【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种显示器件的制备方法、显示器件及显示装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因亮度高、寿命长、功耗低等优势，已应用到显示、照明、投影相关的各领域中。然而，随着led尺寸逐渐减小，特别是到达微米级led(micro led)时，相同波长led的发光效率、均一性等问题也暴露出来。究其原因在于相关技术通过后期刻蚀实现像素图形化，但对刻蚀精度难以完全把控，导致同类led尺寸存在差异，显示屏的中间区域和四周区域之间的差异尤其明显，并且这也给均一性调制带来困难。另外，键合过程所引起的良率降低也制约着micro led技术的发展。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本专利技术提供了一种显示器件的制备方法、显示器件及显示装置，不需要进行刻蚀和键合，提升了显示器件的显示效率和均一性，同时还有利于提高生产效率和良率。
2、第一方面，本专利技术提供了一种显示器件的制备方法，包括：
3、形成驱动电路层；
4、于所述驱动电路层的一侧表面形成阵列分布的导电结构；驱动电路层包括第一连接点位，所述导电结构与所述第一连接点位一一对应可连接；所述导电结构具有沿第一预设方向贯穿的第一通孔，所述第一预设方向为所述导电结构指向所述驱动电路层的方向；
5、刻蚀被所述第一通孔暴露的所述驱动电路层，形成第二通孔；所述第二通孔与所述第一通孔连通，形成公共通孔；
6
7、于所述导电结构背离所述驱动电路层的一侧表面形成第二附加外延层；所述第二附加外延层包覆所述第一附加外延层以及覆盖所述导电结构背离所述驱动电路层的一侧；
8、于所述第二附加外延层背离所述导电结构的一侧表面形成发光结构。
9、可选地，所述第一附加外延层包括无掺杂氮化镓层，所述第二附加外延层包括n型氮化镓层；
10、所述无掺杂氮化镓层的外延生长方向与所述n型氮化镓层的外延生长方向垂直。
11、可选地，阵列分布的所述导电结构中，相邻所述导电结构之间存在第一间隙；所述驱动电路层还包括第二连接点位，所述于所述第二附加外延层背离所述驱动电路层的一侧表面形成发光结构之后，所述制备方法还包括：
12、于所述第一间隙对应位置处填充第一阻光层；所述第一阻光层背离所述驱动电路层的一侧表面与所述发光结构背离所述第二附加外延层的一侧表面齐平；
13、形成贯穿于所述第一阻光层的连接结构，所述连接结构与所述第二连接点位一一对应连接；
14、形成透明电极层；所述透明电极层位于所述第一阻光层背离所述驱动电路层的一侧表面和所述发光结构背离所述第二附加外延层的一侧表面，所述透明电极层包括共阳极层。
15、可选地，所有所述第一通孔的孔径均相等；所述制备方法还包括：
16、于所述透明电极层背离所述发光结构的一侧表面形成色转换结构和第二阻光层；其中，所述色转换结构在所述驱动电路层上的垂直投影与所述发光结构在所述驱动电路层上的垂直投影重叠，所述第二阻光层在所述驱动电路层上的垂直投影与所述第一阻光层在所述驱动电路层上的垂直投影重叠。
17、可选地，所述色转换结构沿第二预设方向呈外扩状，所述第二预设方向为所述透明电极层指向所述色转换结构的方向。
18、可选地，所述第一通孔的孔径至少包括第一孔径、第二孔径和第三孔径，所述第一孔径、所述第二孔径和所述第三孔径互不相等；所述制备方法还包括：
19、于所述透明电极层背离所述发光结构的一侧表面形成保护层。
20、可选地，所述形成驱动电路层，包括：
21、提供硅基衬底；
22、于硅基衬底的一侧表面形成驱动电路层；
23、其中，所述刻蚀被所述第一通孔暴露的所述驱动电路层，形成第二通孔，包括：
24、刻蚀被所述第一通孔暴露的所述驱动电路层，直至暴露出所述硅基衬底为止，形成贯穿所述驱动电路层的第二通孔。
25、可选地，所述驱动电路层为互补金属氧化物半导体驱动电路层，所述第二通孔为不贯穿所述驱动电路层的盲孔。
26、第二方面，本专利技术还提供了一种显示器件，包括：驱动电路层、导电结构、第一附加外延层、第二附加外延层和发光结构；
27、所述导电结构于所述驱动电路层的一侧表面阵列分布，所述驱动电路层包括第一连接点位，所述导电结构与所述第一连接点位一一对应可连接；所述导电结构具有沿第一预设方向贯穿的第一通孔，所述第一预设方向为所述导电结构指向所述驱动电路层的方向；所述驱动电路层还包括第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔连通，形成公共通孔；
28、所述第一附加外延层填充所述公共通孔，并在所述公共通孔位置处凸出于所述导电结构背离所述驱动电路层的一侧表面；
29、所述第二附加外延层包覆所述第一附加外延层以及覆盖所述导电结构背离所述驱动电路层的一侧；
30、发光结构位于所述第二附加外延层背离所述导电结构的一侧表面。
31、可选地，所述第一附加外延层包括无掺杂氮化镓层，所述第二附加外延层包括n型氮化镓层；
32、所述无掺杂氮化镓层的外延生长方向与所述n型氮化镓层的外延生长方向垂直。
33、可选地，相邻所述导电结构之间存在第一间隙；所述驱动电路层还包括第二连接点位；所述显示器件还包括：第一阻光层、透明电极层和连接结构；
34、第一阻光层填充于所述第一间隙对应位置处，所述第一阻光层背离所述驱动电路层的一侧表面与所述发光结构背离所述第二附加外延层的一侧表面齐平；
35、所述连接结构贯穿于所述第一阻光层，所述连接结构用于连接所述第二连接点位与所述透明电极层；
36、所述透明电极层位于所述第一阻光层背离所述驱动电路层的一侧表面和所述发光结构背离所述第二附加外延层的一侧表面，所述透明电极层包括共阳极层。
37、可选地，所有所述第一通孔的孔径均相等，所述显示器件还包括：色转换结构和第二阻光层；
38、所述色转换结构和所述第二阻光层位于所述透明电极层背离所述发光结构的一侧表面；其中，所述第二阻光层在所述驱动电路层上的垂直投影与所述第一阻光层在所述驱动电路层上的垂直投影重叠，所述色转换结构在所述驱动电路层上的垂直投影与所述发光结构在所述驱动电路层上的垂直投影重叠。
39、可选地，所述色转换结构沿第二预设方向呈外扩状，所述第二预设方向为所述透明电极层指向所述色转换结构的方向。
40、可选地，所述第一通孔的孔径至少包括第一孔径、第二孔径和第三孔径，所述第一孔径、所述第二孔径和所述第三孔径互不相等；所述显示器件还包括：保护层；
41、所述保护层位于本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一附加外延层包括无掺杂氮化镓层，所述第二附加外延层包括N型氮化镓层；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，阵列分布的所述导电结构中，相邻所述导电结构之间存在第一间隙；所述驱动电路层还包括第二连接点位，所述于所述第二附加外延层背离所述驱动电路层的一侧表面形成发光结构之后，所述制备方法还包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所有所述第一通孔的孔径均相等；所述制备方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述色转换结构沿第二预设方向呈外扩状，所述第二预设方向为所述透明电极层指向所述色转换结构的方向。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一通孔的孔径至少包括第一孔径、第二孔径和第三孔径，所述第一孔径、所述第二孔径和所述第三孔径互不相等；所述制备方法还包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成驱动电路层，包括：
8.根据权利要求1
9.一种显示器件，其特征在于，包括：驱动电路层、导电结构、第一附加外延层、第二附加外延层和发光结构；
10.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，所述第一附加外延层包括无掺杂氮化镓层，所述第二附加外延层包括N型氮化镓层；
11.根据权利要求9所述的显示器件，其特征在于，相邻所述导电结构之间存在第一间隙；所述驱动电路层还包括第二连接点位；所述显示器件还包括：第一阻光层、透明电极层和连接结构；
12.根据权利要求11所述的显示器件，其特征在于，所有所述第一通孔的孔径均相等，所述显示器件还包括：色转换结构和第二阻光层；
13.根据权利要求12所述的显示器件，其特征在于，所述色转换结构沿第二预设方向呈外扩状，所述第二预设方向为所述透明电极层指向所述色转换结构的方向。
14.根据权利要求11所述的显示器件，其特征在于，所述第一通孔的孔径至少包括第一孔径、第二孔径和第三孔径，所述第一孔径、所述第二孔径和所述第三孔径互不相等；所述显示器件还包括：保护层；
15.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9-14任一项所述的显示器件。
...【技术特征摘要】
1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一附加外延层包括无掺杂氮化镓层，所述第二附加外延层包括n型氮化镓层；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，阵列分布的所述导电结构中，相邻所述导电结构之间存在第一间隙；所述驱动电路层还包括第二连接点位，所述于所述第二附加外延层背离所述驱动电路层的一侧表面形成发光结构之后，所述制备方法还包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所有所述第一通孔的孔径均相等；所述制备方法还包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述色转换结构沿第二预设方向呈外扩状，所述第二预设方向为所述透明电极层指向所述色转换结构的方向。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一通孔的孔径至少包括第一孔径、第二孔径和第三孔径，所述第一孔径、所述第二孔径和所述第三孔径互不相等；所述制备方法还包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成驱动电路层，包括：
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述驱动电路层为互补金属氧化物半导体驱动电路层...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟东，孙明晓，谢静超，任丽美，李阳，李敏华，
申请(专利权)人：海信视像科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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