。
10、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在所述脱离工序中，在将使所述氟化氢从吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物脱离的速度控制在每1g吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物为3mg/分钟以下的状态下，使被吸附上的所述氟化氢从所述金属氟化物脱离。
11、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在所述吸附工序中吸附所述氟化氢的所述金属氟化物，是氟化钠粉末的压片成形体，或者是
12、对将氟化氢钠粉末的压片成形体加热，伴随氟化氢的脱离，发生了所述氟化氢钠变为氟化钠的反应之后的物质。
13、根据本专利技术，可以得到氟化氢的吸附容量大的氟化氢吸附剂。
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1.一种氟化氢吸附剂的制造方法，具备吸附工序和脱离工序，
2.根据权利要求1所述的氟化氢吸附剂的制造方法，
3.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在0℃以上且140℃以下进行所述吸附工序。
4.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，所述热处理用气氛气体是氮气、氦、氩、氧气和空气中的至少1种。
5.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在所述脱离工序中，在将使所述氟化氢从吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物脱离的速度控制在每1g吸附了所述氟化氢的所述金属氟化物为3mg/分钟以下的状态下，使被吸附上的所述氟化氢从所述金属氟化物脱离。
6.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在所述吸附工序中吸附所述氟化氢的所述金属氟化物，是氟化钠粉末的压片成形体，或者是
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氟化氢吸附剂的制造方法，具备吸附工序和脱离工序，
2.根据权利要求1所述的氟化氢吸附剂的制造方法，
3.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，在0℃以上且140℃以下进行所述吸附工序。
4.根据权利要求1或2所述的氟化氢吸附剂的制造方法，所述热处理用气氛气体是氮气、氦、氩、氧气和空气中的至少1种。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：金内理矩，福地阳介，小林浩，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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