【技术实现步骤摘要】
本文档的各方面整体涉及半导体器件制造工艺，诸如金属镀覆。更具体的具体实施涉及化学金属镀覆系统和方法。
技术介绍
1、半导体器件利用半导体封装件来与半导体封装件所耦接的电路板或母板建立电连接。已经想出各种半导体封装件设计，其允许保护相关联的半导体器件免受湿气或冲击和振动的影响。
技术实现思路
1、化学沉积方法的具体实施可包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一最大平坦表面和第二最大平坦表面；在第二最大平坦表面上形成背金属层；将带材附接在背金属层上；以及将金属层化学沉积在第一最大平坦表面上包括的焊盘上。该方法可包括在化学沉积之后移除该带材；以及在移除带材之后烘烤半导体衬底。
2、化学沉积方法的具体实施可包括以下项中的一者、全部或任一者：
3、该方法可包括切割半导体衬底以形成多个半导体管芯。
4、半导体衬底可包含碳化硅。
5、该金属层可包括以下项中的一者：镍、钯和金；镍和铜，或铜。
6、烘烤半导体衬底还可包括以小于或等于每分钟3c的温度梯度从环境温度加热到介于150c至350c之间。
7、该方法可包括当半导体衬底可能已经冷却到小于50c时，从进行烘烤的烘箱中移除半导体衬底。
8、烘烤半导体衬底还可包括在氮气气氛中加热。
9、化学沉积方法的具体实施可包括提供半导体衬底；将金属层化学沉积在半导体衬底的最大平坦表面上包括的焊盘上；以及在化学沉积之后烘烤半导体衬底。
10、化学沉积方法的具
11、该方法可包括切割半导体衬底以形成多个半导体管芯。
12、半导体衬底可包含碳化硅。
13、该金属层可包括以下项中的一者：镍、钯和金；镍和铜，或铜。
14、烘烤半导体衬底还可包括以小于或等于每分钟3c的温度梯度从环境温度加热到介于150c至350c之间。
15、该方法可包括当半导体衬底可能已经冷却到小于50c时，从进行烘烤的烘箱中移除半导体衬底。
16、烘烤半导体衬底还可包括在氮气气氛中加热。
17、化学沉积方法的具体实施可包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一最大平坦表面和第二最大平坦表面；将载片耦接到第一最大平坦表面；从第二最大平坦表面减薄半导体衬底以形成边缘环；以及在第二最大平坦表面上形成背金属层。该方法可包括从第一最大平坦表面拆卸载片；将金属层化学沉积在第一最大平坦表面上包括的焊盘上以及背金属层上；以及烘烤半导体衬底。
18、化学沉积方法的具体实施可包括以下项中的一者、全部或任一者：
19、该方法可包括将半导体衬底安装到切割带材，移除边缘环，以及将半导体衬底切割以形成多个半导体管芯。
20、半导体衬底可包含碳化硅。
21、该金属层可包括以下项中的一者：镍、钯和金；镍和铜，或铜。
22、烘烤半导体衬底还可包括在氮气气氛中以小于或等于每分钟3c的温度梯度从环境温度加热到介于150c至350c之间。
23、该方法可包括当半导体衬底可能已经冷却到小于50c时，从进行烘烤的烘箱中移除半导体衬底。
24、对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式以及附图并通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。
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1.一种化学沉积方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中烘烤所述半导体衬底还包括在氮气气氛中以小于或等于每分钟3C的温度梯度从环境温度加热到介于150C至350C之间。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括当所述半导体衬底已经冷却到小于50C时，从进行所述烘烤的烘箱中移除所述半导体衬底。
4.一种化学沉积方法，所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层包括以下项中的一者：镍、钯和金；
6.根据权利要求4所述的方法，其中烘烤所述半导体衬底还包括在氮气气氛中以小于或等于每分钟3C的温度梯度从环境温度加热到介于150C至350C之间。
7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括当所述半导体衬底已经冷却到小于50C时，从进行所述烘烤的烘箱中移除所述半导体衬底。
8.一种化学沉积方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括将所述半导体衬底安装到切割带材，移除所述边缘环，以及将所述半导体衬底切割以形成多个半导体管芯。
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...【技术特征摘要】
1.一种化学沉积方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中烘烤所述半导体衬底还包括在氮气气氛中以小于或等于每分钟3c的温度梯度从环境温度加热到介于150c至350c之间。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括当所述半导体衬底已经冷却到小于50c时，从进行所述烘烤的烘箱中移除所述半导体衬底。
4.一种化学沉积方法，所述方法包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层包括以下项中的一者：镍、钯和金；
6.根据权利要求4所述的方法，其中烘烤所述半导体衬底还包括在氮气气氛中以小于或等于每分钟3c的温度梯度从环境温度加热到介于1...
【专利技术属性】
技术研发人员：野间崇，石部真三，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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