【技术实现步骤摘要】
本公开的示例实施例一般而言涉及半导体封装，特别是涉及具有带面板级封装(plp)的背对背管芯的半导体封装。
技术介绍
1、半导体封装会受到探测或入侵，特别是在某些可以使用半导体封装进行认证的行业内。例如，探测或入侵半导体管芯的攻击在某些行业(诸如使用认证芯片的墨盒)中可以是普遍的。如果成功，那么此类攻击可以允许攻击者了解关于半导体的信息并进行复制以用在假冒产品中。虽然半导体封装中管芯的前侧或顶侧可以具有一些防探测措施，但是半导体封装中的管芯的其他侧或区域可以仍然更多地暴露于探测或入侵。
2、需要新的半导体封装。专利技术人已经识别出现有技术和工艺中的许多改进领域，这些领域是本文描述的实施例的主题。通过付出的努力、独创性和创新，这些缺陷、挑战和问题中的许多都已通过开发包括在本公开的实施例中的解决方案得到解决，本文详细描述其一些示例。
技术实现思路
1、本文描述的各种实施例涉及用于半导体封装的背对背(btb)管芯的系统、装置和方法。
2、根据本公开的一些实施例，提供了一种示例半导体封装。该半导体封装可以包括：半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧，其中半导体封装的第二侧包括多个端子；背对背(btb)管芯，包括电耦合到第二管芯的第一管芯；第一管芯通过第一多条电迹线和多个si块电耦合到多个端子的第一部分；第二管芯通过第二多条电迹线电耦合到多个端子的第二部分；其中btb管芯被配置为如果到多个端子之一的电连接断开则停止运行。
3、在一些实施例中，半导体封装包括位
4、在一些实施例中，散热器通过一个或多个si块耦合到半导体封装的第二侧上的一个或多个端子。
5、在一些实施例中，第一管芯利用穿过第一层压层的多个通孔电耦合到第一多条迹线。
6、在一些实施例中，第一层压层包括abf。
7、在一些实施例中，多个si块中的至少一个si块定位在btb管芯的至少第一横向侧上，并且多个si块中的至少第二si块定位在btb管芯的至少第二横向侧上。
8、在一些实施例中，btb管芯的每个横向侧具有多个si块中的定位在相应横向侧上的至少一个si块。
9、在一些实施例中，多个si块中的第一si块的高度与多个si块中的至少第二si块的高度不同。
10、在一些实施例中，多条电迹线呈扇出图案。
11、在一些实施例中，半导体封装是面板中的多个半导体封装中的第一半导体封装。
12、根据本公开的一些实施例，提供了示例制造方法。该制造方法可以包括：制备背对背(btb)管芯，该背对背管芯包括电耦合到第二管芯的第一管芯；形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧，包括经由多条迹线将多个si块电耦合到第一管芯以及将半导体封装的第二侧上的多个端子电耦合到第二管芯；其中btb管芯被配置为如果到多个端子之一的电连接断开则停止运行。
13、在一些实施例中，形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括在半导体封装的第一侧上形成散热器。
14、在一些实施例中，形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括在半导体封装的第一侧上形成散热器以电耦合到多个si块中的一个或多个si块。
15、在一些实施例中，形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括利用穿过第一层压层的多个通孔将多条迹线电耦合到第一管芯。
16、在一些实施例中，第一层压层包括abf。
17、在一些实施例中，多个si块中的至少一个si块定位在btb管芯的至少第一横向侧上，并且多个si块中的至少第二si块定位在btb管芯的至少第二横向侧上。
18、在一些实施例中，btb管芯的每个横向侧具有多个si块中的定位在相应横向侧上的至少一个si块。
19、在一些实施例中，多个si块中的第一si块的高度与多个si块中的至少第二si块的高度不同。
20、在一些实施例中，多条电迹线呈扇出图案。
21、在一些实施例中，半导体封装是面板中的多个半导体封装中的第一半导体封装。
22、提供以上概述仅仅是为了总结一些示例实施例以提供对本公开的一些方面的基本理解。因而，将认识到的是，上述实施例仅仅是示例并且不应当被解释为以任何方式缩小本公开的范围或精神。还将认识到的是，本公开的范围除了这里概述的那些之外还涵盖许多潜在的实施例，其中一些将在下面进一步描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，还包括半导体封装的第一侧上的散热器。
3.如权利要求2所述的半导体封装，其中散热器通过一个或多个Si块耦合到半导体封装的第二侧上的一个或多个端子。
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中第一管芯利用穿过第一层压层的多个通孔电耦合到所述第一多条迹线。
5.如权利要求4所述的半导体封装，其中第一层压层包括ABF。
6.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个Si块中的至少一个Si块定位在BTB管芯的至少第一横向侧上，并且所述多个Si块中的至少第二Si块定位在BTB管芯的至少第二横向侧上。
7.如权利要求1所述的半导体封装，其中BTB管芯的每个横向侧具有所述多个Si块中的定位在相应横向侧上的至少一个Si块。
8.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个Si块中的第一Si块的高度与所述多个Si块中的至少第二Si块的高度不同。
9.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多条电迹线呈扇出图案。
10.如权利要求1所述的半
11.一种半导体封装的制造方法，包括：
12.如权利要求11所述的制造方法，其中形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括在半导体封装的第一侧上形成散热器。
13.如权利要求12所述的制造方法，其中形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括在半导体封装的第一侧上形成散热器以电耦合到所述多个Si块中的一个或多个Si块。
14.如权利要求11所述的制造方法，其中形成半导体封装的第一侧和半导体封装的第二侧还包括利用穿过第一层压层的多个通孔将所述多条迹线电耦合到第一管芯。
15.如权利要求14所述的制造方法，其中第一层压层包括ABF。
16.如权利要求11所述的制造方法，其中所述多个Si块中的至少一个Si块定位在BTB管芯的至少第一横向侧上，并且所述多个Si块中的至少第二Si块定位在BTB管芯的至少第二横向侧上。
17.如权利要求11所述的制造方法，其中BTB管芯的每个横向侧具有所述多个Si块中的定位在相应横向侧上的至少一个Si块。
18.如权利要求11所述的制造方法，其中所述多个Si块中的第一Si块的高度与所述多个Si块中的至少第二Si块的高度不同。
19.如权利要求11所述的制造方法，其中所述多条电迹线呈扇出图案。
20.如权利要求11所述的制造方法，其中半导体封装是面板中的多个半导体封装中的第一半导体封装。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，还包括半导体封装的第一侧上的散热器。
3.如权利要求2所述的半导体封装，其中散热器通过一个或多个si块耦合到半导体封装的第二侧上的一个或多个端子。
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中第一管芯利用穿过第一层压层的多个通孔电耦合到所述第一多条迹线。
5.如权利要求4所述的半导体封装，其中第一层压层包括abf。
6.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个si块中的至少一个si块定位在btb管芯的至少第一横向侧上，并且所述多个si块中的至少第二si块定位在btb管芯的至少第二横向侧上。
7.如权利要求1所述的半导体封装，其中btb管芯的每个横向侧具有所述多个si块中的定位在相应横向侧上的至少一个si块。
8.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个si块中的第一si块的高度与所述多个si块中的至少第二si块的高度不同。
9.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述多条电迹线呈扇出图案。
10.如权利要求1所述的半导体封装，其中半导体封装是面板中的多个半导体封装中的第一半导体封装。
11.一种半导体封装的制造方法，包括：
12.如权利要求11所述的制造方...
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